Нескольких микрометров

Технический прогресс в самых различных отраслях промышленности связан с непрерывно усложняющейся технологией производства, с повышением требований к точности изготовления изделий и их качеству при все более сложном процессе их обработки. Вместе с тем растет объем производства, что выдвигает требование повышения производительности машин за счет увеличения как их мощности, так и скорости обработки изделий. Поскольку подавляющее большинство производственных машин .оснащается электрическими приводами, возрастание требований к этим машинам ведет к ужесточению требований к электроприводу, на который возлагается задача осуществления сложных перемещений рабочих органов механизма. В процессе реализации этих перемещений возникает необходимость разгона, торможения, реверса электропривода, поддержания постоянства регулируемой величины (координаты), изменения ее по определенному закону и т.. д. Механизм может быть оборудован несколькими электроприводами, каждый со своими собственными системами управления. Может возникнуть необходимость согласованного управления электроприводами нескольких механизмов, каждый из которых имеет свою систему управления.

Если п0 и Ui известны, то концентрацию доноров и акцепторов можно найти из уравнений (2.36) и (2.37). Концентрацию носителей заряда вычисляют по ЭДС Холла при определенной температуре (например, лри температуре кипения жидкого азота 77 К), а концентрацию ионов примесей-*- по значению холловской подвижности носителей заряда при той же температуре. Однако на практике такой способ не распространен вследствие сложности теоретических расчетов, возникающих при учете одновременного действия нескольких механизмов рассеяния.

ключить синфазность в положении кривошипов нескольких механизмов поршневых компрессоров, наличие которой может вызвать колебания в напряжении питающей сети.

Наличие на поверхности пластины посторонних частиц или нарушение структуры могут привести к неравномерному распределению примесей, IK образованию р-я-переходов с изменяющейся глубиной залегания, а в транзисторных структурах —к неравномерности толщины базы и изменению свойств транзисторов. В зависимости от структуры сановного полупроводника различают несколько механизмов диффузии: движение вакансий, обменный .и междоузельяый механизмы. Обычно диффузия осуществляется с помощью нескольких механизмов, 'но один из них является преобладающим.

дартными наборами по 1 или 2 кодам с последующим уточнением этих наблюдений. Во-вторых, можно принять решение о прекращении экспертного анализа на первом этапе при несовпадении 1 или 2 кодов, если эти наблюдения для данной причины несущественны. В-третьих, коды наблюдений для каждой причины в Рекомендациях... разбиты на приоритеты, однако сопоставление набора кодов отказа со стандартными наборами проводится по второму приоритету, включающему в себя расширенный круг наблюдений и идентифицирующий причину отказа даже в тех случаях, когда имеются внешние признаки нескольких механизмов разрушения труб.

сях, пропорциональна Г3/2 для проводников с невырожденным газом и не зависит от Т для проводников с вырожденным газом. При одновременном действии нескольких механизмов рассеяния подвижность можно найти из следующих соображений. Величина w = 1/т представляет собой среднее число столкновений электрона за единицу времени. При одновременном действии нескольких независимых механизмов рассеяния полное число столкновений за единицу времени равно сумме чисел столкновений, обусловленных разными механизмами рассеяния: электрон-фононным доф, электрон-примесным wa и т. д.

9.2.2. Механизмы выхода активности. Резонно допустить существование нескольких механизмов выхода активности, для которых можно получить полуколичественные оценки:

Как известно, в общем случае процесс зарождения скоплений точечных дефектов в твердом теле в условиях облучения можно объяснить с помощью нескольких механизмов [26, 26]: 1) гомогенное зарождение при случайной встрече двух и более диффундирующих одинаковых точечных дефектов; 2) гетерогенное зарождение

Теплопроводность пористых керамических материалов отличается от теплопроводности плотных, компактных тел и является результатом нескольких механизмов переноса теплоты, накладывающихся друг на

В литературе можно встретить описание нескольких механизмов роста.

Система управления краном реализует следующие алгоритмы работы: управление подъемным и замыкающим приводом крана, управление стрелой, управление поворотом, управление передвижением крана, управление рельсовыми захватами, одновременная работа нескольких механизмов, аварийный режим.

Частотный диапазон применения различных групп магнитомягких материалов в значительной степени определяется величиной их удельного электрического сопротивления. Чем оно больше, тем на более высоких частотах можно использовать материал. Это объясняется тем, что при малых значениях удельного сопротивления с повышением частоты могут недопустимо возрасти вихревые токи, и следовательно, потери на перемагничивание. В постоянных и низкочастотных (до сотен герц и единиц килогерц) полях применяют металлические магнитомягкие материалы: технически чистое железо (низкоуглёродистые электротехнические стали), электротехнические (кремнистые) стали и пермаллои — железоникелевые и железоникелькобальтовые сплавы. На повышенных и высоких частотах используют в основном материалы, удельное сопротивление которых соответствует значениям, характерным для полупроводников и диэлектриков. К таким материалам относятся магнитомягкие ферриты и магнитодиэлектрики. Иногда на повышенных частотах и особенно при работе в импульсном режиме применяют также металлические материалы тонкого проката (до нескольких микрометров).

В табл. 8.1 приведены параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов, из которой видно, что эти материалы имеют домены с диаметрами порядка нескольких микрометров, что позволяет получить плотность размещения информации 105—10е бит/см2 и даже выше. Однако подвижность доменных границ этой группы материалов ниже, чем у ортоферритов.

Вторая схема свободна от недостатков первой: здесь реализуются ширина линий и расстояние между ними порядка нескольких микрометров. Однако существенные трудности возникают в процессе травления диэлектрика.

Технология изготовления ленточных магнитопроводов. Ленточный магнитопровод представляет собой конструкцию в виде спирали, полученную навивкой ленты из магнитного материала на рп-равку. Основными достоинствами ленточных магнитопроводов по сравнению с пластинчатыми являются: а) более полное использование магнитных свойств материала благодаря прохождению магнитного потока только в направлении прокатки; б) отсутствие отходов дорогостоящих материалов; в) малые потери на вихревые токи вследствие применения лент толщиной до нескольких микрометров; г) небольшие масса и размеры; д) низкая трудоемкость изготовления; е) широкие возможности для механизации и автоматизации производства.

В настоящее время изготовляются полупроводниковые ИС, в которых размеры транзисторов не превышают нескольких микрометров [71]. Основным ограничением на размеры элементов, налагаемым технологическими причинами, является разрешающая способность (минимальная ширина элементов) фотолитографии. Раз-решающяя способность определяется дифракцией цветовых волн и составляет 0,5 ... 1 мкм. Электроннолучевая литогр афия позволит

лишенный подвижных носителей заряда и поэтому обладающий высоким электрическим сопротивлением,— так называемый запирающий слой ( 1.1,6). Толщина запирающего слоя обычно не превышает нескольких микрометров.

Волновод представляет собой полоску материала с показателем преломления, большим показателя преломления окружающего материала, ее толщина может быть от долей до нескольких микрометров, ширина — от единиц до сотен микрометров. Коэффициент затухания в волноводе составляет доли децибела на сантиметр.

Пленочными называют схемы, нанесенные в виде тонких пленок на изоляционную подложку из стекла или керамики. Термин «тонкие пленки» относится к проводящим, полупроводниковым и непроводящим покрытиям толщиной до нескольких микрометров. В зависимости от назначения тонких пленок и от материала тонкопленочного покрытия применяют методы вакуумного напыления, катодного распыления, электролиза, фотохимического покрытия, печатного, диффузионного, термического окисления и др. В состав пленочных схем входят как пассивные элементы — резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, так и активные элементы — диоды, транзисторы, тиристоры. Для изготовления тонкопленочных резисторов применяют металлы и сплавы металлов с высоким удельным сопротивлением: нихром, никель, тантал. Изменяя площадь тонкопленочного резистора и соотношение его сторон, можно при неизменной толщине пленки получить сопротивление от десятков ом до нескольких килоом с точностью ±2%. Материалом для обкладок конденсаторов в тонкопленочном исполнении служит алюминий или медь, в качестве диэлектрика применяют микропленки из фтористого магния, имеющие диэлектрическую проницаемость около 6,5 при пробивном напряжении ~2-10" в/см.

Структура МОП-транзистора с индуцированным каналом п-типа показана на 55, э. На подложке р-типа (пластине кремния) / ионным легированием фосфора через оксидную маску 2 и последующей диффузией получают две близко расположенные (на расстоянии нескольких микрометров) друг к другу л+ -области истока 4 и стока 8. На поверхности подложки между этими областями формируют слой тонкого (сотые доли микрометра) подзатворного диэлектрика (оксида кремния), на котором изготовляют металлический (или из сильно легированного поликристаллического кремния) электрод-затвор. Внеш-

В видимой области спектра коэффициент отражения света от границы эпитаксиального слоя с подложкой настолько мал, что интерференционная картина для гомоэпитак:иальных структур не наблюдается. Однако для широкого класса структур с диэлектрической подложкой интерференция в видимо? области спектра находит применение. Среди них структуры поликристаллический кремний — диэлектрик — кремний, кремний ьа сапфире, эпитакси-альные структуры феррит-гранатов. Поскольку видимая область спектра лежит в области собственного поглсщения полупроводника, при расчетах необходимо учитывать спек-ральную зависимость показателя преломления эпитаксиального слоя. Формула (6.43) справедлива и в этом случае, с той лишь разницей, что сдвиг фазы волны при отражении от оптически менее плотной среды не происходит и 6 = 0. С помощью интерференции в видимой области спектра измеряют толщину эпитаксиальных слоев гетероструктур от 0,2 мкм до нескольких микрометров.

Транзистор (полупроводниковый триод) представляет собой электронный прибор, основанный на взаимодействии двух расположенных близко друг от друга (на расстоянии нескольких микрометров) электронно-дырочных р-п-переходов.