Молибдена ориентации

В другой разновидности светодальномеров применяют непрерывное излучение, модулированное по интенсивности синусоидальным сигналом. Выходной величиной такого дальномера служит разность фаз между напряжением на выходе приемника оптического излучения и модулирующим напряжением.

В другой разновидности светодальномеров применяют непрерывное излучение, модулированное по интенсивности синусоидальным сигналом. Выходной величиной такого дальномера служит разность фаз между напряжением на выходе приемника оптического излучения и модулирующим напряжением.

Остановимся на простых устройствах допускового контроля {Л. '19-113] с вентильными элементами, имеющими приближающуюся к ступенчатой вольт-амперную характеристику. Если на вход такого элемента подать модулирующее напряжение, то ток через вентильный элемент в закрытом состоянии, вызванный модулирующим напряжением, будет иметь весьма небольшое значение. В открытом состоянии сопротивление вентильного элемента резко падает, и проходящий через него ток, имеющий пульсирующий характер, значительно 'Возрастает. Таким образом, в вентильном элементе при воздействии на него модулирующего напряжения совмещаются функции модулятора и порогового элемента. Вентильный элемент управляется разностью между текущим значением контролируемой величины и значением уставки. На '19-112 представлены принципиальные схемы простейших устройств допускового контроля, содержащих верхнюю и нижнюю уставки, с использованием потенциометри-ческой и мостовой схем.

Прямой метод частотной модуляции заключается в изменении емкости или индуктивности колебательного контура автогенератора в соответствии с модулирующим напряжением. Для этой цели чаще всего служат так называемые реактивные лампы, которые подключаются параллельно контуру и играют роль переменных реактивных сопротивлений.

трапецеидальной формы ( (5-13, а). Прямые, ограничивающие плоскость, являются фигурами Лиссажу, получившимися за счет взаимодействия огибающих модулированного сигнала с модулирующим напряжением при отсутствии фазового сдвига между ними. Размеры А и Б соответствуют максимальному и минимальному значениям модулирующего напряжения, поэтому М вычисляется по формуле (6-11).

Усилители осциллографа или тракт модулирующего напряжения могут внести фазовый сдвиг между огибающими и модулирующим напряжением. При этом прямые примут вид эллипсов ( 6-13, б). Коэффициент амплитудной модуляции М вычисляется так же, как и раныЬе,

Рассмотрим работу простейшего модулятора на транзисторном ключе ( 6.73). В этой схеме постоянное преобразуемое напряжение Ег включено в коллекторную цепь транзистора. Транзистор периодически переводится из открытого состояния в закрытое модулирующим напряжением с частотой со, подаваемым между базой и эмиттером. В открытом состоянии транзистор насыщен (см. § 7.2) и представляет собой* малое сопротивление, близкое к нулю. В закрытом состоянии через транзистор течет малый тепловой ток /кэо, и сопротивление транзистора близко к бесконечно боль-шой величине. В результате ток в /?н прерывается с частотой со я напряжение на %н> являющееся входным напряжением усилителя У, имеет вид, показанный на 6.73 р,ис 6j2,e. Связь модулятора с усилителем

При перестройке гетеродина все составляющие спектра последовательно будут попадать в полосу пропускания усилителя ПЧ (А1). Таким образом, с выхода усилителя будут сниматься радиоимпульсы с частотой заполнения, равной ПЧ, и с амплитудой, пропорциональной спектральной составляющей сигнала. После детектирования (VI) и усиления (А2) видеоимпульсы подаются на У-пластины ЭЛТ VL1. На Х-пластины подается напряжение развертки, которое является модулирующим напряжением при частотной модуляции гетеродина. При таких условиях напряжение развертки могло бы быть и нелинейным; однако для достижения минимальных искажений спектрограмм, обусловленных переходными процессами в контурах при перестройке частоты, стремятся обеспечить линейность.

Коэффициент модуляции может быть измерен при использовании осциллографа в режиме Х-Y. На пластины Y подается исследуемое напряжение, на пластины X — модулирующее напряжение. В зависимости от фазового сдвига ф между огибающей АМ-колебания и модулирующим напряжением, а также от коэффициента модуляции т, на экране получаются фигуры, показанные на 10.6. Коэффициент модуляции находят по формуле т =

Электронный прибор при таком режиме его использования по отношению к высокочастотному напряжению ?gcos(o0/ представляет собой линейное устройство с переменным параметром (крутизна S), управляемым модулирующим напряжением. По отношению же к низкочастотному (модулирующему) напряжению рассматриваемое уст-

k — коэффициент пропорциональности, связывающий изменение фазы с модулирующим напряжением s(t).

Максимальное значение работы выхода электронов в вакууме монокристаллов молибдена получается с плоскости {110} — 4,9—5,1 эВ. Монокристаллы молибдена с кристаллографическими плоскостями {НО} и {100} на рабочей поверхности эмиттера обладают наибольшей работой выхода электронов в вакууме по сравнению с другими гранями монокристалла. Существенно, что монокристаллы молибдена ориентации {110} обладают более высокой работой выхода электронов (почти на 17% по сравнению с поликристаллическим молибденом такого же химического состава). По этой причине применение монокристаллов молибдена с кристаллографической ориентацией {110} на поверхности катода весьма перспективно с точки зрения повышения эффективности работы ТЭП и повышения КПД преобразователя.

Механические свойства монокристаллов молибдена ориентации <Ш> при различном числе проходов зоны п [9]

В настоящее время ведутся работы по изучению возможности создания катодов и анодов ЭГК ядерных ТЭП из монокристаллического молибдена с кристаллографической плоскостью {110} на поверхности эмиттера. Возможность проведения этих работ обусловлена успешным получением крупных монокристаллов молибдена. Поскольку в разрабатываемых проектах ядерных ТЭП [44, 69, 110, 115, 116, 130, 150/ 151, 159] рассматривается трубчатая конструкция электрогене-рирующих каналов, то одним из возможных путей ее создания из монокристаллов является гибка монокристаллических пластин молибдена ориентации {110} с последующей сваркой в трубы. Второй путь создания монокристаллических трубчатых каналов — это вырезка их непосредственно из крупных монокристаллов ориентации <111>, так как они имеют наибольший набор кристаллографических граней {110} в рабочей плоскости трубьь И, наконец, третий путь состоит в получении монокристаллических труб заданных размеров непосредственно-при выращивании монокристаллов с выводом на поверхность трубы плоскости грани {ПО}.

Пластическая обработка. Монокристаллы молибдена ориентации {110} <110> промышленной чистоты, деформированные в. кристаллографической плоскости {110} в кристаллографическом направлении <110>, легко разрушаются при прокатке [135, 136J. Ни один из монокристаллов не удалось прокатать с обжатием больше 20%. При такой деформации уширение образцов составляло около 10%. По данным других исследователей [39, 121, 126, 209], монокристаллы; молибдена {110} <110> прокатывали без разрушения до большей степени деформации. Монокристаллы молибдена ориентации {ПО} <110>, полученные осаждением из газовой фазы [126], выдерживали большую степень деформации, однако по краям деформированного образца наблюдали глубокие трещины. На кривых деформационного упрочнения видно непрерывное возрастание упрочнения при прокатке, причем более значительное по сравнению с деформированными кристаллами других ориентации: {001} <110>, {001} <100> и {110} <100> ( 4.8) [121, 126, 135, 136, 209].

Монокристаллы молибдена ориентации. {110} <001> легко поддавались прокатке при комнатной температуре без разрушения с обжатием до 70% [24, 135, 136]. С ростом степени пластической деформации постепенно увеличивается предельная разориентация субзерен монокристаллов молибдена [24, 39, 40].

Монокристаллы молибдена ориентации {001} <100>, по одним данным, были хрупкими и ни один из них не удалось прокатать с обжатием более 45% (135]. По другим данным {39], их прокатывали без разрушения до большей степени деформации (см. 4.8). Исходная монокристалльная ориентация {001} <100> сохранялась при прокатке до 40% деформации.

Изменение направления пластической деформации монокристалла с <100> на <110> в той же кристаллографической плоскости <001> привело к тому, что монокристаллы молибдена ориентации {001} <110> оказались пластичными при прокатке, выдерживали пластическую деформацию с обжатием до 90% без растрескивания и при значительном обжатии при прокатке (80%) сохраняли первоначальную монокристалльную структуру {001} <110> [24, 39, 93, 121, 126, 135, 136, 148, 209]. Твердость, полуширина рентгеновских линий увеличиваются только на первых 10—15% деформации, хотя при дальнейшей деформации наблюдается непрекращающаяся фрагментация субструктуры [135, 136]. .Дифракционное электронно-микроскопическое исследование показало, относительно равномерное распределение IB объеме деформированного на 80% материала сплетений и клубков дислокаций [39, 148].

Условия деформации сильно влияют на характер деформирующейся структуры, текстуры и сохранения монокристалльно-го строения, при этом степень влияния зависит от ориентации монокристалла. При холодной прокатке тонких монокристаллов молибдена 20 различных ориентации с очень малыми обжатиями за проход (около 0,001 мм) сохранилась их исходная ориентация (степень конечной деформации составляла 85%), что не характерно для обычной прокатки с обжатиями около 0,1 мм за проход [87]. Прокатка монокристаллов ориентации {001} <110> с разовой деформацией от 3 до 50% не влияет на монокристалльное строение деформированного материала [136], однако реверсивность направления деформации при прокатке кристаллов этой же ориентации вызывает образование сложной текстуры деформации {001} <110> + {112} <110> [126], которая свойственна лишь для поликристаллического молибдена [6, 126, 139]. Если у монокристаллов молибдена ориентации {110} <001> после прокатки по одному режиму с конечным обжатием 70% сохраняется структура {110} <001>, ко-

В деформированных монокристаллах молибдена ориентации {001} <110> при отжиге разупрочнение происходит путем возврата и по механизму полигонизации [24], т. е. выстраивания

4.9. Изменение микротвердости Я(д, и полуширины линии (004), прокатанного на 50% монокристалла молибдена ориентации {001} <110> при изохронном отжиге [24]

4.10. Микроструктура прокатанного на 70% монокристалла молибдена ориентации {001} <110> после отжига (Х120) [24]: