Неоднородность распределения

Рамка перемещается в неоднородном магнитном поле, нанимая последовательно положения /, 2 и 3. Укажите положение, при котором ЭДС в рамке не наводится

и неоднородности измеряемого магнитного поля В, В неоднородном магнитном поле ядра, находящиеся в различных точках образца, будут прецессировать с различными частотами, спектр сигнала будет расширяться, а амплитуда — быстрее затухать. Таким образом, метод свободной ядерной индукции подобен режиму свободных колебаний резонаторных датчиков.

Рамка перемещается в неоднородном магнитном поле, -анимая последовательно положения /, 2 и 3. Укажите положение, при котором ЭДС в рам*е не наводится

Рассмотрим движение замкнутого контура (рамки) в неоднородном магнитном поле ( 3.20). Рамка перемещается в плоскости, перпендикулярной магнит-

3.20. Схема индуцирования ЭДС в рамке, движущейся в неоднородном магнитном поле

В неоднородном магнитном поле при движении заряженной частицы в направлении возрастания поля силовые линии будут сходящимися, и

В неоднородном магнитном поле следует брать произведение нормальной составляющей вектора магнитной индукции и элементарной площадки dS, что дает элементарный магнитный поток:

Силу, действующую на провод произвольной формы, расположенный в неоднородном магнитном поле, можно

условии изменения потока сквозь контур. Рассмотрим, например, прямоугольную рамку с током / в неоднородном магнитном поле ( 5-45), где направления сил получены в соответствии с правилом ле-вой руки, а источник питания рамки не указан. Магнитные 5-45. Контур с током в линии, пронизывающие рамку, магнитном поле. направлены от наблюдателя.

Если виток с током находится в неоднородном магнитном поле, то, кроме вращательного движения, возникает и поступательное — в направлении к участкам поля с наибольшей индукцией (конечно, если виток под действием сил поля может вращаться и перемещаться).

В практических условиях часто возникает необходимость определить величину и направление э. д. с. не в отдельном проводе, а в замкнутом контуре, например витке или катушке. Замкнутый контур из провода, расположенный в неоднородном магнитном поле, показан на' 6-12. Магнитные линии, пронизы-

Для методов первой группы характерна неоднородность распределения примесей по всей толщине слоя. Изменение концентрации примеси происходит в соответствии с основным уравнением направленной кристаллизации

В слоях, полученных методами второй группы, неоднородность распределения примеси наблюдается в начальной и конечной части эпитаксиального слоя, в средней части

Как видно из 4.23, неоднородность распределения примеси, вызываемая технологическими причинами, по своей абсолютной величине значительно уступает неоднородности, вызываемой фундаментальными причинами. Современный уровень конструирования, изготовления и эксплуатации оборудования для выращивания монокристаллов полупроводников позволяет свести такую неоднородность к минимуму. Поэтому основные усилия технологов направлены на борьбу с неоднородностью распределения

При вращении одного тигля расплав центробежными силами отбрасывается к стенкам тигля, вследствие чего в центральной части расплава возникают потоки жидкости, имеющие одинаковое направление с конвекционными потоками (см. 4.6,6). В результате неоднородность распределения примеси по сечению монокристалла возрастает.

Объяснение этому может быть дано на основе наблюдающейся связи между характером примесной неоднородности и структурным совершенством монокристаллов полупроводников. Присутствующие в них дислокации, как уже говорилось выше, образуют вокруг себя примесные атмосферы, заметно снижающие периодическую неоднородность распределения примеси. Поэтому при прочих равных условиях периодическая неоднородность сильнее проявляется в малодислокационных и особенно в бездислокационных монокристаллах полупроводников.

— неоднородность распределения 151—154, 157

В свежеизготовленных элементах наблюдается некоторая неоднородность распределения влаги из-за неравномерности опрыскивания. Такие элементы имеют разброс в величине эдс и напряжения. За 48 ч концентрация электролита в элементе успевает выравнить-ся за счет диффузионных процессов. Разброс в величинах эдс и напряжение значительно уменьшаются.

Обеспечить совокупность всех этих условий невозможно, поэтому практически вдоль любой линии имеет место некоторая неоднородность распределения первичных параметров. Отсюда следует, что рассмотрение любой линии как одноюдной является в какой-то мере идеализацией. Строго однородны< линий не существует. Тем не менее в дальнейшем будем считать, что линии, изображенные на 13.1, а — г, являются однород шми, ибо для них эта идеализация практически оправдана в большинстве случаев. Приведенные на 13.1, д и е ступенчатый i экспоненциальный фидеры являются примерами линий с заведомс неравномерным распределением первичных параметров. Наряд) с другими, например разветвленными линиями, линиями с расходящимися проводами, линиями, состоящими из однородных ) частков с различными параметрами (например, воздушные линш с кабельными вставками), и т. д., они являются неоднородными линиями и применяются для специальных целей.

При переменном токе проявляется скин-эффект, создающий неоднородность распределения сил, дополнительно увеличивающую rot^F.

Примером неупорядоченности второго класса является неупорядоченность длины связей и углов между ними, которая характеризуется непрерывным распределением их величины вокруг типичного, среднего по структуре значения. Этот класс неупорядоченности обязан своим происхождением случайным сеткам, а его влияние на электронный спектр выражается во флуктуациях диагональных и недиагональных элементов матрицы собственных значений энергий. Так как каждая локальная атомная конфигурация случайной сетки определяется большим числом окружающих соседей, то, согласно центральной предельной теореме, основным видом вероятностного распределения неупоря-доченностей второго класса будет нормальное распределение Гаусса. Другим возможным примером беспорядка этого класса служит пространственная неоднородность распределения массы и заряда.

Примером неупорядоченности второго класса является неупорядоченность длины связей и углов между ними, которая характеризуется непрерывным распределением их величины вокруг типичного, среднего по структуре значения. Этот класс неупорядоченности обязан своим происхождением случайным сеткам, а его влияние на электронный спектр выражается во флуктуациях диагональных и недиагональных элементов матрицы собственных значений энергий. Так как каждая локальная атомная конфигурация случайной сетки определяется большим числом окружающих соседей, то, согласно центральной предельной теореме, основным видом вероятностного распределения неупоря-доченностей второго класса будет нормальное распределение Гаусса. Другим возможным примером беспорядка этого класса служит пространственная неоднородность распределения массы и заряда.