Мощностью рассеиваемой

Каждый нелинейный резистивный элемент характеризуется предельно допустимой мощностью рассеяния Рдоп = иДОП1цоп, которая зависит от условий его охлаждения. Установкой специальных теплоотводящих устройств (радиаторов) предельно допустимая мощность может быть увеличена.

в них отсутствуют линии, пересекающиеся не под прямым углом, и криволинейные контуры. Пленочные резисторы должны обладать высокой стабильностью сопротивления во времени и интервале температур, низким уровнем шумов, малыми значениями паразитных параметров, требуемой мощностью рассеяния и минимальным значением занимаемой площади.

Нагрузочная способность пленочных резисторов определяется удельной мощностью рассеяния материала резистив-ной пленки:

Кроме /теми, /ев, /ф фоторезисторы характеризуются следующими параметрами: интегральной чувствительностью /Сф р = /ф/Ф; допустимым рабочим напряжением Up, при котором светочувствительный слой еще не повреждается; допустимой мощностью рассеяния Ргаах; кратностью изменения сопротивления Ятемн/Ясв-

Допустимая величина обратного тока через полупроводниковый стабилитрон ограничивается лишь допустимой мощностью рассеяния:

Промышленностью выпускаются полевые транзисторы на основе кремния с управляющим р-л-переходом (их иначе называют ПТ с диффузионным затвором) и с изолированным затвором с каналами п- и р-типов маломощные (с предельной мощностью рассеяния до 300 мВт) и мощные (до 20 Вт) . Бывают сдвоенные ПТ (по два ПТ в одном корпусе) и ПТ с двумя затворами. Конструктивное оформление ПТ аналогично оформлению биполярных транзисторов — герметизированные в металлостеклянных или пластмассовых корпусах или бескорпусные.

Параметры схем со стабилитронами выбираются так, чтобы длительный средний ток через них был меньше максимально допустимого /макс.доп. Значение /макс.доп ограничено допустимой по тепловому режиму мощностью рассеяния и представляет собой отношение этой мощности к напряжению стабилизации. Кратковременно же стабилитрон способен выдерживать токи, значительно большие /макс.доп. В схемах УРЗ это используется для защиты участков схемы от перенапряжений при токах к. з. (см. 5.1, в). Так, на 5.4 показана допустимая кратность мгновенной мощности, выделяемой в стабилитроне типа Д808 — Д813 при температуре 50° С. Для ряда-мощных стабилитронов (РШм=5 Вт) в технических

1) производят анализ технического задания с учетом особенностей и возможностей пленочной технологии: получения пленочных элементов необходимых номинальных значений с заданными точностью, пробивным напряжением, мощностью рассеяния и др.; при этом учитывают параметры и конструкции активных и других компонентов, надежность и экономические факторы; в случае необходимости производят уточненный электрический расчет;

Допустимая мощность рассеяния резистора РДШ1 без изменения электрофизических свойств определяется удельной мощностью рассеяния Р0 материала пленки и площадью резистора SR:

С целью уменьшения площади, занимаемой резистором, следует стремиться к увеличению отношения l/b, что может быть достигнуто за счет уменьшения ширины резистора b (увеличение длины / нецелесообразно, а значение р$ является постоянным для данного материала). Однако минимальная ширина резисторов ограничена рядом технологических и эксплуатационных факторов: способом нанесения пленки и формирования необходимой конфигурации, точностью изготовления резистора и мощностью рассеяния.

где йтсхн, йточн, ЬР—минимальные значения ширины резистора, обусловленные технологическими возможностями изготовления, точностью воспроизведения и мощностью рассеяния соответственно. Значение &тсхн определяется возможностями технологического процесса (см. § 4.5). Значение Ьтачн определяют из усло-

ределяется мощностью, рассеиваемой на аноде, а /а тах — эмиссионной способностью катода;

1) анодный /аи темновой /т токи. Анодный ток определяется мощностью, рассеиваемой анодом, темновой — зависит от электростатической эмиссии и обратной связи;

условия Ri=Rz при любом положении ручек декад. Резисторы ^2 и ^4 выполнены в виде магазинов с одинаковыми сопротивлениями 10, 100, 1000 и 10000 Ом. При работе с двойным мостом необходимо следить, чтобы выполнялось условие ^2 = #4. Ток питания моста не должен превышать значений, определяемых максимально допустимой мощностью, рассеиваемой в Rx и R0. В частности, допустимая мощность, рассеиваемая только в R0, ограничивает предельный ток при /?о= 1 Ом значением 0,5 А, а при ^о=0,001 Ом — значением 32 А.

следующими параметрами: максимальным допустимым током анода 1атах, максимально допустимым напряжением анода Uanou, максимально допустимой мощностью, рассеиваемой на аноде,

К основным эксплуатационным параметрам относятся: Максимально допустимый выходной ток, обозначаемый для биполярных транзисторов как /Ктах- Превышение /Ктах приводит к тепловому пробою коллекторного перехода и выходу транзистора из строя. Для полевых транзисторов этот ток обозначается /Стах-Он ограничивается максимально допустимой мощностью, рассеиваемой стоком транзистора.

Между мощностью, рассеиваемой в блоке, температурой отдельных частей, геометрическими и физическими параметрами конструкции и условиями эксплуатации должна существовать зависимость. Задача состоит в том, чтобы найти эту зависимость.

Остается повышать мощность в выходной цепи УЭ только за счет увеличения тока покоя /к- Однако величина /к ограничивается мощностью, рассеиваемой на коллекторе транзистора, которая должна быть меньше -Ркмакс (штриховая линия). В результате ток покоя

1. Допустимой средней мощностью, рассеиваемой сеткой лампы ^с.дош линия которой ограничивает слева рабочую область триода ( 6.1,а).

2. Допустимой средней мощностью, рассеиваемой анодом лампы Ра.доп ИЛИ КОЛЛеКТОрОМ ТраНЗИСТОра Як.доп-

Повышение чувствительности увеличением тока питания ограничивается допустимой мощностью, рассеиваемой в плечах моста. Этого недостатка лишены двойные мосты.

К мощным относят транзисторы с мощностью, рассеиваемой коллектором, Ртах>\,5 Вт. Мощные транзисторы на токи 10 А и более называют силовыми. Мощные транзисторы подразделяют на низковольтные и высоковольтные, хотя указанное разбиение достаточно условно. Еще не так давно транзисторы с пробивным напряжением коллектор— база t/кьпроб —80-МОО В называли высоковольтными, сейчас же, когда выпускаются транзисторы с ?/квпроб> > 1 кВ, под высоковольтными принято понимать транзисторы с [/квпроб>400-:-500 В. Подавляющее большинство мощных транзисторов изготовляются на основе кремния с применением диффузионной технологии и имеют п+-р-п-п+ структуру. Низковольтные мощные транзисторы имеют