Непроводящем направлении

тральных схемах число p-n-переходов на кристалл непрерывно увеличивается, поэтому отношение стоимость/ /плотность монтажа остается примерно постоянным. На 4.11 [38] дано: / — количество элементов, приходящееся на один кристалл; 2 — дискретные элементы;

Количество выпускаемых в Советском Союзе микродвигателей непрерывно увеличивается. В настоящее время их производство составляет несколько десятков миллионов штук в год.

Если в процессе роста монокристалла градиенты температуры в расплаве не изменяются, то размер переохлажденной области в нем, а следовательно, и размер монокристалла сохраняются постоянными. Однако при изменении тепловых условий процесса роста монокристалла, в частности подводимой к нагревателю мощности, уменьшения объема и понижения уровня расплава в тигле, усиления теплоотвода через растущий монокристалл, поверхность которого непрерывно увеличивается, изменения скоростей кристаллизации и вращения монокристалла и/или тигля и др., градиенты температуры в расплаве и размер переохлажденной области в нем изменяются. Это влечет за

/—нормальный (исходный) режим; Ш — режим к.з.; ^„ск=пл-abcc''a; И—-режим отключения аварийного участка (параллельной; линии или фазы); площадка торможения до повторного включения c"c'fkc"', 1' — режим после включения участка в случае успешного АПВ; -Д „м = m.fi'dkf+c"c'jkc"; I" —режим после повторного включения участка в случае неуспешного АПВ (к. з. осталось); площадка ускорения не ограничена и У'~ОЛ непрерывно увеличивается согласно характеристике f"e

В СССР электрические микромашины производятся более чем на 100 заводах. Более тридцати из них полностью специализированы на производстве микромашин, причем число специализированных заводов непрерывно увеличивается. Более 30 научно-исследовательских и проектно-конструкторских организаций занимаются исследованием и проектированием электрических микромашин.

Если это условие не выполняется, то угловая скорость ротора при любом значении ти непрерывно увеличивается, пока не достигнет значения скорости холостого хода, так как во время импульса угловая скорость возрастает, а во время паузы остается практически неизменной.

Надежность определяется как свойство изделия выполнять заданные функции, сохраняя свои эксплуатационные показатели в заданных пределах в течение требуемого промежутка времени или требуемой наработки на отказ. Проблема надежности вызвана возрастанием сложности аппаратуры, число элементов которой непрерывно увеличивается. Отсюда ясно, что в отношении надежности к каждому элементу следует предъявлять весьма жесткие требования.

Таково положение, сложившееся на подступах к окончательному установлению закона сохранения... все еще неизвестно чего — сил, работы или энергии. Пока ученые ломают над этим голову, семейство паровых машин непрерывно увеличивается и совершенствуется. В 1828 г. они потребляли в 17 раз меньше топлива, чем первые машины Уатта. В 1807 г. пошел по Гудзону первый пароход Фултона, после чего пароходное сообщение стало быстро развиваться. В 1825 г. была открыта первая железная дорога с паровозами Стефенсона в Англии, в 1832 г. — во Франции, в 1835 г. — в Германии. В России первый паровоз построили отец и сын Черепановы — крепостные всемогущего уральского заводчика Демидова, но при пуске котел взорвался. В 1834 г. те же Черепановы пустили в эксплуатацию второй паровоз и железную дорогу длиной в 400 сажен. В 1837 г. была открыта железная дорога между Петербугом и Царским селом.

На 8.29 показана- зонная структура «-полупроводника, поверхность которого заряжена отрицательно, и приведены - обозначения основных величин, характеризующих поверхность: гз8 — разность потенциалов между поверхностью и объемом полупроводника; ф8 = — Ц"§$ — изгиб, зон у поверхности; Е{ — середина запрещенной зоны; дФ3 — расстояние от середины запрещенной зоны до уровня Ферми на поверхности; Ф8 называется поверхностным потенциалом. Из 8.29 видно, что в объеме полупроводника расстояние от дна зоны проводимости до уровня Ферми ( — ц) меньше расстояния от уровня Ферми до потолка валентной зоны ( — [*')• Поэтому равновесная концентрация электронов п0 больше концентрации дырок: п0 > р0, как и должно быть у «-полупроводников. В поверхностном слое объемного заряда происходит искривление зон и расстояние от дна зоны проводимости до уровня Ферми по мере перемещения к поверхности непрерывно увеличивается, а расстояние от уровня Ферми до потолка валентной зоны непрерывно уменьшается. В сечении АА эти расстояния становятся одинаковыми ( ц, = ц' ) и полупроводник становится собственным: п — р — iii. Правее сечения А А \ ji > [л' , вследствие чего р > п и полупроводник становится полупроводником р-типа. У поверхности образуется в этом случае поверхностный р — гс-переход.

С другой стороны, в производстве электроэнергии мощность электрических генераторов непрерывно увеличивается и на этой основе происходит концентрация ее производства. При жизни В. И. Ленина на Каширской электростанции был введен в работу турбогенератор мощностью 12 тыс. кВт, а в 1978 г. будет введен гигантский агрегат мощностью 1200 тыс. кВт, т. е. в 100 раз больше.

Электрическое освещение и его интенсивность оказывают большое влияние на производительность труда во всех сферах производственной деятельности человека. Расход электрической энергии для освещения непрерывно увеличивается и вместе с этим возрастают требования к улучшению экономичности света. Задача состоит в том, чтобы, с одной стороны, повысить коэффициент полезного действия осветительных устройств,

Это объясняется следующим. Во второй ветви с диодом Д2 ток практически равен нулю, так как для этого полупериода диод включен в непроводящем направлении и его сопротивление велико. В первой ветви диод Д4 для положительного полупериода включен в проводящем направлении, но он начинает пропускать ток только при напряжении

\ .е. зависимость прямого тока от напряжения практически подчиняется экспоненциальному закону (при 1/пр> 2У7 ), .что соответствует круто поднимающейся прямой ветви в квадранте J на 1 .4. В непроводящем направлении

Емкость перехода, включенного в непроводящем направлении, также связана с образованием зарядов в области уо-и-перехода; ее называют барьерной.

Ширина электронно-дырочного перехода в любом полупроводниковом диоде зависит от приложенного к переходу напряжения. Если диод включен в непроводящем направлении, то его можно рассматривать как конденсатор с потерями, диэлектриком которого является электронно-дырочный переход. Изменяя величину приложенного

Рассмотрим принцип действия транзистора типа р-п-р. В коллекторную (выходную) цепь транзистора включают в непроводящем направлении источник э. д. с. ?к6 ( 3.23, в). Напряженность электрического поля в коллекторном переходе возрастает, и в цепи коллектора появляется незначительный обратный ток, вызванный движением через коллекторный переход неосновных носителей (на 3.23, в не показаны). Этот ток называют тепловым током коллектора, так как величина его существенно зависит от температуры, и обозначают /кбо.

Полевой транзистор ( 3.40, а) представляет собой пластинку или стержень полупроводника с «-электропроводностью, сечение которого можно изменять с помощью- электронно-дырочного перехода, включенного в обратном направлении. Рабочее тело / изготовлено из высокоомного германия с удельным сопротивлением р = 0,04 -т--г- 0,2 ом-м, торцевые области 2 (исток) и 4 (сток) которого имеют более высокую электропроводность и снабжены неинжектирующими контактами для соединения истока и стока с внешней цепью. Рабочее тело (канал) транзистора методом сплавной технологии окружено слоем индия 3, образующего /г-р-переход при вплавлении индия в германий. К слою индия, называемому затвором, припаян вывод управляющего электрода. Условное обозначение полевого транзистора показано на 3.40, б. При включении между истоком и затвором внешнего источника э. д. с. в непроводящем направлении границы «-/^-перехода будут смещаться в сторону канала, уменьшая его сечение (см. пунктир на 3.40, и). При этом сопротивление канала будет увеличиваться.

Благодаря включению м-р-перехода затвора в непроводящем направлении полевой транзистор имеет большое входное сопротивление, порядка 10е -т- 108 ом. Выходное сопротивление зависит от параметров канала и может быть тоже достаточно большим.

Устройство, состоящее из одного кристалла, выполняющего функции нескольких активных и пассивных элементов схемы без внешних соединений называется твердой схемой. Для изготовления твердых схем в полупроводниковой пластине формируют участки, образующие электронно-дырочные переходы и объемные сопротивления. В качестве конденсаторов используют электронно-дырочные переходы, включенные в непроводящем направлении. Иногда для получения емкости в твердой схеме на поверхность кристалла наносят слой окислов, являющийся диэлектриком, и накладывают на него металлическую пленку. Различают две разновидности твердых схем: интегральные схемы, отдельные участки которых эквивалентны обычным элементам схем радиоэлектроники, и функциональные схемы, в которых трудно выделить отдельные участки, аналогичные обычным элементам радиоэлектронных схем.

Запирающий слой подвергают формовке путем пропускания через него в течение нескольких часов тока в непроводящем направлении. Пространственные заряды, создающие запирающий слой ( 4.4, б), располагаются по границе раздела полупроводников с р- и п-электро-проводностью.

Сопротивление электронно-дырочного перехода, включенного в непроводящем направлении, в сильной степени зависит от воздействия на него лучистой энергии. Это объясняется тем, что при освещении примесного полупроводника в нем увеличивается число разрывов кова-лентных связей, приводящее к возрастанию числа неосновных носителей и, следовательно, к увеличению тока обратной проводимости.

Принципиальная схема однофазного инвертора, работающего в режиме синусоидальной ШИМ, приведена на 4.54. Здесь тиристоры VI и V2 коммутируются с помощью конденсаторов С1 и С2 и реактора L так, что при открывании тиристора V2 закрывается тиристор VI и наоборот. Так как тиристоры обладают односторонней проводимостью, то для пропускания обратного тока служат диоды V3 и V4. При формировании положительной полуволны тока проводит тиристор VI и ток нагрузки потребляется от верхней половины источника питания. Когда открывается тиристор V2 (закрывается тиристор VI) и ток нагрузки протекает в непроводящем направлении по отношению к тиристору V2, открывается тиристор V4 и ток возвращается