Несколько микрометров

Электроприводы бывают групповыми, одиночными и многодвигательными. При групповом электроприводе один двигатель приводит в движение несколько механизмов. Примером группового электропривода может быть электропривод лебедки и ротора буровой установки БУ-80БрЭ.

Электроприводы бывают групповыми и индивидуальными. При групповом один двигатель приводит в движение несколько механизмов (например, электропривод лебедки и ротора буровой установки БУ-75БрЭ), при индивидуальном каждый производственный механизм имеет собственный приводной двигатель, например электропривод центробежного насоса. В нефтяной и газовой промышленности наиболее распространены индивидуальные электроприводы механизмов.

Физическая картина пробоя твердых диэлектриков в разных случаях может быть весьма различна. Наряду с ионизационными процессами к пробою могут приводить вторичные процессы, обусловленные сильным электрическим полем: нагрев, химические реакции, частичные разряды, механические напряжения в результате электрострикции, образование объемных зарядов на границах пеоднородностей и т.п. Поэтому различают несколько механизмов пробоя твердых диэлектриков непосредственно под действием электрического поля.

Аналогично можно расчленить на компоненты ненадежности любое изделие. Компоненты ненадежности, являясь продуктами определенного частичного технологического цикла, представляют своего рода технологические модули, переносимые из разработки в разработку и сравнительно медленно эволюционирующие в ходе технического развития. Изучение и моделирование кинетики процессов, происходящих в выделенных компонентах ненадежности, позволяет установить причинную связь между геометрией компонентов,-свойствами материалов, эксплуатационными факторами и временем наработки изделия до отказа. В свою очередь, в компоненте! могут действовать несколько механизмов отказа.

чают несколько механизмов повышения концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике под действием внешнего электрического поля — электростатическую, термоэлектронную и ударную ионизации.

В полупроводниках различают несколько механизмов поглощения энергии излучения — собственное (основное, межзонное, фундаментальное), примесное, экситонное, решеточное, поглощение свободными носителями и др.

Существует несколько механизмов повышения концентрации носителей заряда под действием сильного электрического поля.

«ся прежде всего механизмом токопрохождения в них. Механизм токопрохождения объясняет и принцип работы пленочного элемента. На практике часто реализуется сразу несколько механизмов то-.копрохождения с преобладанием одного из них. Поэтому важно знать основные свойства механизмов токопрохождения и уметь определять эти механизмы по вольт-амперной характеристике элемента.

Наличие на поверхности пластины посторонних частиц или нарушение структуры могут привести к неравномерному распределению примесей, IK образованию р-я-переходов с изменяющейся глубиной залегания, а в транзисторных структурах —к неравномерности толщины базы и изменению свойств транзисторов. В зависимости от структуры сановного полупроводника различают несколько механизмов диффузии: движение вакансий, обменный .и междоузельяый механизмы. Обычно диффузия осуществляется с помощью нескольких механизмов, 'но один из них является преобладающим.

Под действием сильных полей может происходить изменение не только подвижности, но и концентрации свободных носителей заряда. Существует несколько механизмов этого эффекта.

Машины прерывистого действия могут включать в свой состав несколько механизмов, обеспечивающих движение груза в различных направлениях, подъемную лебедку, механизмы горизонтального перемещения и вращения. Так, например, лебедка мостового крана, установленная на тележке, может передвигаться по рельсовому пути, уложенному вдоль фермы крана. На строительном башенном кране зона действия расширена механизмом вращения стрелы. Кроме того, мостовой и башенный подъемные краны имеют механизм горизонтального перемещения.

Технология получения шариков на кристалле заключается в нанесении на контактные площадки слоев алюминия, хрома и никеля с химическим наращиванием до толщины в несколько микрометров и последующем об-луживании выступов в тигле с оловянисто-свинцовым припоем.

Для изготовления малогабаритных стабильных добавочных резисторов применяют микропровод в тонкой стеклянной изоляции из .меди, манганина и других сплавов с диаметром жилы в несколько микрометров, наматываемый на керамические каркасы. Если диаметр каркаса больше 250 диаметров микропровода в изоляции (при диаметре нити 6...12 мкм), то намотку осуществляют без подогрева. В остальных случаях при намотке провод или провод и каркас нагревают до 873...923 К. При этой температуре стекло становится пластичным.

На внутренний торец стеклянной вакуумной колбы 3 видикона наносится тонкий прозрачный металлический слой, образующий сигнальную пластину /. На сигнальную пластину нанесен тонкий слой полупроводниковой мишени 2, выполненной из фотопроводящего вещества толщиной несколько микрометров. При облучении светом освобождаемые электроны не вылетают за пределы мишени, как это имеет место при внешнем фотоэффекте, а остаются внутри ее, переходя в зону проводимости, и увеличивают тем самым проводимость мишени. Каждый элементарный участок фотопроводящей мишени можно представить в виде параллельного соединения емкости, образующейся между сигнальной пластиной и противоположной стороной мишени, и элементарного фотосопротивления ( 9.8, б). Величина этого сопротивления зависит от освещенности данного участка мишени. Таким образом, распределению яркостей передаваемого изображения соответствует определенный рельеф сопротивлений.

Современные транзисторы изготовляют методами планарно-эпитак-сиальной технологии (см. § 8). На кремниевой пластине 1 л+-типа ( 43) с эпитаксиально выращенным на ней тонким (несколько микрометров) слоем 2 n-типа локальным диффузионным легированием с применением фотолитографии последовательно изготовляют области базы 4 р-типа и области эмиттера 5 /7+-типа. Для уменьшения емкости и повышения пробивного напряжения коллекторного р-п-перехода его изготовляют в слабо легированном слое 2 Сильное легирование пластин / необходимо для уменьшения сопротивления коллекторной области. Далее фотолитографией изготовляют контактные окна к областям эмиттера и базы в слое диоксида кремния 3, осаждают слой металлизации и фотолитографией получают рисунок металлизации, формируя электроды эмиттера 6 и базы 7. Затем пластину кремния разделяют на отдельные кристаллы. Металлизированный электрод коллектора 9 изготовляют обычно одновременно с монтажом кристалла пайкой в корпусе прибора.

маске практически невозможно изготовить щель шириной в несколько микрометров. Например, если для изготовления маски применить фотолитографию, то при последующем травлении будет растравливаться материал маски как в глубину, так и в ширину. Поэтому в контактной маске удается получить рисунок наносимой пленки. с размерами не менее толщины маски с погрешностью в несколько единиц микрометров. При последующем осаждении металла через такую маску трудно обеспечить плотное прилегание ее в пластине. При этом размеры наносимой пленки отличаются от размеров отверстий в маске. Поэтому метод свободной маски применяют для получения тонких. пленок с размерами в несколько десятков микрометров, когда требования к точности размеров не жесткие.

Эпитаксиальный слой представляет собой монокристаллическое продолжение основного материала, не имеет механических дефектов и напряжений. Скорость наращивания пленки невелика — несколько микрометров в час.

и истока составляет всего несколько микрометров. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (0,1 мкм) двуокиси кремния, являющейся хорошим диэлектриком. На слой диэлектрика нанесен металлический электрод — затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника.

Полуизолирующая подложка из компенсированного хромом или нелегированного арсенида галлия, обладающего высоким удельным сопротивлением (более 10е Ом-см), позволяет обеспечивать очень малые токи утечки переходов исток — подложка; сток — подложка и паразитные токи между соседними транзисторами микросхемы при малых (несколько микрометров) расстояниях между ними. Однако серьезной причиной, ограничивающей минимальные расстояния между транзисторами на кристалле и степень интеграции арсенид-галлиевых микросхем, создаваемых на полуизолирующей подложке, является паразитная связь между соседними элементами, "обусловленная эффектом поля в подложке.

В кремниевых цифровых БИС используются резистивные слои поликристаллического кремния толщиной 0,2 ... 0,3 мкм, сопротивление которых в зависимости от концентрации легирующих примесей изменяется в широких пределах вплоть до 10 МОм/D. Такие резисторы располагают над транзисторами, чтобы уменьшить площадь кристалла. Большое сопротивление резисторов уменьшается с ростом температуры с высоким Т КС «—1 %/°С. Технологический разброс также весьма велик (20 ... 30 %), однако это допустимо для ряда схем (см., например, § 9.1). Поликремниевый резистор малой длины (несколько микрометров) имеет нелинейную ВАХ, обусловленную тем, что между отдельными зернами поликремния (размером порядка 0,1 мкм) существуют потенциальные барьеры (высотой около 0,2 В), препятствующие прохождению электронов.

Припуск на обработку определяется глубиной нарушенного поверхностного слоя, образовавшегося на предыдущей операции обработки пластин полупроводника. Обычно припуск должен быть на несколько микрометров больше глубины нарушенного слоя ( 5.13). Припуск должен учитывать также отклонение формы пластин от заданной (см. 5.8). Припуск снимают чаще всего в два этапа черновой и чистовой обработки, что позволяет получать лучшее качество поверхности и формы пластин и меньшую глубину нарушенного поверхностного слоя.

ного поверхностного слоя и шероховатостью. Для удаления нарушенного слоя и получения поверхности с #г^: г?;2,5-10~2 мкм необходимо снять общий слой полупроводника, в 2—3 раза превышающий глубину нарушенного слоя на предыдущей операции шлифовки (см. табл. 5.1). Как видно из приведенных в ней данных, механическая полировка алмазной пастой, содержащей микропорошок субмикронной зернистости АСМ. 0,5, оставляет нарушенный слой глубиной в несколько микрометров, возрастающий с уменьшением твердости полупроводника, и неровно-Ности высотой (5—10)-10~2 мкм. Поэтому финишную полировку выполняют химико-механическим методом, оставляющим нарушенный слой минимальной глубины (см. табл. 8) и высоту неровностей менее 1 мкм.