Множество состояний

Исследования показали, что жидкостные системы имеют ряд важных преимуществ перед системами на основе твердых тел, прежде всего к ним следует отнести компактность и многофункциональность жидкостных элементов, где в небольшом объеме может происходить одновременно с разной скоростью множество разнообразных физико-химических процессов. Эти системы надежны и обеспечивают возможность изменения своей внутренней структуры, т. е. внутреннего управления. Наибо.те характерным примером жидкостной системы является человеческий мозг.

В настоящее время существует множество разнообразных по принципу действия и назначению ИП различных физических величин. В то же время с развитием науки и техники имеет место дальнейшее их усовершенствование, возникают новые их виды. Изучение всего разнообразия ИП невозможно без систематизации их свойств, без классификации.

Исследования показали, что жидкостные системы имеют ряд важных преимуществ перед системами на основе твердых тел, прежде всего к ним следует отнести компактность и многофункциональность жидкостных элементов, где в небольшом объеме может происходить одновременно с разной скоростью множество разнообразных физико-химических процессов. Эти системы надежны и обеспечивают возможность изменения своей внутренней структуры, т. е. внутреннего управления. Наиболее характерным примером жидкостной системы является человеческий мозг.

описывающее бесконечное множество разнообразных задач, допускает бесконечное число линейно независимых частных решений.

используется множество разнообразных логических устройств, которые могут выполняться в виде специализированных интегральных микросхем (ИМС) . Однако это не всегда экономично, поскольку производство специализированных ИМС, предназначенных для выполнения хотя и сложных, но все же частных операций, невелико. Намного экономичнее универсальные базовые логические элементы (ЛЭ), из которых собирают логические схемы любой сложности и различного назначения.

Существует множество разнообразных технологических процессов, которые нуждаются в этой теплоте (табл. 8.3). Один из них рассмотрим здесь подробно.

В конце этой главы хотелось бы предостеречь читателя от некоторых скороспелых выводов относительно очень близкого сходства между ядрами и каплями жидкости. Хотя эта аналогия оказалась очень удобной для качественного понимания процесса ядерного деления, она не может отразить все детали этого процесса, поскольку в ядре имеется множество разнообразных сил в отличие от капли жидкости, где действует лишь одна-единственная сила поверхностного натяжения. Так, например, в капле жидкости нет ничего похожего на стремление нуклонов сгруппироваться в оболочки, с чем связано наличие «магических чисел», о которых говорилось раньше. Благодаря последнему свойству ядро ура-на-236 легче расщепить асимметрично —*- на два осколка с разными массовыми числами (обычно с А = 96 и 140).

Современная электротехническая промышленность выпускает множество разнообразных изделий: турбо- и гидрогенераторы, электрические машины, трансформаторы, электрическую аппаратуру, электротяговое, электросварочное, электротермическое и другое оборудование; выпрямители, аккумуляторы, провода, кабели и др. В зависимости от вида выпускаемой продукции различаются профили предприятий электротехнической промышленности.

Как мы уже видели ранее, соединяя триггеры Друг с другом, можно построить счетчик. Существует поразительное множество разнообразных устройств такого типа, выполненных в одном корпусе. Попытаемся выяснить некоторые их характерные особенности.

В настоящее время промышленность выпускает множество разнообразных автоматов.

Кристаллическая структура, примеси и поверхностные состоя' ния. Хотя в окисном слое имеется множество различных кристаллических дефектов, но если они не оказывают электрического влияния на действие ИС, то сам факт их существования не составляет проблемы. Однако на практике имеется множество разнообразных, электрически заряженных дефектов, оказывающих значительное отрицательное влияние. Можно выделить укрупненно 3 вида таких дефектов. Первый вид — это примесные (положительные) ионы металлов. Второй вид дефектов — это центры заряда (в большинстве случаев положительные), основанные на микроструктурных дефектах в окрестности границы Si—Si02. Третий вид дефектов — это центры заряда, возникшие в результате внедрения извне заряженных частиц и внешнего облучения или в результате проникновения изнутри кремния термоэлектронов и положительных дырок. Упомянутый второй вид дефектов дополнительно подразделяется на два вида — существующие на границе раздела и заряжаемые электронами и дырками с лицевой поверхности кремния быстрые поверхностные состояния и связанный электрический заряд в окрестности границы раздела.

1. Управляющий автомат с жесткой, или схемной, логикой. Для каждой операции, задаваемой, например, кодом операции команды, строится набор комбинационных схем, которые в нужных тактах возбуждают соответствующие управляющие сигналы. Другими словами, строится конечный автомат, в котором необходимое множество состояний представляется состояниями k запоминающих элементов:

Полученная композиция называется сетью автоматов, или схемой. При выполнении условий корректности композиция автоматов является автома'юм. Для описания функционирования композиции сопоставим узлам схемы двоичные переменные. Внешним входным (выходным) узлам соответствуют входные (выходные) переменные композиции, а входным (выходным) узлам автоматов — входные (выходные) переменные этих автоматов. Входной (выходной) алфавит композиции состоит из всех возможных наборов значений входных (выходных) переменных, а множество состояний является декартовым произведением множества состояний автоматов S1, ..., S".

Множество состояний С' МПА S' равно С' = Л' U U {с;}, где с,- — дополнительное состояние.

Обозначим символом At множество состояний, записанных в столбце ат t-тл подтаблицы переходов. Для нашего примера имеем Аг — {at, a3, «4, я6}; Л2 = {а7, ag, Оц};

А3 = {а*, а5, а10}. Символом подтаблица переходов для А* обозначим множество состояний, записанных в столбце as t-w. подтаблицы переходов. Имеем:

Символом А (ат) обозначим множество состояний, в которые возможен переход из состояния am за один такт работы автомата. Например,

Пусть Л о — множество состояний, на переход из которых не оказывают влияния входные сигналы. Если ат?А0, то D2(a,H) = D(am), D1(am)=0 и функции возбуждения распределяем между ПЛМ аналогичным образом.

Кодируя состояния, так же как и в § 5.2, образуем разбиение яя = {Яь Я2} с рг = ЯХ = k, % = Я2 = = R6 — k. При ориентировке на базовый ТЭЗ кодируем состояния так, чтобы одноименные разряды из Я2 для кодовых слов состояний из одного А (ат) были бы неортогональны. Пользуемся единственной таблицей л с 2h строками и 2R&~h столбцами. Если Л(ат)^2й, то все состояния из А (ат) размещаем в одном столбце таблицы [л. При нарушении неравенства выполняем следующие действия. С целью дополнительной разметки ГСА строим орграф Гт, отображающий фрагменты ГСА для подмас-СИВОБ переходов с \А (ат)\ > 2h. Орграф Гт имеет Л U V \ вершин, где А — множество состояний из А (ат) с

I. Множество состояний, связанных с ожиданием запросов пользователя или сообщений о выполнении функций обращения к системе:

Состояние системы в любой момент времени определяется состоянием отдельных ее элементов в этот момент. Если состояние i-го элемента в момент времени t обозначить через xt(t), то состояние системы можно записать в виде X(t) = [ x^t), ..., xn(t) ]. Понятно, что для системы, состоящей из п элементов, возможно 2" различных состояний. Все множество состояний системы принято называть фазовым пространством состояний. В общем случае фазовое пространство состояний, конечно, не обязательно является дискретным.

Как уже отмечалось выше, дифференциальные (и алгебраические) уравнения, записываемые для марковских процессов, являются уравнениями баланса "перетоков вероятностей". Обозначим через Gi подмножество состояний, из которых возможно непосредственное попадание в рассматриваемое состояние /, а через С,-'- подмножество состояний, в которые можно попасть непосредственно из состояния /. Изменение вероятности р{ (t), т.е. p. (t), осуществляется за счет "притоков" с интенсивностями А... из состояний j, принадлежащих подмножеству G-, а также за счет "оттоков" с интенсивностями А.„ в состояния/, принадлежащие подмножеству С,-.



Похожие определения:
Модуляции проводимости
Магнитной индукцией
Молибдена ориентации
Монокристалла полупроводника
Монотонно уменьшается
Монтажное отверстие
Московского энергетического

Яндекс.Метрика