Монолитного железобетона

На 7.42 приведена полная принципиальная схема однокаскадного УПТ, используемая при конструировании монолитных интегральных микросхем типа 1УТ221А-В. Верхняя часть схемы аналогична схеме 7.41, а, поэтому к ней применимы все положения приведенного анализа. В качестве источника стабильного тока /0 использован транзистор Т3 в общей цепи эмиттеров транзисторов Tt и Т2. Резисторы RI, R2 и R3 обеспечивают требуемый режим работы транзистора Т3. Транзистор Т4 в диодном включении служит для компенсации температурных изменений напряжения 1/бэ транзистора Т3.

Полевые транзисторы просты в изготовлении, поэтому выход годных приборов выше, чем биполярных. При использовании их в интегральных микросхемах удается получать высокую плотность расположения элементов (на порядок выше, чем в схемах на биполярных транзисторах). В монолитных интегральных схемах на МДП-транзисторах их можно использовать в качестве резисторов (МДП-транзисторы, работающие на ненасыщенных участках статических характеристик). Полевые транзисторы применяют в логических схемах, так как большие матрицы из этих элементов располагаются очень компактно. Их широко используют в цифровых вычислительных машинах.

Недостатком монолитных интегральных схем является наличие большого числа паразитных связей между компонентами.

МДП-транзисторы в связи с высокой технологичностью их изготовления широко применяются в микроэлектронике. При разработке монолитных интегральных схем на МДП-транзисторах в качестве резисторов схемы используются те же МДП-транзисторы, работающие на ненасыщенных участках вольт-амперных характеристик.

При проектировании топологического рисунка межсоединений вместо обычных контактных площадок предусматривают удлиненные полоски (0,5—1 мм) шириной 0,1—0,2 мм — будущие балочные выводы. Вначале кристаллы групповой пластины обрабатывают по технологии монолитных интегральных схем. Во время металлизации кроме вакуумного напыления подслоя применяют электролитическое наращивание золота (10— 30 мкм), после чего производят избирательное травление. Далее материал подложки удаляют шлифованием, а элементы разделяют сквозным избирательным травлением кремния. Таким образом, во время формирования элементов можно исключить два высокотемпературных

В последние годы широкое распространение получили усилители постоянного тока с непосредственной связью, выполненные на основе монолитных интегральных схем.

При интегральном исполнении параллельно-балансного каскада вместо высокоомного резистора /?э, обеспечивающего режим источника тока в эмиттерной цепи, включается транзистор Т3, имеющий большое сопротивление для приращений (сопротивление по переменному току). Изготовление высокоомного резистора в монолитных интегральных схемах приводит к значительному расходу площади подложки и существенному увеличению мощности рассеяния. Технологически выполнить транзистор значительно проще. Транзистор Тц в диодном включении служит для обеспечения режима смещения и термостабилизации транзисторов Т3 и Т9.

При проектировании топологического рисунка межсоединений вместо обычных контактных площадок предусматривают удлиненные полоски (0,5—1 мм) шириной 0,1—0,2 мм — будущие балочные выводы. Вначале кристаллы групповой пластины обрабатывают по технологии монолитных интегральных схем. Во время металлизации кроме вакуумного напыления подслоя применяют электролитическое наращивание золота (10— 30 мкм), после чего производят избирательное травление. Далее материал подложки удаляют шлифованием, а элементы разделяют сквозным избирательным травлением кремния. Таким образом, во время формирования элементов можно исключить два высокотемпературных

В полупроводниковых монолитных интегральных микросхемах все элементы (активные и 'пассивные) реализуются на основе биполярных и МДП-транзисторных структур. iB связи с этим различают интегральные микросхемы, на биполярных транзисторах и МДП — интегральные микросхемы, изготовляемые по Планерной технологии. Обычно каждому элементу схемы соответствует локальная область полупроводникового материала, свойства и характеристики которой .обеспечивают выполнение функций дискретных элементов (транзисторов, резисторов, конденсаторов и др.). Каждая локальная область, выполняющая 'функции конкретного элемента, требует изоляции от других. Соединения между элементами согласно электрической схеме обычно выполняют с помощью напыленных «а поверхность полупроводникового кристалла ;ме-таллических проводников. Такой кристалл заключается в герметизированный корпус и имеет систему выводов для практического использования микросхемы. Таким образом, полупроводниковая

Полевые транзисторы просты в изготовлении, поэтому выход годных приборов выше, чем биполярных. При использовании их в интегральных микросхемах удается получать высокую плотность расположения элементов (на порядок выше, чем в схемах на биполярных транзисторах). В монолитных интегральных схемах на МДП-транзисторах их можно использовать в качестве резисторов (МДП-транзисторы, работающие на ненасыщенных участках статических характеристик). Полевые транзисторы применяют в логических схемах, так как большие матрицы из этих элементов располагаются очень компактно. Их широко используют в цифровых вычислительных машинах.

Элементную базу монолитных интегральных схем можно укрупненно разделить на две группы — биполярные элементы и элементы МОП-типа. Биполярные схемы управляются током, протекающим в объемном материале, и влияние процессов, протекающих на лицевой поверхности, на параметры схемы сравнительно невысоко. Эта особенность, а также большой выходной ток позволяют использовать биполярные элементы в ИС, требующих повышенного быстродействия, большого усиления и мощности. Поскольку, вообще говоря, технология изготовления би-

1-1. Главный корпус из монолитного железобетона.

Получение готовых металлоконструкций вместо изготовления заменяемых ими конструкций из монолитного железобетона на площадке строительства обеспечивало значительное сокращение объема работ по временным сооружениям, а индусгриальность металлоконструкций позволила осуществлять их монтаж крупными блоками с помощью башенных кранов грузоподъемностью до 25 Т. Все это привело к дальнейшему сокра* щению сроков строительства несущих конструкций зданий, увеличению производительности труда на этих работах, а также к возможности широкого совмещения

Деревообделочное и арматурное хозяйство. Учитывая, что все виды сто-лярно-шютничных изделий и арматуры для монолитного железобетона должны поступать на строительство в готовом виде, в составе стройбазы предусматривают только склад готовой опалубки, столярных изделий и пиломатериалов со столярно-плотничной мастерской для выполнения случайных работ и мелкой опалубки и арматурный двор со складом готовой арматуры и армокаркасов с арматурной мастерской для доизготовления арматуры.

Громадное значение имеет изменение технологии сооружения станционных зданий. Первые станции по плану ГОЭЛРО строились из кирпича с пилястрами для подкрановых путей. Позднее, когда стали устанавливать турбоагрегаты мощностью 50 и 100 тыс. кет, а производительность парогенераторов повысилась до 90—160 т/час, применялось сооружение каркасов из монолитного железобетона (например, на строительстве Шатурской, Челябинской, Зуевской и многих других ГРЭС).

Затем появился каркасный тип главных зданий электростанций из монолитного железобетона, когда на электростанциях СССР стали устанавливать турбогенераторы мощностью 25—50—100 МВт, а паропроизводительность котлов повысилась до 170—230 т/ч. При этом получило полное развитие пылевое сжигание низкосортных углей, что сказалось на увеличении объема главного корпуса. По этому типу были сооружены десятки крупных и средних тепловых электростанций в разных районах страны — Зуевская IB Донбассе, Челябинская на Южном Урале, Шатурская ГРЭС в Центре и др.

В сооружениях судоходных устройств по данным проектных организаций при переходе от монолитного железобетона и бетона на сборный при строительстве шлюзов напором до 9 м расход бетона сокращается от 35 до 50% (в различных вариантах) и металла от 20 до 30%.

В производстве строительных материалов за счет дальнейшего внедрения менее энергоемких технологических процессов при производстве сборного и монолитного железобетона (путем применения высокопрочного, быстротвердеющего и особо быстротвердеющего цемента), введения в бетонную смесь химических добавок, нагрева смеси продуктами сгорания природного газа, применения безобо-гревных и других прогрессивных методов производства железобетона, а также модернизации и повышения загрузки энергопотребляющих установок планируется обеспечить в 1985 г. снижение расхода тепловой энергии на производство 1 м3 железобетонных изделий не менее чем на 10% по сравнению с 1980 г.

Прокладки КЛ в кабельных каналах находят широкое применение. Кабельные каналы изготовляются типовыми из сборных железобетонных элементов или из монолитного железобетона. В производственных помещениях каналы перекрываются плитами на уровне пола. При прохождении вне зданий на неохраняемых территориях каналы прокладываются под землей на глубине не. менее 300 мм в зависимости от нагрузок, которые могут возникнуть на трассе. Если территория охраняется, то применяют полуподземные каналы с естественной или искусственной вентиляцией, но такие каналы не должны препятствовать транспортным коммуникациям и должны сочетаться с общей планировкой территории предприятия, так как уровень перекрытия таких каналов возвы-ииется над планировочной отметкой на 50—250 мм.

Могут быть применены каналы также из монолитного железобетона. В производственных помещениях каналы перекрываются плитами на уровне пола. При прохождении вне цеха на неохраняемых территориях каналы про,

Устройство фундаментов в скальных и вечномерзлых фунтах связано с большими трудностями доставки на место монтажа сборных фундаментов, тяжелых мощных машин и т. д., поэтому стараются использовать естественную прочность грунта. Вместо фундаментов из сборного железобетона в скальных грунтах закладываются анкерные стержни, заливаемые цементным раствором. По достижении цементным раствором необходимой прочности выполняется надскальная часть фундамента в виде металлической колонки или из монолитного железобетона.