Модуляции амплитуды

Измерительные сигналы подвергаются дальнейшим преобразованиям, которые необходимы для извлечения измерительной информации. Все преобразования основаны на модуляции и кодировании. Модулируются определенные параметры переносчиков, а кодируется измерительная информация. Переносчиками могут служить и пассивные величины, размеры которых, как параметры переносчиков, модулируются активными величинами. Примером может служить модуляция сопротивления терморезистивного преобразователя под воздействием температуры. Модулированный пассивный переносчик становится носителем измерительной информации, но не является сигналом.

Измерительные сигналы подвергаются дальнейшим преобразованиям, которые необходимы для извлечения измерительной информации. Все преобразования основаны на модуляции и кодировании. Модулируются определенные параметры переносчиков, а кодируется измерительная информация. Переносчиками могут служить и пассивные величины, размеры которых, как параметры переносчиков, модулируются активными величинами. Примером может служить модуляция сопротивления терморезистивного преобразователя под воздействием температуры. Модулированный пассивный переносчик становится носителем измерительной информации, но не является сигналом.

При дальнейшем увеличении тока наряду с инжекцией носителей заряда начинает сказываться модуляция сопротивления

Принцип действия. При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при наличии напряжения на стоке ток стока оказывается ничтожно малым. Он представляет собой обратный ток p-n-перехода между подложкой и сильнолегированной областью стока. При отрицательном потенциале на затворе (для структуры, показанной на 6.8, а) в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших t/зипир) У поверхности полупроводника под затвором возникают объединенный основными носителями заряда слой и область объемного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе, больших порогового {/зи.юр, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является проводящим каналом между истоком и стоком. С изменением напряжения на затворе изменяется концентрация носителей заряда в проводящем канале, а также толщина или поперечное сечение проводящего канала, т. е. происходит модуляция сопротивления проводящего канала. Основной причиной модуляции сопротивления проводящего канала в МДП-транзисторах с индуцированным каналом является изменение концентрации носителей заряда в проводящем канале; в полевых транзисторах с управляющим переходом — изменение толщины или поперечного сечения канала.

Модуляция сопротивления проводящего канала МДП-транзистора может происходить при изменении напряжения на затворе как положительной, так и отрицательной полярности. Таким

Модуляция сопротивления базы диода 126, 133, 134

Модуляция сопротивления базы. При высоком уровне инжек-ции доля инжектированных в базу дырок в общей концентрации подвижных носителей зарядов оказывается весьма значительной и объемное сопротивление базы может заметно уменьшиться. Это явление называют модуляцией сопротивления базы. Определить •изменение сопротивления базы в зависимости от коэффициента инжекции 6' можно для тонкой базы (wn ^' Lp) по следующей приближенной формуле [24]:

и уровень инжекции б; некоторые физические процессы в базе (модуляция сопротивления базы, поле в базе и др.); составляющие прямого и обратного токов в переходе, а также емкости переходов.

Модуляция сопротивления базы. При высоком уровне инжек-ции доля инжектированных в базу дырок в общей концентрации подвижных носителей зарядов оказывается весьма значительной и объемное сопротивление базы может заметно уменьшиться. Это явление называют модуляцией сопротивления базы. Определить •изменение сопротивления базы в зависимости от коэффициента инжекции 6' можно для тонкой базы (wn ^' Lp) по следующей приближенной формуле [24]:

и уровень инжекции б; некоторые физические процессы в базе (модуляция сопротивления базы, поле в базе и др.); составляющие прямого и обратного токов в переходе, а также емкости переходов.

Кроме отдельных транзисторов в качестве ключей широкое распространение получили схемы, содержащие параллельное соединение двух ПТИЗ с разным типом проводимости канала (комплементарные транзисторы). В таких ключах устранены многие недостатки ключей на одиночных транзисторах: устранена модуляция сопротивления канала входным сигналом, снижены помехи из цепи управления, снижено сопротивление ключа в открытом состоянии и уменьшен ток утечки. Схема ключа на комплементарных транзисторах приведена на 11.10 а. Для одновременного переключения транзисторов из включенного состояния

Следовательно, для закона модуляции амплитуды сигнала, принятого антенной А, можно записать

В результате последующей обработки сигнала на выходе приемника вырабатываются напряжения С/Р1 и UP2-Эти напряжения являются мерой компонент QPx и 0РУ углового отклонения 0Р. Следовательно, при модуляции амплитуды входного сигнала по формуле (1.19) напряжения t/pi и ир2 оказываются пропорциональными измеряемым величинам Qpx и 0рг/, где 0рж=0рсозфр; QPy = = 0Рзтфр.

Из (8.2) и (8.8) следует, что закон модуляции амплитуды тока t'i совпадает с законом изменения модулирующего напряжения. Следовательно, в рассматриваемом режиме работы амплитуда первой гармоники тока пропорциональна модулирующему напряжению. Нел и при этом выполняется условие (8.5), то модуляция осуществляется без нелинейных искажений. Режим модуляции с линейным изменяющимся сопротивлением может быть реализован путем подачи модулирующего и модулируемого напряжений либо на один вход нелинейной системы, либо па ее разные входы. Необходимо лишь, чтобы модулирующее напряжение было достаточно мало и в разложении (8.6) можно было пренебречь всеми членами, содержащими еа в степени выше первой.

С этой целью радиоволны подвергаются так называемой модуляции. Процесс модуляции заключается в том, что высокочастотное колебание, способное распространяться на большие расстояния, наделяется признаками, характеризующими полезное сообщение. Таким образом, это колебание используется как переносчик сообщения, подлежащего передаче. Для этого один (или несколько) параметр высокочастотного колебания изменяют по закону, совпадающему с законом изменения передаваемого сообщения. В зависимости от изменяемого параметра (амплитуды, частоты или фазы колебания) различают три основных вида модуляции — амплитудную, частотную и фазовую1.

4. Характер сообщения или, как говорят, «ширина спектра» модулирующих частот и желательный способ модуляции (амплитуды, частоты и т. д.).

Для сохранения формы сообщения максимальное изменение A(f) не должно по абсолютной величине превышать А 0. Это означает, что глубина модуляции амплитуды не должна превышать 100%.

Первое слагаемое в правой части представляет собой исходное немодулированное колебание с «несущей» частотой со0. Второе и третье слагаемые соответствуют новым колебаниям (гармоническим), появляющимся в процессе модуляции амплитуды. Частоты этих колебаний со0 + Q и <»0 — Q называются «верхней» и «нижней» боковыми частотами модуляции.

Рассмотренные в предыдущих параграфах модулированные колебания являются лишь простейшими видами радиосигналов. Часто приходится иметь дело с радиосигналами, получаемыми в результате одновременной модуляции амплитуды и частоты (или фазы) колебания по весьма сложному закону.

В § 7.7 было показано, что при синусоидальной модуляции амплитуды передача колебания через контур, точно настроенный на несущую частоту, не сопровождается изменением формы огибающей; имеет место лишь ослабление глубины модуляции.

При работе с отсечкой анодного тока процесс модуляции амплитуды /у мало отличается от рассмотренного в § 12.2 процесса амплитудной модуляции изменением смещения. Некоторой особенностью является то, что колебательное анодное напряжение, навязываемое реактивной лампе контуром автогенератора, сдвинуто по фазе на угол 90° относительно тока /у.

При изменении этой амплитуды (из-за паразитной амплитудной модуляции) соответственно изменяется и напряжение смещения, благодаря чему стабилизируется амплитуда переменной слагающей анодного тока /al. Постоянная времени CgRg должна быть достаточно малой величиной по сравнению с периодом паразитной модуляции амплитуды. Отсюда следует, что подход к выбору элементов цепи смещения не отличается от случая обычного диодного детектора [см. неравенство (13.5)]. Считая в первом приближении амплитуду /о) постоянной величиной (равной /Oi = SUg при Ug = const), получаем для V\ следующее выражение: