Несколько миллиампер

Вольтметры с предварительным усилителем ( 10.6, б) имеют более высокую чувствительность (несколько микровольт), но более узкий диапазон частот (до 30 МГц) из-за трудностей создания широкополосных усилителей.

остается положительным до тех пор, пока разность входных напряжений (t/noo— ?/вх) не изменит знак (и величина ее превысит несколько микровольт — при К0 ^> 10е). При этом, очевидно, произойдет переключение триггера, напряжение на его выходе изменит знак, станет равным f/Hao и будет им оставаться при дальнейших изменениях ?/вх до тех пор, пока входное напряжение не изменит знак и не превысит по значению — t/noo- Тогда произойдет очередное переключение триггера ( 84, точки / ... 5). Таким образом, рассматриваемый триггер является пороговым устройством, w. е. срабатывание происходит при достижении входным

в частотном диапазоне от 30 Гц до 100 кГц при разрешающей способности несколько микровольт. Рабочий диапазон частот входных сигналов таких вольтметров достигает 20 МГц. Разработаны электронные цифровые ваттметры, логометры, счетчики электрической энергии и другие средства измерения.

в частотном диапазоне от 30 Гц до 100 кГц при разрешающей способности несколько микровольт. Рабочий диапазон частот входных сигналов таких вольтметров достигает 20 МГц. Разработаны электронные цифровые ваттметры, логометры, счётчики электрической энергии и другие средства измерения.

§ Г.4. Источники внутренних шумов в электрических цепях. Резисторы, электронные лампы, транзисторы, магнитные усилители и многие другие элементы схем являются источниками внутренних шумов. ЭДС, которые при расчете эквивалентны этим шумам, обычно очень малы и составляют часто несколько микровольт. Если шумящие элементы схем включены на входе усилителя, имеющего очень большой коэффициент усиления, то шумы ограничивают порог чувствительности схемы и их приходится учитывать.

§ Г.4. Источники внутренних шумов в электрических -цепях. Активные сопротивления, электронные лампы, транзисторы, магнитные усилители и многие дру-гие элементы схем являются источниками внутренних шумов. Э.д.с., которыми можно в расчетном смысле эквивалентировать эти шумы, обычно очень малы и составляют часто несколько микровольт. Если шумящие элементы схем включены на вход усилителя, имеющего очень большой коэффициент усиления, то шумы ограничивают порог чувствительности схемы и с ними приходится считаться.

Базовым элементом компаратора напряжения является дифференциальный усилитель, охваченный нелинейной обратной связью ( 1.28). Цепь ОС формирует на выходе ОУ сигнал, совместимый с выходными уровнями ТТЛ-схем. Когда входное напряжение UBx равно напряжению порога переключения Unop, выходное напряжение Uebij[=0, стабилитрон и диод закрыты, а ОС разомкнута. Если входной сигнал изменится на несколько микровольт в ту или иную сторону, то изменение выходного напряжения, составляющее единицы вольт благодаря большому коэффициенту усиления ОУ, прекратится как только откроется диод и стабилитрон и коэффициент передачи по цепи ОС станет равен единице. Если Uax>Unop, то UBbix= — 11д и при UBx
Хотя большинство хороших одинарных ОУ (но не сдвоенные и не счетверенные) имеют выводы для регулировки сдвига, все же по ряду причин имеет смысл выбирать усилитель с малым начальным напряжением сдвига (Усд„ макс. Во-первых, у таким образом спроектированных ОУ наблюдается соответственно малый дрейф напряжения сдвига с температурой и временем. Во-вторых, достаточно точный ОУ не требует внешних элементов подстройки (подстроечный потенциометр занимает место, требует начальной подстройки, а со временем настройка может изменится). В-третьих, дрейф напряжения сдвига и подавление синфазных напряжений ухудшаются из-за разбаланса, вносимого потенциометром, регулирующим сдвиг. На 7.4 показано, как регулировка сдвига увеличивает температурный дрейф. Из рисунка видно, как зависит регулировка сдвига от оборотов потенциометра, с наилучшим разрешением в районе центра, особенно для больших значений сопротивления подстроенного потенциометра. Наконец, вы, как правило, обнаружите, что рекомендуемая внешняя цепь обеспечивает слишком большой диапазон настройки, а в результате почти невозможно уменьшить [7СДВ до величины в несколько микровольт; но даже если это удастся сделать, настройка будет столь критичной, что вряд ли она останется надолго неизменной. И еще одно, о чем следует подумать, это то, что изготовителем прецизионного ОУ уже настроен

Как правило, это может ухудшать бюджет погрешностей следующего каскада от тока смещения! Именно такого рода проблему мы встретим в нашем примере проектирования. Для тех схем, где важен дрейф в несколько микровольт, заметное влияние начинают окачывагь температурный градиент (от расположенных вблизи выделяющих тепло компонентов) и тер-мо-э. д. с. (от контактов разнородных металлов). Эти вопросы возникнут вновь, когда мы будем обсуждать в разд. 7.08 сверхпрецизионный усилитель со стабилизацией прерыванием,

фект Зеебека («термо-э. д. с.»). На практике обычно имеются точки соединения проводников с различным покрытием; температурный градиент или даже небольшой поток воздуха легко может вызвать появление напряжения в несколько микровольт. Даже однотипные провода разных изготовителей могут давать термо-э. д. с. величиной 0,2 мкВ/'С, в четыре раза больше, чем паспортное значение дрейфа МАХ432! Наилучший способ исключить влияние тепловых потоков и градиентов-в симметричном, насколько это возможно, расположении проводников и компонентов на печатной плате.

где 5=У21 — так называемая крутизна проходной характеристики полевого транзистора, составляющая обычно несколько миллиампер на вольт.

Крутизна характеристики полевого транзистора составляет обычно несколько миллиампер на вольт.

ся в сильном электрическом поле, высокая напряженность которого обусловлена малой длиной канала и большим напряжением 1/уПрог. Число инжектированных электронов пропорционально току канала, составляющему несколько миллиампер. Так как напряжение на управляющем затворе выше, чем на стоке, в диэлектрике существует вертикальная составляющая вектора напряженности электрического поля, благодаря которой инжектированные в окисел электроны дрейфуют к плавающему затвору и накапливаются на нем. Ток через диэлектрик очень мал (единицы пикоампер), поэтому время программирования одного элемента памяти весьма велико (около 1 мс) и на 4 порядка превышает время считывания.

от пути прохождения тока через организм человека. При прочих равных условиях наибольшее физиологическое воздействие на организм человека оказывают токи частотой 50—60 Гц. Что касается силы тока, то неприятные ощущения возникают уже при токах в несколько миллиампер. При токе 25 мА (0,025 А) наступает судорожное сокращение мышц и человек оказывается не в состоянии самостоятельно разжать пальцы и освободиться от провода, находящегося под током. При токе 100 мА (0,1 А) практически мгновенно наступает паралич дыхания и сердца. Правилами техники безопасности за безусловно опасный принят ток 50 мА (0,05 А).

действие затвора. Как правило, ее измеряют при С/зи = 0 и (Уси = = 1/си нас по характеристике прямой передачи. Значения S обычно составляют несколько миллиампер на вольт; входное дифференциальное сопротивление

Крутизна характеристики полевого транзистора составляет обычно несколько миллиампер на вольт.

Параметры фоторезисторов различных типов. В режиме формирования электрических сигналов при облучении фоторезисторов лучистым потоком применяются фоторезисторы из сульфида кадмия, селенида кадмия, сульфида и селенида свинца. Спектральные характеристики этих приборов показаны на 14-4. Фоторезисторы из сульфида кадмия отличаются высоким рабочим напряжением (до 400 В), значительными максимальными токами (несколько миллиампер) и очень высокой интегральной чувствительностью, достигающей нескольких ампер на один люмен. Темновое сопротивление этих приборов велико: RT = 107 -=- 1010 Ом.

При УэО'гр в базе имеет место низкий уровень инжек-ции. Например, для п-р-п транзистора с параметрами /Л = = 25 см2/с, p,,o~jVE =5'1015 см"3, ш = 25 мкм имеем УГР = = 8 А/см2, поэтому можно полагать, что условие низкого уровня инжекции в базе выполняется при Уэ<1 А/см2. В транзисторах с однородно легированной базой номинальная плотность тока эмиттера приблизительно равна 100 А/см2. Таким образом, для типичного сплавного транзистора на ток 0,1 А площадь эмиттера должна составлять 5Э«1(Н см3. На этом основании можно сделать ВЫВОД, что низкий уровень инжекции имеет место до токов в несколько миллиампер, что составляет малую часть рабочего диапазона токов.

В магнитных линзах допустимы большие апертурнуе углы, а разрешающая способность трубок с такой фокусировкой выше, потери электронов внутри линзы отсутствуют, так как нет ограничивающих диафрагм и ток луча намного больше (несколько миллиампер), чем в трубках

Параметры фоторезисторов различных типов. В режиме формирования электрических сигналов при облучении фоторезисторов лучистым потоком применяются фоторезисторы из сульфида кадмия, селенида кадмия, сульфида и селенида свинца. Спектральные характеристики этих приборов показаны на 14-4. Фоторезисторы из сульфида кадмия отличаются высоким рабочим напряжением (до 400 В), значительными максимальными токами (несколько миллиампер) и очень высокой интегральной чувствительностью, достигающей нескольких ампер на один люмен. Темновое сопротивление этих приборов велико: RT = 107 -=- 1010 Ом.

вого проволочного электрода с пластинкой из германия или кремния. Параметры точечных диодов отличаются от параметров плоскостных: прямое сопротивление несколько больше (см. ниже), прямой максимальный ток невелик (обычно составляет несколько миллиампер).