Нескольких миллиметров

Обращенные диоды представляют собой разновидность туннельных диодов, у которых ток пика /п=0 ( 1.17, кривая 2). Если к обращенному диоду приложить прямое напряжение i/np^0,3 В, то ток диода /пр«0. В то же время даже при небольшом обратном напряжении (порядка десятков милливольт) обратный ток достигает нескольких миллиампер. Таким образом, обращенные диоды обладают вентильными свойствами при малых напряжениях именно в той области, где выпрямительные диоды обычно вентильными свойствами не обладают. При этом направлением наибольшей проводимости является направление, соответствующее обратному току.

и достигает 10"—107. При таком коэффициенте усиления анодный ток фотоумножителя мог бы быть равен нескольким амперам. В действительности он не превышает нескольких миллиампер. Это объясняется в основном тем, что поток вторичных электронов ограничивается отрицательным объемным зарядом электронов вблизи динодов. В связи с этим реальный коэффициент усиления значительно меньше расчетного. Энергетическая характеристика фототока фотоэлектронного умножителя линейна в широком диапазоне изменений светового потока.

Основными параметрами тиристоров являются: 1) напряжение включения ивкл — прямое анодное напряжение, при котором тиристор переходит из закрытого в открытое состояние при /У1 = 0. Для разных типов тиристоров ?/ВКл=Ю—2500 В; 2) ток включения /вкл •—значение прямого анодного тока, выше которого тиристор переключается в открытое состояние при /yi = 0; 3) отпирающий ток управления /у. вкл— наименьший ток в цепи управляющего электрода, который обеспечивает переключение тиристора при данном напряжении на тиристоре; 4) максимально допустимый ток /„ртах — максимальное значение тока в открытом состоянии, при котором обеспечивается заданная надежность тиристора. Для тиристоров разных типов /пртах = = 40 мА-ьЮОО А; 5) остаточное напряжение (Упр — значение напряжения па тиристоре при прохождении через него тока /пртах. Остаточное напряжение обычно не превышает 2 В; 6) ток выключения /ВЫкл — значение прямого тока при /yi = 0, ниже которого тиристор выключается. В зависимости от типа тиристора /выкл может быть от нескольких миллиампер до нескольких десятых долей ампера.

льная полуволна напряжения, то при подаче импульса напряжения на управляющий электрод ему сообщается положительный потенциал и запирающий слой п-р' перехода перестает оказывать противодействие прохождению тока; при этом КУВ открывается, для чего требуется ток управления порядка нескольких миллиампер и напряжение до

В. а. х. полевого транзистора с управляющим /?-п-переходом и каналом /о-типа показаны на 3.43. Характеристики получены в схеме с общим истоком, когда исток заземлен, на сток подано отрицательное напряжение и0, на затвор — положительное напряжение и3. На 3.43, а показана стоковая характеристика прибора. При и3 = 0 через сток протекает наибольший ток ic = /м. Ток /„ называют масштабным током, его значение имеет порядок нескольких миллиампер. При напряжении и3 = еа ток стока i0 падает до нуля. Напряжение е0 называют напряжением запирания транзистора. При «з ^> ео ток стока исчезающе мал ( 3.43, б), а сопротивление между истоком и стоком велико (порядка 109 Ом). Для транзисторов с каналом р-типа е0 — (1-т- 8) В.

порядок нескольких миллиампер (выпускаются диоды с 1р = 2,5, 10 мА); lv «* «* 0,2/,,; Uv » 0,6 4- 0,7 В; Un » 1 В.

увеличивается, в результате чего увеличивается ток базы и коллекторный ток и рабочая точка плавно перемещается из положения А и А' соответственно в положение С и С'. В положительные полупериоды напряжение сигнала, складываясь с отрицательным напряжением смещения, снижает напряжение смещения базы, поэтому токи базы и коллектора уменьшаются, а рабочая точка плавно перемещается в положение В и В'. На выходной характеристике соответственно С" и В". Токи ('Б и i'K изменяются в фазе с изменениями мгновенного значения суммарного напряжения (УОБ + "с- В цепи источник э. д. с. смещения — коллекторный переход проходит пульсирующий ток, состоящий из постоянной /ок и переменной i'K составляющих тока такой же формы, как и входной сигнал. Переменная составляющая тока создаст на резисторе RK падение напряжения, амплитуда которого U &кт равна амплитуде выходного сигнала Usmm. При этом напряжение на резисторе изменяется синфазно, а выходное напряжение находится в противофазе с напряжением сигнала ( 18. 10, в). При большом сопротивлении RK амплитуда выходного сигнала Uemm значительно больше амплитуды напряжения сигнала Ucm (напряжение сигнала порядка десятка милливольт, ток — десятка микроампер, а выходное напряжение порядка нескольких вольт, ток — нескольких миллиампер). Таким образом, в приборе происходит усиление как напряжения, так и тока сигнала, а следовательно, и мощности.

мителей, описанных в § 5.3, с использованием высоковольтных диодов (электронных или полупроводниковых). Ток делителя /д обычно имеет величину порядка нескольких миллиампер, а ток третьего анода — порядка десятков микроампер. Следовательно, такие выпрямители будут сравнительно маломощными. В этом случае фильтрацию выпрямленного напряжения можно обеспечить довольно просто, применив в качестве фильтра интегрирующую С-Я-цепь (см. гл. 2). Однако при выборе параметров такого фильтра необходимо учитывать, что сколь-нибудь заметная пульсация напряжения U будет вызывать изменение чувствительности по отклонению (в первую очередь) и дефокусировку луча. Изменение чувствителйности не будет практически сказываться нл качестве изображения, если смещение луча на экране трубки за счет пульсации выпрямленного напряжения не превышает диаметра светового пятна.

Влияние внутриламповых шумов. При изучении электронных ламп различных типов мы считали, что если напряжение накала поддерживается неизменным, а электроды лампы питаются высокостабильныыи источниками постоянных напряжений, то анодный ток лампы во времени остается постоянным. В действительности же в результате ряда причин число электронов, приходящих на анод в единицу времени, колеблется вокруг некоторого среднего значения. Эти отклонения, называемые электрическими флуктуациями, очень невелики по сравнению со средним значением тока. Так, например, в приемно-усилительных лампах, среднее значение анодного тока которых измеряется десятком миллиампер, флуктуации составляют приблизительно одну десятимиллионную долю от тока /а. ср. Однако если электронная лампа с такой величиной флуктуации служит первой ступенью многолампового усилителя с большим коэффициентом усиления, то флуктуации на выходе этого усилителя, могут достигнуть нескольких миллиампер, что вызовет появление заметного флуктуационного напряжения на анодной нагрузке.

Влияние внутриламповых шумов. При изучении электронных ламп различных типов мы считали, что если напряжение накала поддерживается неизменным, а электроды лампы питаются высокостабильныыи источниками постоянных напряжений, то анодный ток лампы во времени остается постоянным. В действительности же в результате ряда причин число электронов, приходящих на анод в единицу времени, колеблется вокруг некоторого среднего значения. Эти отклонения, называемые электрическими флуктуациями, очень невелики по сравнению со средним значением тока. Так, например, в приемно-усилительных лампах, среднее значение анодного тока которых измеряется десятком миллиампер, флуктуации составляют приблизительно одну десятимиллионную долю от тока /а. ср. Однако если электронная лампа с такой величиной флуктуации служит первой ступенью многолампового усилителя с большим коэффициентом усиления, то флуктуации на выходе этого усилителя, могут достигнуть нескольких миллиампер, что вызовет появление заметного флуктуационного напряжения на анодной нагрузке.

В.а.х. полевого транзистора с управляющим р-п-переходом и каналом р-типа показаны на 3.41. Характеристики получены в схеме с общим истоком, когда исток заземлен, на сток подано отрицательное напряжение ис, на затвор — положительное напряжение и3. На 3.41, а показана стоковая характеристика прибора. При иэ = 0 через сток протекает наибольший ток гс=/м. Ток /м называют масштабным током, его значение имеет порядок нескольких миллиампер. При напряжении и3 = е0 ток стока tc падает до- нуля. Напряжение е0 называют напряжением запирания транзистора. При иа^е0 ток стока исчезающе мал ( 3.41, б), а

В наиболее тяжелых условиях при эксплуатации находится корпусная изоляция пазовых частей катушек обмотки. Ограниченные размеры паза приводят к необходимости выполнения пазовой изоляции в виде тонкого и механически прочного слоя, отвечающего всем перечисленным выше требованиям к изоляции электрических машин, т.е. электрической и механической прочности, теплопроводности и др. Современные электроизоляционные материалы позволяют выполнить пазовую изоляцию машин с номинальным напряжением до 660 В толщиной, не превышающей нескольких десятых долей миллиметра на сторону, а машин высокого номинального напряжения толщиной, не превышающей нескольких миллиметров на сторону.

Диффузионная длина определяется коэффициентом диффузии и временем жизни неосновных носителей заряда; она зависит от уровня легирования полупроводника и для различных полупроводниковых материалов находится в пределах от 10~5 см до нескольких миллиметров.

Описанный метод используют для измерений диффузионной длины носителей заряда для германия, которая в данном случае достаточно велика. Кроме того, легко образуются запирающие слои на прижимных металлических контактах. Подобные измерения на кремнии затруднены из-за высокой скорости повер>ностной рекомбинации носителей заряда, высокого уровня шумои, нелинейности ВАХ коллекторного контакта и возникновения инверсных поверхностных слоев. При выполнении измерений на германии с электронной электропроводностью используют вольфрамовье зонды, а для германия с дырочной электропроводностью — сплаз на основе серебра. Для уменьшения скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда перед измерениями поверхность образца тщательно шлифуют и подвергают химической обработке в соответствующем травителе. Метод позволяет измерять диффузионн>ю длину в пределах от 0,1 до нескольких миллиметров с погрешностью 15—20%. При измерении малых диффузионных длин в узкозонных полупроводниках А3В5 регистрация неосновных носителей заряда осу-

Методика Р. Рюденберга дает завышенное значение магнитного сопротивления воздушного зазора, так как исходные положения этой методики неверны. Экспериментальные исследования показывают, что распределение индукции в воздушном зазоре под массивным полюсом хотя и неравномерно, но в значительно меньшей степени, чем это предположил Р. Рюденберг. Установлено также, что глубина проникновения магнитного потока Д почти не зависит от размера воздушного зазора уже на расстоянии нескольких миллиметров от зазора.

нитного сопротивления на пути магнитного потока, пронизываю-щего обе части машины. Наименьший зазор, допустимый по техно-гическим требованиям, составляет от десятых долей миллиметра нескольких миллиметров в зависимости от мощности и габаритов машины. Проводники обмотки ротора располагают в пазах вдоль образующих ротора непосредственно у его поверхности с тем, чтобы обеспечить наибольшую связь обмотки ротора с вращающимся полем.

Плунжерные преобразователи обладают, как правило, линейными характеристиками и обеспечивают преобразование перемещений от нескольких миллиметров до нескольких десятков сантиметров.

Индукционными расходомерг.ми можно производить измерения как в трубопроводах, так и в открытых руслах. Диаметр трубопроводов может быть от нескольких миллиметров до 1,5—2 м, а расход — от 3-10~8 до 3 м3/сек. Рабочий диапазон достигает 10; погрешность находится в пределах 1,0—2,5%.

г) Трансформаторы с принудительной циркуляцией масла. Скорость, с которой происходит естественная циркуляция масла, весьма невелика — порядка нескольких миллиметров в секунду. Исследование вопроса показывает, что если мы увеличим скорость циркуляции масла в т раз, то мощность трансформатора при тех же превышениях температуры обмотки возрастет в -\f т раз. Если, например, т = 3, то мощность трансформатора увеличивается примерно на 30%. Чрезмерное увеличение скорости циркуляции масла неприемлемо, так как это сопряжено с большими потерями энергии в насосной установке.

током частотой 1,76 МГц. Формообразователь представляет собой фильеру, изготовленную из кварцевой пластины. Выращивание профилей проводят на воздухе со скоростями, доходящими до 75 мм/мин. Профили термообрабатывают на воздухе при температуре около 500 °С для образования в них термодоноров, снижающих удельное сопротивление кремния (см. § 5), с последующим охлаждением на воздухе. Полученные в таких условиях стержни и ленты имеют удельное сопротивление 0,08—0,12 Ом-см и предел прочности на изгиб 300—320 МПа. При скоростях вытягивания около 20 мм/мин они имеют поликристаллическую структуру с зернами, вытянутыми в направлении вытягивания, до нескольких миллиметров. В структуре наблюдаются также случайно расположенные двойниковые границы. На поверхности стержней и лент имеются поперечные периодические полосы, аналогичные полосам на поверхности объемных кристаллов и имеющие то же происхождение.

Плунжерные преобразователи обладают, как правило, линейными характеристиками и обеспечивают преобразование перемещений от нескольких миллиметров до нескольких десятков сантиметров.

лучения прочных и жестких, но легких по массе деталей толщиной от 0,005 до Ю мм и габаритами от нескольких миллиметров до нескольких метров; достаточная точность получаемых размеров деталей, допускающая их взаимозаменяемость, высокая производительность процесса, обеспечивающая низкую стоимость изготовления: сравнительно небольшие отходы материала при правильном построении технологического процесса и раскрое листового материала; благоприятные условия для автоматизации и роботизации технологических операций.