Несколькими причинами

Радиальные схемы выполняют одноступенчатыми — при непосредственном питании электроприемников от ГПП или ЦРП ( 22.1, а) или двухступенчатыми — с применением промежуточных распределительных пунктов (РП) ( 22.1, б, г), трансформаторных подстанций ТП ( 22.1, в) и т. п.; магистральные схемы выполняют с одиночными магистралями, имеющими одностороннее ( 22.1, д) и двустороннее питание ( 22.1, е); с кольцевыми магистралями, имеющими одностороннее ( 22.1, ж) или двустороннее питание ( 22.1, з); с несколькими параллельными магистралями.

При проектировании машин дли уменьшения необходимого числа элементарных проводников выбиргют обмотку с несколькими параллельными ветвями [4].

Распределенные обмотки из круглого провода наматывают обмоточными проводами площадью поперечного сечения, не превышающей 2,5 мм2, так как при большем сечении не удается достичь удовлетворительного заполнения паза из-за возрастающей с диаметром упругости провода. В связи с этим обмотки с расчетной площадью поперечного сечения эффективного проводника, превышающей указанную цифру, наматывают не одним обмоточным проводом, а несколькими параллельными проводами одновременно. Такие проводники в отличие от параллельных ветвей в схеме обмотки (см. гл. 3) называют элементарными. Несколько элементарных проводников образуют один эффективный, площадь поперечного сечения которого

Конструкция плавких вставок. На защитную характеристику плавкой вставки существенно влияют ее форма и размеры. Вставки меньшей длины плавятся быстрее и имеют меньшую разрывную способность. Увеличение длины вставок повышает ток и время ее плавления. Вставки с несколькими параллельными ветвями уменьшают объем расплавленного металла, время плавления и гашения дуги. В некоторых типах предохранителей применяют вставки переменного сечения. Узкие места вставки нагреваются больше и быстрее, чем широкие. При номинальном токе это тепло отдается к менее нагретым широким частям вставки и контактам. При коротких замыканиях узкие части быстро нагреваются до температуры плавления, и вставка плавится одновременно во всех узких местах. При перегрузках вставка нагревается медленнее и расплавляется, чаще всего, в средней части в одном месте.

В графе Гс две вершины соединены ребром, если соответствующие им логические условия связанные. Если логические условия xi и Xj связаны неоднократно, то вершины графа Гс х{ и х, соединяем не несколькими параллельными, а одним ребром с указанием кратности. Число d, приписанное ребру, указывает его вес. Вес ребра может быть и меньше единицы в графах Гс для ГСА (размеченных основными метками), имеющих условную вершину Xj, неотмеченный вход которой соединен с выходами k условных вершин хц, ..., х^. В этом случае каждому ребру (х:„ хц), ..., (Xj, Xih) приписываем вес d=\/k, так как достаточно одной метки на ГСА, чтобы сделать все k пар условий несвязанными. Таким образом, ребрам (за исключением тех, для которых d=\) приписываем веса.

На большие токи (свыше 1000 А) рубильники выполняются с несколькими параллельными ножами. Такой способ блочного конструирования обладает тем достоинством, что требует отработки только одного блока. Набором соответствующего числа блоков компонуются рубильники на большие токи. При переменном токе следует учитывать, что вследствие эффекта близости ток между отдельными пластинами распределяется неравномерно. Номинальный ток рубильника растет при этом не пропорционально числу пластин, а медленнее. Например, при трех параллельных элементах каждый на 1000 А номинальный ток рубильника будет 2500 А.

Следовательно, для цепи с несколькими параллельными четырехполюсниками логично попытаться применить граф, содержащий наибольшее число подграфов типа у в сочетании с подграфами типов g к h. Комбинации типа уг в общем случае следует избегать, так как графы типов z и у при соединении образуют несколько контуров. По тем же причинам следует избегать комбинаций а и Ь, а также g и h.

В качестве вспомогательных неизвестных при расчете цепей методом узловых напряжений вводятся потенциалы узлов цепи относительно одного из них — опорного узла. Потенциал опорного узла ф0 считаем равным нулю (ф0 = 0). Потенциалы (или напряжения) остальных узлов относительно опорного обозначаем через Фх, ф2 и т. д. Предполагаем, что узлы могут быть связаны между собой и с опорным узлом несколькими параллельными ветвями и что в некоторых ветвях, сходящихся в одном узле, положительные направления токов совпадают с направлением к данному узлу, а в других ветвях той же группы положительные направления токов выбраны от того же узла.

При проектировании машин для уменьшения необходимого числа элементарных проводников выбирают обмотку с несколькими параллельными ветвями.

На большие токи (свыше 1000 А) рубильники выполняются с несколькими параллельными ножами. Такой способ блочного конструирования обладает тем достоинством, что требует отработки только одного блока. Набором соответствующего числа блоков компонуются рубильники на большие токи. При переменном токе следует учитывать, что вследствие эффекта близости ток между отдельными пластинами распределяется неравномерно. Номинальный ток рубильника растет при этом не пропорционально числу пластин, а медленнее. Например, при грех параллельных элементах каждый на 1000 А номинальный ток рубильника будет 2500 А.

На 4.33 изображен двухполюсник с несколькими параллельными ветвями. Каждая ветвь служит для реализации соответствующей составляющей свободного тока. Ветвь, обеспечивающая протекание принужденней составляющей тока, на этом рисунке не показана. Конечно, какая-то одна из ветвей двухполюсника может быть приспособлена путем соответствующего видоизменения так, чтобы обеспечить протекание принужденной составляющей тока.

Целесообразность использования при оптимизации режима характеристики относительных приростов расхода топлива на электростанциях, а не удельных расходов топлива, вызвана несколькими причинами. Анализируя формулу (4.1), можно увидеть, что электростанция, имеющая значительный расход топлива на холостой ход и небольшой относительный прирост расхода топлива, может иметь при низкой нагрузке удельный расход топлива больший, чем электростанция с более высоким относительным приростом и небольшим расходом топлива на холостой ход. Тем не менее, именно электростанцию с небольшим относительным приростом расхода топлива и большим удельным расходом топлива следует загружать в первую очередь, так как при увеличении ее нагрузки

При достижении критической величины обратного напряжения происходит пробой р-и-перехода с резким возрастанием величины обратного тока. Это возрастание может быть вызвано несколькими причинами, в связи с чем различают четыре вида пробоя: тепловой, поверхностный, лавинный и полевой.

На практике, однако, при расчете новых установок большей частью не представляется возможным воссоздать полную картину ожидаемого графика нагрузки. Это объясняется несколькими причинами: многообразием вероятных сочетаний из числа, мощности и режима работы электроприемников в группе, присоединяемой к той или иной линии в разного рода производствах, тем фактом, что переменный график нагрузки той или иной линии обычно не стабилен и меняет свою конфигурацию не только при переходе от смены к смене, но и в разные этапы производства, трудностью накопления и последующего отыскания статистических данных, которые бы позволили при проектировании воссоздавать полную картину большого множества вероятных графиков нагрузки.

Площадь, приходящаяся на один транзистор, в комплементарной структуре больше, чем в структуре на однотипных /i-канальных транзисторах. Это обусловлено несколькими причинами, в частности существованием карманов с выводами к ним. При формировании кармана примеси распространяются в боковом направлении на такое же расстояние, как и вглубь (3...4 мкм), вследствие чего увеличиваются его размеры. Расстояние между р-п переходом карман — подложка и р-п переходом ближайшего /г-канального транзистора (например, между областями 2 и 5 на 4.13) должно быть бйльше суммы толщин обедненных слоев этих переходов, чтобы не было замыкания областей 2 и 5. Так как подложка слабо легирована, то толщина обедненных слоев получается весьма большой (примерно 3 мкм при /Va
Идея микропрограммирования была высказана Уилк-сом еще в 1951 г., однако до недавнего времени этот принцип управления не находил широкого применения в вычислительных машинах. Объясняется это несколькими причинами. С одной стороны, не существовали достаточно надежные и дешевые быстродействующие ЗУ для хранения микропрограмм, с другой стороны, неправильно понимались задачи микропрограммирования и те выгоды, которые оно может принести. Предполагалось, что главная ценность микропрограммирования состоит в том, что каждый потребитель может сконструировать себе из микропрограмм тот набор команд, который наиболее выгоден для его конкретной задачи. Переход от одного набора команд к другому достигался бы путем простой замены информации в запоминающем устройстве без каких-либо физических переделок в аппаратуре. Однако в этом случае для того, чтобы полностью использовать предполагаемые преимущества микропрограммной машины, программист должен быть одновременно также. И- инженером-разработчиком аппаратуры, хорошо знающим различного рода тонкости работы вычислительной машины. Это противоречит основной тенденции развития вычислительной техники, состоящей в том, чтобы путем совершенствования средств математического обеспечения вычислительной машины, в частности путем использования методов автоматического программирования, освободить программиста от необходимости детально изучать устройство машины и в -максимальной степени приблизить язык программирования к языку человека. Поэтому потребители считали микропрограммные машины трудными для программирования и предпочитали обычные вычислительные машины с фиксированным набором команд и хорошим математическим обеспечением.

Ошибки, возникающие при решении, вызываются несколькими причинами.

Фактической называется емкость, которую источник тока отдает в режиме разряда, указанном техническими условиями. Эта величина обычно на 10 — 20% превышает величину гарантируемой емкости и в то же время на 5 — 60% ниже теоретической емкости. Например, марганцево-цинковый элемент № 336 имеет гарантированную емкость 1 , 1 5 А • ч, фактическую — 1 ,22 А • ч, теоретическую — 3,6 А -ч. В элементе в токообразующем процессе принимает участ-тие ие все имеющееся количество активных веществ. Это объясняется 'несколькими причинами:

Саморазряд положительных электродов, содержащих двуокись марганца, связан с несколькими причинами. Одна из причин само-

Идея микропрограммирования была высказана Унлк-сом еще в 1951 г., однако до недавнего времени этот принцип управления не находил широкого применения в вычислительных машинах. Объясняется это несколькими причинами. С одной стороны, не существовали достаточно надежные п дешевые быстродействующие ЗУ для хранения микропрограмм, с другой стороны, неправильно понимались задачи микропрограммирования и те выгоды, которые оно может принести. Предполагалось, что главная, ценность микропрограммирования состоит в том, что каждый потребитель может сконструировать себе из микропрограмм тот набор команд, который наиболее выгоден для его конкретной задачи. Переход от одного набора команд к другому достигался бы путем простой замены информации в запоминающем устройстве без каких-либо физически к переделок в аппаратуре. Однако в этом случае для того, чтобы полностью использовать предполагаемые .пре имущества микропрограммной машины, программист должен быть одновременно также и инженером-разработчиюэм аппаратуры, хорошо знающим различного рода топкости работы вычислительной машины. Это противоречи" основной тенденции развития вычислительной техники, состоящей в том, чтобы путем совершенствования средств математического обеспечения вычислительной машины, в частности путем использования методов автоматического программирования, освободить программиста от необходимости детально изучать устройство машины г, в максимальной степени приблизить язык программирования к языку человека. Поэтому потребители считали микропрограммные машины трудными для программирования и предпочитали обычные вычислительные манпны с фиксированным набором команд и хорошим математическим обеспечением.

Возникновение напряжения шумов на выходе усилителя при отсутствии входного сигнала (Um на 6.2, в) объясняется несколькими причинами:

Большинство транзисторов, в том числе и эпитаксиально-планарные (см. 4.4), несимметричны: а/<а. Это неравенство объясняется несколькими причинами. Концентрация доноров в коллекторе мала (WgK