Неравномерным распределением

Фоторезист — это пленкообразующий материал, растворимость которого изменяется под воздей* ствием света. Различают позитивные и негативные фоторезисты. Позитивный фоторезист под воздействием света становится растворимым, а негативный, наоборот, в результате фотополимеризации переходит в нерастворимое состояние.

Для процессов шестой группы характерны процессы рекристаллизации при нагреве листовых и пленочных термопластичных материалов перед формообразованием и пластические деформации растяжения при формообразовании. Типовые процессы для седьмой, восьмой и девятой групп формообразования деталей из реактопластов позволяют изготавливать детали из композиционных порошковых пресс-материалов или из отдельных компонентов (жидких полимеров, наполнителей, армирующих материалов). Во всех типовых процессах седьмой группы (см. 9.3) формообразование деталей сопровождается течением пресс-материала, находящегося В ВЯЗКОТбКуЧбМ состоянии, и химической реакцией отверждения связующего компонента, которая переводит исходный материал в неплавкое и нерастворимое состояние.

или крезола (СН3-С6Н4-СН) с формальдегидом (СН2О) при воздействии тепла в присутствии щелочного катализатора, например аммиака, получается олигомер, называемый резольной смолой, термореактивной, обладающей большой скоростью перехода в неплавкое и нерастворимое состояние при сравнительно невысокой температуре. Скорость отверждения (переход в неплавкое состояние) фенол-фор мальдегидной смолы в зависимости от температуры показана на 3-16. В исходной смоле остаются непрореагировавший свободный фенол (крезол), остатки воды, катализатор. Поэтому в исходном состоянии — в стадии А

До отверждения эпоксиды являются олигомерами в виде или вязких жидкостей, или твердых веществ с низкой температурой плавления (в зависимости от способа получения). Эти олигомеры при наличии в молекулах двух и более эпоксидных групп в смеси с некоторыми соединениями — отвер-дителями отверждаются, переходят в твердое неплавкое и нерастворимое состояние. Эпоксиды — полярные диэлектрики. Существует несколько разновидностей эпоксидных олигомеров. Рассмотрим важнейшие из них. Диановые смолы получают путем взаимодействия эпихлоргидрина и дифени-

Термореактивные полимеры получают из полимеров, которые при нагревании или при комнатной температуре вследствие образования пространственной сетки из макромолекул (отверждения) переходят в неплавкое и нерастворимое состояние. Этот процесс является необратимым.

Щ 6 л л а к представляет собой продукт жизнедеятельности некоторых насекомых на ветвях тропических деревьев. Он хорошо растворим в спирте, почти нерастворим в бензине и бензоле, плавится при 80 °С, при длительном нагревании переходит в неплавное и нерастворимое состояние. По диэлектрическим свойствам шеллак относится к слабополярным диэлектрикам. Шеллак применяется в электротехнике главным образом в виде спиртового раствора для изготовления клеящих лаков, для слюдяной изоляции, а также для лакировки деталей.

переходят в 'Нерастворимое состояние и создают после проявления защитные участки, соответствующие прозрачным участкам фотошаблона (негативное изображение рисунка фотошаблона). В позитивных фоторезистах освещенные учаеши изменяют свои свойства так, что могут быть удалены с помощью соответствующих растворов. Незасвеченные участки при этом сохраняются, повторяя рисунок фотошаблона (позитивное изображение). К преимуществам позитивных фоторезистов по сравнению с негативными относятся:

переходят в 'Нерастворимое состояние и создают после проявления защитные участки, соответствующие прозрачным участкам фотошаблона (негативное изображение рисунка фотошаблона). В позитивных фоторезистах освещенные учаеши изменяют свои свойства так, что могут быть удалены с помощью соответствующих растворов. Незасвеченные участки при этом сохраняются, повторяя рисунок фотошаблона (позитивное изображение). К преимуществам позитивных фоторезистов по сравнению с негативными относятся:

Мочевино-формальдегидные смолы получаются в результате конденсации мочевины с формальдегидом в -присутствии оснований или щелочей. Отличаясь термореактивностью и способностью переходить при нагревании в твердое, неплавкое и нерастворимое состояние, они подобно резолам могут быть использованы для получения различных изделий, не уступающих по механическим и электроизолирующим свойствам бакелитовым смолам.

Термореактивные пластмассы (реактопласты) под влиянием температуры и давления плавятся и заполняют форму, а при дальнейшем нагревании претерпевают химические превращения и переходят в неплавкое и нерастворимое состояние, сохраняя полученную форму. Термореактивные пластмассы не могут быть подвергнуты вторичной переработке. Из пресс-формы их удаляют в горячем состоянии.

придающие пластмассе определенную окраску, и другие добавки. Особенности технологии изготовления изделий из пластмасс в основном определяются связующим. В зависимости от вида связующего различают пластмассы горячей прессовки, требующие при прессовке нагрева, и пластмассы холодной прессовки, которые прессуются при нормальной температуре. Большинство электроизоляционных пластмасс с органическим связующим требует горячего прессования, эти пластмассы разделяются на термопластичные (термопласты) и термореактивные (реактопласты) (§ 6-5). Связующие термопластичных масс горячего прессования сохраняют способность к повторному размягчению и растворению в тех или иных растворителях. Связующие в термореактивных пластмассах после воздействия нагрева во время прессования (или при последующей тепловой обработке) переходят в неплавкое и нерастворимое состояние. К термопластам принадлежат пластмассы на основе поливиниловых и полиамидных смол, зфиров целлюлозы и пр., а к реакто-пластам —пластмассы на основе фенолформальдегидных, карба-мидных и других термореактивных смол.

стью к>(!).Д = Д можно оценивать частость, с которой на этом участке появляются числа в последовательности случайных чисел с равномерным распределением. Для неравномерного распределения (кривая 2) эта частость на том же участке будет пропорциональна а>!(г)/Д. Следовательно, чтобы получить последовательность чисел с неравномерным распределением, можно взять последовательность чисел с равномерным распределением и снизить в ней частость появления чисел, сделав ее пропорциональной o>i(i). Это можно выполнить, сохранив на каждом участке лишь часть чисел, равную ffi)i(). Остальные числа должны быть отброшены. Таким образом, o>i() определяет вероятность, с которой число, взятое из последовательности чисел с равномерным распределением, должно быть использовано для формирования числа с заданным распределением. Для решения вопроса, должно ли случайное число ( быть использовано или оно должно быть отброшено, выбирается из последовательности чисел с равномерным распределением другое число т]{ и проверяется

Диффузионный метод изготовления транзисторов и его разновидности основаны на различии скоростей диффузии донорных и акцепторных примесей в исходный кристалл полупроводника. Например, при одинаковых условиях скорость диффузии сурьмы почти в 10 раз выше, чем галлия. К достоинствам этих методов относится возможность изготовления дрейфовых транзисторов с неравномерным распределением концентрации примесей в базе. Область применения диффузионных транзисторов ограничена низковольтными устройствами высокой и сверхвысокой частоты.

Соотношения Эйнштейна. Рассмотрим полупроводник, например n-типа, с неравномерным распределением атомов донорнои примеси вдоль его длины (по оси х). Зависимость

Особенности проверки каскадных ТН. Для уменьшения размеров и массы однофазные ТН НО кВ и выше выполняют по каскадной схеме, представляющей собой несколько трансформаторов с последовательно соединенными первичными обмотками. Трансформаторы 110 кВ выполняются в виде фарфорового блока, трансформаторы более высокого напряжения состоят из нескольких блоков ( 9.5). Для равномерного распределения мощности по всем ступеням в трансформаторах используются выравнивающие обмотки Я (для выравнивания мощности в первичной обмотке одного магнитопровода и уменьшения ЭДС рассеивания, вызванной неравномерным распределением обмоток по магни-топроводу) и связующие обмотки Р (для передачи мощности с обмоток одного магнитопровода на обмотки другого).

Время перехода транзистора из состояния «1» в «О» равно сумме времени рассасывания tp и длительности спада tc. ?'° = ?р + ?с. В цифровых устройствах принято использовать понятие среднего времени задержки сигнала при прохождении через ключ: ;3 ср = (?01 + /10)/2. Очевидно, для реализации высокого быстродействия в качестве ключевых транзисторов необходимо использовать специальные транзисторы: с малыми междуэлектродными емкостями; малой толщиной базы и, следовательно, малым сопротивлением базовой области; неравномерным распределением примесей в базе с целью создания дополнительного ускоряющего поля для неосновных носителей.

В этом случае ускоряющее поле в базе, созданное неравномерным распределением примесей, исчезает, а диффузионная и дрейфовая составляющие электронного тока становятся примерно одинаковыми. Формула для определения коэффициента переноса при этом совпадает с его выражением для бездрейфового транзистора:

Добавочные потери. Добавочные потери Рд вызываются неравномерным распределением тока по сечению проводника и потока в сердечнике магнитопровода. Некоторые виды добавочных потерь появляются при отсутствии нагрузки, другие — только при нагрузке. Добавочные потери делятся на потери в электрических проводниках и потери в стали. В электрических проводниках они вызываются вытеснением переменного тока в поверхностные участки. С достаточной точностью можно считать, что основные и добавочные электрические потери в проводниках пропорциональны квадрату тока.

Причины искрения могут быть связаны как с коммутацией, так и с неравномерным распределением напряжения между коллекторными пластинами. На основании выражения (1.2, а) можно считать, что распределение напряжения по коллекторным пластинам соответствует в определенном масштабе распределению индукции В в воздушном зазоре. Кривая 1 ( XIП.8, а) показывает распределение индукции В при холостом ходе и при нагрузке ( XIII.8, б). Кривая 2 распределения напряжения между коллекторными пластинами имеет ступенчатый характер, средняя линия которой пропорциональна кривой / индукции В. Ординаты ступенчатой кривой 2 определяют разность напряжения между соседними коллекторными пластинами. Сравнивая рисунки, видим, что разность напряжения между различными пластинами неодинакова И становится особенно неравномерной при нагрузке вследствие поперечной реакции якоря. Коммутация проходит благоприятно в случае, если наибольшая величина разности напряжения I/нб (см. XIII.8, б) не превышает некоторого значения, состав-

Решение. В катушке, включенной на постоянное напряжение, проходит постоянный ток. Магнитный поток, вызванный этим током, не; изменяется, поэтому в сердечнике не индуктируются вихревые токи и не происходит перемагничивания. Если пренебречь незначительным (при частоте 50 гц) поверхностным эффектом (неравномерным распределением тока по сечению провода обмотки), то активное сопротивление можно считать равным сопротивлению при постоянном токе

Добавочные потери в витках обмоток трансформатора при нормальной нагрузке и механические силы в отдельных витках или группах витков обмоток при коротком замыкании в пределах одной обмотки существенно зависят от распределения индукции псля рассеяния в пространстве, занимаемом обмотками. Поскольку обмотки трансформатора имеют конечные осевые размеры и м. д. с. могут неравномерно распределяться по сечению обмоток, приходится считаться с неравномерным распределением индукции и возникновением в зоне расположения обмоток значительного поперечного поля.

Четвертая диффузия, проводимая без маски, обеспечивает формирование тонкого р-слоя по всей поверхности пластины. Этот слой служит базой для транзисторных структур и проводящим слоем для резисторов (сопротивление последних определяется удельной проводимостью р-слоя и размерами областей, формы которых вырисовываются при диффузии п+ -примесей). На пятом, заключительном этапе проводится неглубокая диффузия примеси «-типа в р-слой, с помощью которой создается эмиттер транзистора. При этом поверхностный р-слой оттесняется в глубь эпитаксиального р-слоя, образуя активную область базы с неравномерным распределением примесей, благодаря чему в базе возникает встроенное электрическое поле, способствующее повышению быстродействия транзистора.