Магнитного напряжения

Преимущества магнитного накопителя на дисках по сравнению о накопителем на ленте — это высокая скорость передачи и малое время выборки.

Сердечники с ППГ находят широкое применение в магнитных оперативных запоминающих устройствах (МОЗУ), предназначенных для хранения дискретной информации. Сердечник является основным элементом запоминающей части МОЗУ — магнитного накопителя. Конструктивно накопитель выполняется в виде так называемого магнитного куба, состоящего из отдельных плоских магнитных матриц. Матрица представляет собой прямоугольную или квадратную рамку, на которую натянута система электрических проводников — шин, прошивающих тороидальные сердечники так, что в каждом пересечении шин располагается по одному сердечнику.

Всем перечисленным требованиям удовлетворяют управляющие ЦВМ, использующие для хранения и преобразования информации однородные матрицы магнитного накопителя с обрамлением, выполненном на магнитно-диодных элементах МПТ.

Ключ К5 подсоединяет выходы всех УВ ко входам соответствующих разрядов РР и используется для регенерации числа в любую ячейку магнитного накопителя (ХЧН, ФЧН, РЧН).

В заключение данного параграфа заметим, что, кроме рассматриваемой в этой главе управляющей ЦВМ с фиксированными наборами программ и микропрограмм, возможна организация ЦВМ на базе однородных магнитных матриц и магнитно-полупроводниковых элементов МПТ с изменяемыми наборами программ или микропрограмм. В случае программно изменяемого набора программ последние должны храниться в ХЧН, тем самым увеличивая требуемый объем магнитного накопителя. Однородность и универсальность управляющей ЦВМ в этом случае возрастают, а объем ПА как автономного блока либо резко уменьшается, до объема программ внутреннего назначения, либо ПА устраняется совсем. Ключи /С/—К.8 дополняются в этом случае еще одним ключом (каналом), позволяющим слово команды, считанное из ХЧН, подать на входы МПА (код операции), на входы ДА и РА ХЧН (адреса чисел),

Однородные матрицы магнитного накопителя (МОЗУ) в процессорах рассматриваемого типа чаще всего используются в режиме работы 2Д и с коэффициентом селекции /Сс = 3 (см. главу 4). В дальнейшем будем полагать, что в матрице имеется одна адресная шина на одну ячейку, одна разрядная шина на один разряд матрицы и одна общая шина, проходящая сквозь сердечники всех матриц и используемая для статического смещения, равного V3 /п. Постоянный ток смещения накопителя образуется от напряжения источника питания с помощью активного и индуктивного сопротивлений, включенных последовательно. Индуктивное сопротивление содержит несколько дросселей с разомкнутыми магнитопроводами, включаемых равномерно по всей шине статического смещения. На всех дальнейших рисунках цепь статического смещения в матрицах накопителя опущена. В соответствии с принятым способом обеспечения kc = 3 за счет статического смещения разрядные и адресные токи записи должны составлять 2/8 /м.

Как отмечалось в гл. 6, одним из основных блоков управляющей ЦВМ на магнитно-полупроводниковых элементах является блок магнитного накопителя, состоящий из однородных магнитных матриц и диодов, подключенных к адресным шинам ХЧН, Сборку

На 7-11 приведена сборка куба магнитного накопителя. Куб образован как стопка сборок матриц / на шпильках 10, прикрепленных к основанию 11 с помощью гаек 12, 13. Задняя и перед-

37.99. Схема подключения обмоток магнитного накопителя на первичной стороне автогенераторного ДПН

Для гарантированной защиты силовых транзисторов от перегрузки по току необходимо снизить темп роста коллекторного тока при насыщении сердечника силового трансформатора. Один из возможных путей для достижения этой цели использование на первичной стороне трансформатора магнитного накопителя переменного тока (МНПТ). Конструктивно он может быть выполнен в виде отдельного дросселя Др, обмотки которого включаются согласно с первичными обмотками силового трансформатора ( 37.99).

где W\L> W\TP — числа витков первичных обмоток магнитного накопителя и трансформатора; ?/к — падение напряжения на СТК в состоянии проводимости. При совмещении конструктивно накопителя и трансформатора wlL = wlTp = H>J.

При работе ДПН в режиме 3 насыщение сердечника вообще не происходит. Поэтому ток, передаваемый во вторичную обмотку, линейно нарастает до момента, пока на первичной стороне ток не достигает значения Ilm и устройство управления не выключит соответствующий транзистор (например, VT1 в схеме 37.99). Как и для режима 1 , после запирания VTJ из магнитного накопителя начинает выводиться энергия. При этом ток протекает по обмотке *>12Тр в том же направлении, в каком до за-

Как было показано ранее, напряженность Н можно рассматривать как удельную МДС, необходимую для создания магнитного потока на единице длины контура интегрирования. Тогда, очевидно, произведение HI можно рассматривать как МДС, необходимую для создания магнитного потока на участке магнитной цепи длиной /. Величину HI называют разностью скалярных магнитных потенциалов и иногда магнитным напряжением: Я/= UM. На участке магнитной цепи, не содержащем намагничивающей обмотки, положительное направление магнитного напряжения совпадает с направлением напряженности.

Уравнение (6.9) может быть применено и к замкнутому в геометрическом смысле контуру. Это значит, что часть контура может проходить по стрелке, указывающей положительное направление магнитного напряжения между какими-либо точками контура. Указанная особенность уравнения (6.9) позволяет легко найти магнитное напряжение между интересующими нас точками магнитопровода.

Найдем, например, магнитное напряжение между точками k и b (см. 6. 8, в). Выбрав положительное направление искомого магнитного напряжения имд/„ например, как показано на рисунке, и обходя контур abka по часовой стрелке, получим

Как видно, в случае, когда контур проходит мере:) участок, содержащий намагничивающую обмотку, в выражении магнитного напряжения появляется МДС обмотки.

Следует заметить, что если в выражении магнитного напряжения UM — Ш заменить Н на В/ца, а В — на Ф/S, то получим

Точка пересечения А указанных графиков (см. 6.11, ,') определит значения магнитного потока Ф и магнитного напряжения UM.

На основании изложенного выше можно сделать следующие выводы о влиянии параметров постоянного магнита на значения магнитного потока Ф и магнитного напряжения 1/м.

Для участка цепи с нелинейным магнитным сопротивлением гм можно построить вебер-амперную характеристику — зависимость магнитного потока Ф от магнитного напряжения U на этом участке магнитопровода. Вебер-амперная характеристика участка магнитопровода рассчитывается по основной кривой намагничивания ферромагнитного материала В(Н). Чтобы построить вебер-амперную характеристику, нужно ординаты и абсциссы всех точек основной кривой намагничивания умножить соответственно на площадь поперечного сечения участка S и его среднюю длину /.

Произведение Hklk при отсутствии обмотки с током на k-н участке носит название разности скалярных магнитных потенциалов двух точек 3 или падения магнитного напряжения вдоль участка пути и обозначается Умтя. где т и п — начало и конец участка.

Магнитная цепь асинхронного двигателя состоит из следующих пяти однородных участков, соединенных последовательно: воздушный зазор между ротором и статором, зубцы статора, зубцы ротора, спинка статора, спинка ротора. При расчете магнитного напряжения каждого участка принимают, что магнитная индукция на участке распределена равномерно.

Насыщение магнитной цепи вызывает уплощение кривой поля; соответственно при повышенной индукции магнитное сопротивление зубцов по середине полюсного деления больше, чем по краям. Учет уплощения производят в соответствии с [25] и [29]. Для облегчения расчета в приложениях 8—10 приведены таблицы намагничивания H=f(B) для зубцов статора и*ротора, вычисленные с учетом уплощения поля; эжи таблицы используют при расчете магнитного напряжения участка зубцов. При расчете магнитной цепи условно принимают среднюю длину пути магнитного потока в спинке статора или ротора; в действительности длина этих путей различна — максимальная по краям полюсного деления и минимальная посередине. Соответственно неравномерно распределяется индукция.