Несколько микросхем

Время переключения сердечников с ППГ в устройствах автоматики и вычислительной техники составляет несколько микросекунд или долей микросекунды.

Допустимая скорость нарастания прямого тока dJnp/dt имеет большое значение при работе тиристоров. Дело в том, что ток управления распределяется неравномерно по площади структуры и локализуется в окрестности управляющего электрода. Поэтому процесс включения тиристора развивается прежде всего в этой окрестности, а затем распространяется в плоскости кремниевой пластины. При этом скорость нарастания тока в силовой цепи тиристора составляет 50...500 А/икс и номинального значения ток достигает за несколько микросекунд. В результате в районе управляющего электрода возникает громадная плотность тока, высокая плотность потерь и быстрый разогрев структуры в окрестностях управляющего электрода. Это может привести к разрушению структуры.

Физически этот процесс можно представить как постепенное насыщение носителями заряда тонкой базы (при конечной скорости дрейфа процесс продолжается несколько микросекунд) с последующим образованием нескомпенсированных объемных зарядов в прилегающих слоях и как следствие с ин-жекцией электронов через переходы из катода и толстой базы, а дырок — во встречном направлении.

Таким образом, существует много возможных способов регистрации времени дрейфа неравновесных носителей заряда, например: изменение поперечного сечения образца, использование контакта малой площади, создание высокоомной или низкоомной области, а также /5-/г-перехода в образце. Схема измерительной установки, в которой используется один из этих методов, приведена на 3.4. Носители заряда генерируются с помощью освещения образца импульсами света длительностью в несколько микросекунд от импульсной лампы, световой поток которой фокусируется на поверхности образца в виде узкой линии или пятна малого диаметра. Генерация избыточных носителей заряда в результате поглощения квантов света подробно изложена в § 4.1.

При эксплуатации трансформаторы могут подвергаться воздействию высокочастотных напряжений прямоугольной формы в кратковременных импульсах, значительно превосходящих по амплитуде номинальное напряжение трансформатора. Перенапряжения в энергосистемах возникают при коммутационных операциях (отключении и включении линий передачи и трансформаторов), авариях и грозовых разрядах. Характерной формой волны перенапряжений является апериодическая волна ( 2.101, а). Начальный, крутонарастающий участок до Um называют фронтом волны, а спадающий участок — спадом волны. При этом длительность фронта волны составляет несколько микросекунд, а вся волна перенапряжений действует десятки микросекунд. Наиболее опасна волна с прямоугольным фронтом ( 2.101,6). Она дает наибольшие перенапряжения, а при разложении прямоугольной волны на гармонические составляющие амплитуды высших гармоник максимальны. Волны с прямоугольным фронтом приходят к транс-

§ 8.28.0 переходных процессах, при макроскопическом рассмотрении которых не выполняются законы коммутации1. Обобщенные законы коммутации. На практике встречаются схемы, переходные процессы в которых состоят как бы из двух стадий резко различной продолжительности. Длительность первой стадии в тысячи и миллионы раз короче второй. В течение первой стадии токи в индуктивных элементах и напряжения на конденсаторах изменяются настолько быстро (почти скачкообразно), что если считать t = 0_. началом, a t = 0+ — окончанием первой стадии, то создается впе-: чатление, что при переходе от t = 0_ к t = 0+,т.е. за время, например, в несколько микросекунд, как бы нарушаются законы коммутации.

При изучении грозовых перенапряжений в схемах, содержащих трансформатор, его обмотка замещается входной емкостью, если время воздействия составляет несколько микросекунд.

В момент, когда воздействующий на обмотку трансформатора импульс достигает максимума (несколько микросекунд), распределение напряжения вдоль

Моделирование трансформатора емкостью справедливо для промежутка времени в несколько микросекунд. Оно позволяет определить напряжение на вводе трансформатора, но не отражает процессов внутри обмотки, в частности повышения напряжения на изолированной нейтрали. Искровые промежутки разрядников, трубчатые разрядники и другие объекты с заданным пробивным напряжением или вольт-секундной характеристикой моделируются с помощью полупроводниковых переключающих диодов. Моделирование нелинейного резистора вентильного разрядника основано на замене вольт-амперной характеристики разрядника ломаной линией, которая воспроизводится с помощью простых полупроводниковых схем.

и наложенные на нее колебания с периодом Е несколько микросекунд. Поскольку период собственных колебаний много больше (десятки микросекунд), то высокочастотные колебания практически сглаживаются при передаче через обмотку и не оказывают

./ = 0- началом, а ? = 0+ — окончанием первой стадии, то создается /впечатление, что при переходе от t = Q- к t = Q± т. е. за время, например, в несколько микросекунд, как бы нарушаются законы коммутации.

Первое поколение составили микропроцессорные наборы на четыре разряда (бита), построенные на основе МДП-приборов с каналами р-гипа. Основа набора — микропроцессор, выполняющий все необходимые функции управления и обработки, ряд полупроводниковых микросхем постоянной памяти (ПЗУ), несколько микросхем оперативной памяти (ОЗУ), расширители устройств ввода — вывода. Серьезными недостатками первых микропроцессоров была их относительная сложность и низкое быстродействие (выполнение одной команды занимало до 80 мкс).

При наращивании емкости ОЗУ используют несколько микросхем. Так; для построения ОЗУ 4К х 8, т.е. на 4К 8-разрядных слов, нужна совместная работа восьми микросхем КР541РУ2, для организации которой служат входы CS (выбор микросхемы, кристалла). При подаче "О" на вход CS микросхема ОЗУ работает, как описано, а при подаче "V информационные внешние выводы 0—3 отключаются (изолируются) и микросхема ОЗУ не взаимодействует с внешними устройствами.

Выводы в технологических рамках целесообразно выполнять в отрезках ленты длиной до 250 мм на несколько микросхем. Это упрощает механизацию и автоматизацию монтажа, а также загрузку многоместных форм для заливки под давлением.

Выводы в технологических рамках целесообразно выполнять в отрезках ленты длиной до 250 мм на несколько микросхем. Это упрощает механизацию и автоматизацию монтажа, а также загрузку многоместных форм для заливки под давлением.

Разработка и изготовление аналоговых ИС производится сериями. Каждая серия отличается степенью комплектности и содержит несколько микросхем, которые, в свою очередь, подразделяются натипономиналы. Серия состоит из совокупности ИС, выполняющих различные функции,

Описанная выше процедура коррекции коэффициента мощности и стабилизации выходного напряжения используется в микросхемах управления, разработанных фирмой Motorola. Этой фирмой выпускаются несколько микросхем управления, реализующих аналогичный процесс регулирования, но с различной степенью сложности. По существу, все разработанные фирмой микросхемы поддерживают в схеме повышающего стабилизатора граничный режим между непрерывным и прерывистым током в индуктивности L.

Если в слове менее 12 разрядов, на свободных входах при проверке на четность должно быть четное число единиц, а при проверке на нечетность — нечетное. Когда число разрядов в слове превышает двенадцать, можно использовать несколько микросхем, соединяя выход F предыдущей схемы со входом V последующей.

Несколько микросхем, содержащих элементы с комбинированными функциями, обозначаются шифром «Прочие» (в табл. 2.5 перечислены такие микросхемы).

В пассивном последовательном режиме микросхема получает данные конфигурирования в виде потока битов из последовательной памяти PROM или другого источника. Синхронизация осуществляется от внешнего источника, каждый положительный фронт синхросигнала вводит бит данных от входа DIN. Несколько микросхем могут быть соединены в цепочку для конфигурирования в едином процессе от общего потока битов. В этом случае после завершения конфигурирования очередной микросхемы данные конфигурации для следующих микросхем появляются на выводе DOUT микросхемы, завершившей конфигурирование.

В байт-последовательном режиме время конфигурирования минимально. )Используется байт-последовательный поток данных, которые записываются в микросхему с учетом флажка ее готовности BUSY. Байтовый поток задается от внешнего источника, как и сигналы тактирования, разрешения работы CS и WRITE. В этом режиме данные могут и читаться. Если сигнал WRITE пассивен, то данные конфигурации читаются из микросхемы (этот процесс есть часть процесса Readback). В режиме SelectMAP также можно конфигурировать одновременно несколько микросхем, но в этом случае они включаются параллельно по входам синхронизации, данных, WRITE и BUSY. Загружаются микросхемы поочередно путем соответствующего управления ригналами разрешения их работы CS.

Выполнение натурных экспериментов существенно увеличивает вероятность выпуска бездефектной продукции. Средства ускорения работ на этом этапе и возможности его переноса на ранние этапы разработки, т. е. до того момента, когда будет закончено изготовление конечного продукта, известны — это прототипные системы и средства проведения экспериментов с ними. Прототипные платы широко использовались и ранее, в частности, при создании микропроцессорных систем. Аналогична и ситуация при разработке систем и устройств на основе средств программируемой логики. Прототип-ная плата содержит одну или несколько микросхем программируемой логики и дополнительную аппаратуру, связанную с ее целевым назначением, например, средства управления и отображения, микросхемы быстродействующих ОЗУ. Широкий спектр прототипных плат выпускается и поставляется различными отечественными и зарубежными фирмами. Здесь можно указать средства фирм Altera (Demo Board), PLD Applications (платы PCI Bus Evaluation Board), Xilinx, Virtual Computer Corp., Video Software (платы НОТ PCI Design Kit) и др.