Несколько миллионов

при использовании вместо видимого света инфракрасного излучения возможно исследование некоторых образцов толщиной в несколько миллиметров.

кислоты (фосфатные стекла) устойчивы к воздействию температуры и высокой влажности, благодаря этому в процессе их хранения не образуется газообразных продуктов радиолиза и в хранилищах не повышается давление. Для повышения стойкости блоков на них наносят коррозионно-стойкие материалы, например слой свинца толщиной в несколько миллиметров.

Полупроводниковая интегральная микросхема представляет собой множество полупроводниковых приборов (транзисторов, диодов) и других радиокомпонентов (резисторов, конденсаторов), изготовленных на небольшом (несколько миллиметров) кристалле полупроводника прямоугольной формы и соединенных друг с другом тонкопленочными металлическими проводниками. Получаемая сложная электрическая схема выполняет определенную функцию преобразования и обработки сигнала. Микросхему герметизируют в корпусе, имеющем внешние выводы. 4

нитное сопротивление ЛЕВ, AFB и АКБ. Для этого между экранируемым трансформатором и экраном нужно создать зазор в несколько миллиметров, а сам экран следует выполнить из толстого материала, имеющего высокую магнитную проницаемость.

Поскольку тяжелые газы даже при незначительных утечках, скапливаясь в приямках и каналах, могут создать достаточную для взрыва концентрацию, полы помещений электроустановок и дно приямков и кабельных каналов должны быть выше полов смежных взрывоопасных помещений и поверхности земли примыкающей наружной территории. При примыкании к производственным помещениям класса B-I в помещении электроустановок должно быть создано избыточное давление в несколько миллиметров водяного столба.

Для миниатюрных импульсных трансформаторов и дросселей с диаметром сердечника в несколько миллиметров можно принять а»= 10 ч- 20 мВт/(см2 • К), a #0 = 250-5-375 К/Вт.

Для уменьшения погрешностей, вызванных тепловыми потерями самого терморезистора, отношение длины проволоки к ее диаметру должно быть не менее 500...800. При этом длина проволоки обычно составляет несколько миллиметров, а ее диаметр 10...20 мкм. Диаметр проволоки желательно выбирать как можно меньшим, при этом умень-

Электроэлектреты изготовляются без нагревания и освещения с использованием только электрического поля. Электреты имеют вид плоских пластин, дисков, колец ( 3-20) и т. д. Толщина электретов составляет обычно несколько миллиметров, диаметр дисков — несколько сантиметров. Для изготовления электретов используются различные естественные и синтетические диэлектрики, например: асфальт, эбонит, пчелиный воск, слюда, нафталин, сера, титанат магния и др.

Практические свойства струнных датчиков. Точность струнных датчиков с преобразователями измеряемых величин в силу объясняется малостью перемещения подвижной части в собранном приборе по сравнению с тем перемещением, которое могли бы дать предварительные преобразователи при отсутствии струны. Например, перемещение свободного сильфона могло бы составить несколько миллиметров, а в сочетании со струной он прогибается всего на десятки микрометров. Поэтому из всей развиваемой сильфоном силы только ничтожная доля (1—2%) идет на деформацию самого сильфона, а остальное передается струне. Поэтому и погрешности, вызываемые упругим несовершенством материала сильфона, уменьшаются в 50—100 раз.

Использование новых принципов и совершенствование технологии интегральных микросхем (см. гл. 21) позволили довести степень интеграции до такого уровня, при котором в объеме одного кристалла с линейным размером в несколько миллиметров оказалось возможным разместить сотни тысяч активных и пассивных элементов электроники.

На 5.79 представлен поперечный разрез магнитопровода якоря и статора ЭМУ поперечного поля. Сталь якоря имеет обычную конфигурацию. Статор — неявнополюсный с пазами, имеющими разный профиль. Обмотка дополнительных полюсов, которой снабжается ЭМУ для улучшения коммутации тока нагрузки, располагается на зубце по продольной оси машины 1. Компенсационная обмотка 2, которая состоит из катушек разной ширины, помещается в пазах между осью d и большим пазом. В большом пазу располагаются обмотки управления 3, которых обычно в ЭМУ бывает две или четыре, и одна сторона катушки компенсационной обмотки. Высота спинки магнитопровода над большим пазом всего несколько миллиметров, так как над большим пазом замыкается только поток управления.

Характеристики ОП непосредственно влияют на основные показатели ЭВМ и в первую очередь на скорость ее работы. Оперативная память высокопроизводительных ЭВМ имеет емкость несколько миллионов байт и цикл обращения около 0,5 икс (и менее). Запоминающие устройства ОП, ранее выполнявшиеся на магнитных (ферритовых) сердечниках и тонких магнитных пленках, в настоящее время изготовляются на интегральных микросхемах с большой степенью интеграции (полупроводниковые ЗУ).

секций трубки, где еще не происходит коммутация электронным лучом. С этой целью разрабатываются новые, более эффективные фотокатоды и мишени, а также способы дополнительного предварительного усиления фототока изображения до его электронного или оптического проецирования на накопительную мишень. Одним из таких способов является применение в качестве предварительного усилителя яркости электронно-оптического преобразователя (ЭОП), сочлененного с трубкой ( 9.18). Фотоэлектроны, выбитые с фотокатода /, устремляются под действием ускоряющего напряжения U[ к. люминесцирующему экрану 2, на котором создается вторичное оптическое изображение. Яркость его в десятки и сотни раз превышает яркость исходного изображения, спроецированного на ФК, /. Экран 2 ЭОП и фотокатод 4 передающей трубки наносят на противоположные поверхности стекловолоконной планшайбы 3, котора'я представляет собой несколько миллионов волоконных световодов, спрессованных вместе. Такое построение планшайбы 3 улучшает ее оптические характеристики и, кроме того, допускает возможность разрезания ее на две части. Это позволяет ЭОП и передающую трубку изготавливать отдельно, что удобно в производстве, и включать последовательно несколько ЭОП для повышения чувствительности.

полупроводниковой интегральной микросхемы, в которой активные и пассивные элементы и их соединения выполнены в виде сочетания неразъемно связанных р-п-перехо-дов в одном исходном полупроводниковом материале. Это позволило исключить процесс сборки радиоаппарата, повысить плотность упаковки и надежность межэлементных соединений. Таким образом, полупроводниковая электроника вступила в новую фазу своего развития — появилась микроэлектроника. В дальнейшем полупроводниковую интегральную микросхему будем называть интегральной микросхемой (ИМС). Переход к ИМС стал возможен благодаря освоению новой полупроводниковой технологии, характеризующейся созданием групповых методов изготовления пленарных (плоских) р-п-р- или га-р-п-структур. При современном групповом технологическом цикле может быть изготовлено одновременно несколько десятков тысяч ИМС с количеством элементов от 50 до 500 или несколько тысяч ИМС с количеством элементов порядка 5000, т. е. одновременно может быть выполнено несколько миллионов элементов с помощью тех же простейших технологических операций по формированию р-и-переходов, что и при изготовлении одиночного планарного транзистора. Это позволяет обеспечить высокую идентичность параметров ИМС и значительно повысить надежность по сравнению с аналогичными схемами на дискретных элементах. За счет усложнения элементной базы происходит уменьшение сложности конструкции, числа внешних соединений и объема электронной аппаратуры.

Излучение бета-частиц обусловлено потоком электронов и позитронов. Проникающая способность бега-излучения во много раз больше, чем альфа-частиц и протонов той же энергии. Источниками бета-частиц являются радиоактивные-изотопы. Бета-частицы излучаются при ядерных реакциях и являются составной частью космических излучений, Энергия бета-частиц достигает несколько миллионов электронвольт. В космическом пространстве (за пределами атмосферы) обнаружены электроны с энергией больше 300 МэВ.

можно выполнить несколько миллионов элементов с помощью таких же простейших технологических операций по формированию p-n-переходов, как и одиночного планарного транзистора. Благодаря этому обеспечивается высокая идентичность параметров ИМС и существенно повышается их надежность по сравнению с аналогичными схемами на дискретных элементах. ИМС обладают рядом существенных преимуществ по сравнению с электронными схемами на дискретных элементах. К ним относятся: самостоятельное выполнение практически любых функций, не требующее соединения ряда элементов в схему; повышенная надежность за счет отсутствия паяных и сварных соединений; возможность резкого увеличения количества активных элементов в схеме без увеличения ее общей стоимости; идентичность смежных элементов схемы, сохраняющаяся и при изменении внешних факторов (температуры, давления, влажности и т. д.).

Для научных и технических целей (например, в ядерной физике, радиобиологии, рентгенотерапии, для испытания материалов, дефектоскопии и пр.) необходимы устройства, позволяющие получать напряжения в несколько миллионов вольт. Такими устройствами являются технически совершенные электростатические генераторы высокого постоянного напряже^

Реле выполняются на выходную мощность от единиц до нескольких тысяч ватт. Мощность в цепи управления колеблется в пределах от долей до нескольких десятков ватт или нескольких сотен вольт-ампер. Собственное время срабатывания в зависимости от назначения, конструкции и схемы включения лежит в пределах от 1 — 2 до 20 мс. Электромагнитные реле времени могут обеспечить выдержку времени до 5—10 с. Электромагнитные реле позволяют получить частоту включений в час до 1500 — 4000 при механической износостойкости 10 — 20 млн. включений и коммутационной износостойкости несколько миллионов включений.

Полимеры получают из мономеров — веществ, каждая молекула которых способна образовывать одно или несколько составных звеньев. Так как полимеры представляют собой смеси молекул с различной длиной цепи, то под молекулярной массой полимера понимают ее среднее статистическое значение. Молекулярная масса полимеров может достигать значений в несколько миллионов.

Установки типа «Токамак» обычно представляют собой тороидальную камеру, наполненную газом, в которой создается кольцевой электрический ток. Этот ток разогревает газ, образует плазму и способствует удержанию ее с помощью собственного магнитного поля. В обсуждаемых проектах объем плазмы составляет многие десятки и даже сотни кубических метров, а протекающий ток — несколько миллионов ампер.

ГАЭС представляют собой синтез НС и ГЭС и работают попеременно как насосная станция и как гидроэлектростанция. В СССР из построенных ГАЭС самой крупной является Киевская мощностью 225 МВт. Строятся Загорская ГАЭС мощностью 1200 МВт и Кайшядорская ГАЭС мощностью 1600 МВт, намечается постройка Ленинградской ГАЭС мощностью 1320 МВт, Днестровской ГАЭС 2200 МВт и других. Построена Кислогубская ПЭС мощностью 400 кВт. В предварительных проектных проработках намечаются ПЭС мощностью в сотни тысяч и даже в несколько миллионов киловатт.

В то же время длительность импульса те, зависящая от геометрии лампы и ori напряженности электрического поля в междуэлектродных промежутках, составляет величину порядка (1 ч- 10) • 10~'° сек. Таким образом, за пролетное время ти из катода вылетает несколько миллионов электронов. Учитывая случайность моментов вылета th, мы можем считать, что в любой момент времени ia(t) является суммой огромного числа независимых случайных величин /„ (/ — th).