Мощностью потребленияРазность между мощностью, потребляемой катушкой, и мощностью, затрачиваемой на нагрев обмотки, равна потерям мощности в стали сердечника
Применительно к ЭХ Г в качестве зарядной мощности Р, принимают среднюю мощность, затраченную на получение горючего и окислителя, например водорода и кислорода при электролизе воды. Значение /*, для АБ определяется средней мощностью, потребляемой батареей от источника электропитания за время заряда. Для ЭХН, выполненных на основе ТЭ или аккумуляторных элементов, разрядной мощностью Рр является электрическая мощность, которая поступает о г накопителя в цепь нагрузки.
Лр,-^н//3; мгновенной зарядной мощностью, потребляемой ЕН,
Электроизмерительные приборы характеризуются: диапазоном измерений; погрешностями; чувствительностью; мощностью, потребляемой от источника измеряемой величины; зависимостью показаний от влияющих величин (температуры окружающей среды, формы кривой и частоты измеряемого тока или напряжения и т. д.).
Сдвиг фаз ф между током /эк и напряжением U определяется активной мощностью, потребляемой катушкой : Р = UI3K cos ф.
К началу 70-х годов схемотехника на БТ обеспечивала более высокое быстродействие, но оказалось не способной конкурировать с МОП-схемотехникой из-за большой потребляемой мощности и больших размеров. Не случайно поэтому первые БИС были созданы на основе МОП-элементов. С появлением И2Л положение резко изменилось. По плотности компоновки, мощности рассеяния и произведению Pt3 схемотехника на БТ превзошла МОП-схемотехнику. Однако прогресс технологии МОП-схем сделал экономически оправданной реализацию КМОП-элементов. В результате и КМОП схемотехника оказалась на некоторое время вне конкуренции по потребляемой мощности при низкой рабочей частоте. С повышением рабочей частоты мощность, потребляемая схемами КМОП, становится сравнимой с мощностью, потребляемой схемами ЭСЛ. Существенным недостатком КМОП-схем является сравнительно высокое напряжение питания.
Цепи напряжения УРЗ всех присоединений данной системы шин питаются от одного трансформатора напряжения. Здесь снижение потребляемой мощности очень, важно, так как все время растет оснащенность объектов новыми видами УРЗ и автоматики и соответственно потребляемая ими мощность. Однако и тут для УРЗ также вполне достаточно добиться, чтобы потребляемая цепями: напряжения мощность была на порядок меньше или хотя бы соизмерима с мощностью, потребляемой теми же цепями измерительных приборов (ваттметров, счетчиков активной и реактивной энер* ги и дрГ) данного присоединения. Последняя обычно составляет единицы ватт.
Потребляемая мощность Р, логические уровни, помехоустойчивость, нагрузочная способность и другие параметры БИС ЗУ аналогичны параметрам других типов цифровых ИМС. В отдельных случаях БИС ЗУ характеризуются удельной потребляемой мощностью PQ, т. е. мощностью, потребляемой БИС, отнесенной к ее информационной емкости, или током /пот, потребляемым от источника питания.
При вращении роторов против поля (s> 1) подведенная с вала к первой машине мощность Рмех1 складывается с мощностью, потребляемой со стороны статора, и передается через роторную цепь другой машине ( 5.17), т. е. при s> 1 первая машина работает в тормозном режиме (режим торможения противовключением), потребляя мощность из сети и с вала; вторая машина частично генерирует энергию в сеть и, кроме того, развивает двигательный момент.
Идентичность уравнений (5.14) и (5.15), однако, не означает, что при переключении нагрузки со звезды на треугольник мощность, потребляемая цепью, не изменяется. Нетрудно видеть, что при таком переключении и заданном С/л мощность, потребляемая цепью, увеличивается в 3 раза по сравнению с мощностью, потребляемой при соединении звездой (для доказательства достаточно в общее уравнение для Р подставить соответствующие значения /л и [7Л).
другое, мощностью потребляемой цепью управления ключа. Рассмотрим работу БТ и ПТ в режиме ключа цифровых сигналов.
Стремление уменьшить габаритные размеры и потребляемую мощность дисплеев, работающих в составе ПК, стимулировали исследования новых подходов для создания малогабаритных плоских дисплеев с небольшей мощностью потребления. Такие дисплеи создаются на основе жидких кристаллов, плазменных элементов, электролюминесцентных приборов, плоских ЭЛТ[21].
Вакуумно-люминесцентные индикаторы обладают следующими достоинствами: высокой яркостью свечения, низким напряжением питания (20—25 В), позволяющим применять для управления интегральные микросхемы, большим углом обзора (120—140°), малой мощностью потребления.
Логические элементы на МОП-транзисторах обладают малой мощностью потребления и большим входным сопротивлением. На 8.28 приведена схема МОП-элемента ИЛИ — НЕ, выполненного на транзисторах с каналом п-типа. Здесь транзистор Тл играет роль нагрузочного резистора, включенного в общей стоковой цепи транзисторов Tlt T2 и Т3. При сигнале «О» (низкий уровень) на входах все транзисторы закрыты и на выходе действует сигнал «1» (потенциал +?).
(2, 4, 6, 8 или 16), быстродействием (200-8000 тысяч операций в секунду), мощностью потребления (от сотых долей ватта для МПК типа КМОП до 2-3 Вт для МПК типа ТТЛШ и ЭСЛ).
Микромощные ОУ характеризуются малой мощностью потребления и предназначены для применения в аппаратуре, работающей в режиме ожидания (в большинстве случаев с батарейным источником питания). Разработаны ИМС микромощных ОУ, параметры которых приведены в табл. 7.4. В основу их построения положены двухкаскадная схема усиления и комплементарные биполярные транзисторы, причем транзисторы типа р-п-р формируются с вертикальными р-п-переходами.
зажим, маркированный знаком «+», был для тока входным, а отрицательный, отмеченный знаком «—»,— выходным. Эти приборы характерны сложной конструкцией и относительно высокой стоимостью, имеют равномерную шкалу, отличаются высокой точностью и чувствительностью, небольшой мощностью потребления электрической энергии, достаточной устойчивостью к перегрузкам. Внешние магнитные поля и изменение температуры окружающего воздуха оказывают малое влияние на их показания.
Приборы электромагнитной системы используют в цепях постоянного и переменного токов для измерения тока и напряжения. Они характерны простотой конструкции и невысокой стоимостью, высокой перегрузочной способностью, меньшей точностью измерений по сравнению с приборами магнитоэлектрической системы, повышенной мощностью потребления электрической энергии и заметной зависимостью показаний от внешних магнитных полей, которая может быть ослаблена применением стального кожуха, играющего роль магнитного экрана. В астатических приборах с двумя отдельными измерительными системами и последовательно соединенными обмотками, где устанавливается измеряемый ток, внешнее магнитное поле ослабляет магнитное поле одной обмотки и усиливает магнитное поле другой обмотки, что практически не сказывается на показаниях приборов.
имеют неравномерную шкалу у амперметров и вольтметров и практически равномерную у ваттметров, отличаются высокой точностью измерений в цепях переменного тока, значительной мощностью потребления электрической энергии, не выносят перегрузку и на их показания сильно сказываются внешние магнитные поля. Экранировка и астатическое построение измерительной системы уменьшают влияние внешних магнитных полей на точность измерения.
Для применения в аппаратуре, работающей в режиме ожидания (часто с автономным питанием), требуются ОУ, потребляющие малую мощность от источника питания. Примером такого ОУ является микросхема К1423УД1, предназначенная для работы в устройствах с ограниченной мощностью потребления, для построения высокочувствительных фотоприемных устройств, добротных фильтров, устройств выборки и хранения и др.
При поддержке фирмы RCA было разработано первое семейство логических элементов на МОП-транзисторах, КМОП-логика серии 4000. Эти элементы обладали нулевой мощностью потребления в состоянии покоя и широким диапазоном напряжения питания (от +3 до + 12 В). Выходы имели размах, равный напряжению питания, а входы не «оттягивали» ток. Это были хорошие новости, но были и плохие - скорость (1 МГц при питании 10 В) и цена (20 долл. за корпус с четырьмя вентилями). Несмотря на цену на микромощных КМОП-элементах выросло целое поколение разработчиков устройств с батарейным питанием, просто не было другого выбора. Работая с легко «ранимыми» входами, разработчики поняли истинное значение статического электричества.
Субнаносекундные цифровые микросхемы серии К1500 отличаются большой мощностью потребления Рпот=250...750 мВт. Такие микросхемы размещаются поэтому в корпусах, имеющих не только большое число выводов, но и способных отводить от кристалла мощности на уровне 1 Вт. Конструктивных исполнений таких малогабаритных корпусов, как правило, несколько. Например, для микросхем серии MECL 100 000 приняты два корпуса: пластмассовый DIP (два ряда выводов) и плоский керамический SLIM (планарное расположение выводов). На 3.36 показано взаимное соответствие нумерации выводов для таких корпусов. Следует отметить, что все временные параметры микросхемы в корпусе SLIM лучше примерно на 0,2 не. Нумерация выводов для микросхем серии К1500, размещенных в керамическом корпусе с пла-нарно расположенными выводами {шаг 1,25 мм), соответствует корпусу ( З.Зб.а).
Похожие определения: Модулированное колебание Молниеотводов одинаковой Магнитной нелинейности Монтажные отверстия Мосэнерго ленэнерго Московского государственного Мультивибратора определяется
|