Минимальное расстояние

ет. Току Od соответствует минимальное напряжение dd', равное активной составляющей напряжения. При этом эквивалентные синусоиды напряжения и тока совпадают по фазе, a UK немного превышает Uc (за счет активной составляющей). Точка d соответствует резонансу напряжения.

Можно заметно снизить мощность, рассеиваемую на транзисторе Т>2, если коллекторную цепь транзистора Т\\ питать от дополнительного маломощного источника Uвх 2 ( 3.13, г). Теперь минимальное напряжение на транзисторе Тм можно принять равным 2 В. Повторение предыдущего расчета показывает, что максимальное напряжение на транзисторе Тц уменьшается до 4,8 В, а мощность — до 24 Вт.

Минимальное напряжение источника питания

7.26. В коллекторной цепи транзисторного усилителя с нагрузкой в виде параллельно соединенных резистора R = 5 кОм и емкости С = 20 пФ протекает ток с постоянной составляющей /п=1 мА. Определить напряжение шума, создаваемое дробовым эффектом, а также минимальное напряжение входного сигнала, при котором сигнал/шум на выходе не менее 10 дБ. Коэффициент усиления усилителя Ку = 50.

4.7. Определите минимальное напряжение, на которое может быть сделан вольтметр на базе электродинамического механизма задачи 4,3, чтобы в диапазоне температур 20±15°С его температурная погрешность не превышала б( = ±0,5 %. Температурными изменениями W и сопротивлений пружин пренебречь. Температурный коэффициент обмоток катушек ро=4 % на 10 "С.

Номинальное напряжение коллекторного питания схемы равно сумме номинальных напряжений стабилизации стабилитронов и составляет 22 В. При неблагоприятных сочетаниях параметров стабилитронов минимальное напряжение коллекторного питания составит 18,1 В, а максимальное 26,5В (см. табл. 3.5).

Минимальное напряжение на катушке реле KL, когда транзистор VT2 находится в режиме насыщения, с учетом неблагоприятных сочетаний параметров элементов схемы равно:

Напряжение, приложенное к электрической изоляции, должно быть значительно ниже того значения, при котором электроизоляционный материал разрушается. Разрушение может происходить в результате сквозного электрического разряда через материал; это явление называют электрическим пробоем, а минимальное напряжение, вызывающее электрический пробой,— пробивным напряжением ?/пр. В некоторых случаях при напряжении, более низком, нежели (/пр, начинается поверхностный электрический раз-ряд, не распространяющийся на значительную глубину материала; такое явление называется поверхностным пробоем. Напряжение,

на определенном расстоянии друг от друга два электрода. В промежуток между ними подают по каплям раствор соли заданного состава и, ступенями повышая приложенное напряжение, находят на каждой ступени после подачи. 50 капель раствора значение тока. Ступень напряжения, на которой «50-капельный» ток достигает заданного значения /трек. а на поверхности появляются треки, замыкающие электроды накоротко, определяет значение напряжения тренинга (Утрек- Таким образом, (/трек — это минимальное напряжение, соответствующее образованию короткозамыкающих треков между электродами и появлению тока /трек установленного значения. Напряжение (Утрек может служить характеристикой материала лишь при определенных условиях опыта. Иногда испытание проводят иначе. На каждой ступени напряжения фиксируют время (пропорциональное числу равномерно падающих капель), в течение которого ток достигает заданного значения. Если увеличивать напряжение U (каждый раз заменяя образец новым), то время / или, что то же, число капель уменьшается. Проведя асимптоту к кривой t ({/), находят на ее пересечении с осью абсцисс напряжение трекинга

Основное назначение ИМС К295КТ1А-Г— оптронное реле постоянного тока. ИМС рассчитаны на напряжение питания от 12 В ±10 % (К295КТ1А) до 100 В ±10 % (К295КТ1Г). В остальном их параметры примерно одинаковы. Минимальное напряжение включения и выключения 4,6 В,выходной ток утечки не более 50 мкА, рассеиваемая мощность при температуре до 35°С составляет 500 мВт, напряжение изоляции 100 В.

ИМС К295АПА-Д ( 3.15, б) используют в качестве оптоэлектронных одновибраторов. Минимальное напряжение включения микросхем 3,6 В, ток включения 25 мА, выходной ток утечки не более 50 мА, напряжение питания 12 В ±10 % (К295АПА), 27 В ±10 % (К295АПБ-В) и 48В ±10 % (К295АПГ-Д).

Способность кода обнаруживать или исправлять ошибки определяется так называемым минимальным кодовым расстоянием. Кодовым расстоянием между двумя словами называется число разрядов, в которых символы слов не совпадают. Если длина слова п, то кодовое расстояние может принимать значения от 1 до п. Минимальным кодовым расстоянием данного кода называется минимальное расстояние между двумя любыми словами в этом коде. Если имеется хотя бы одна пара слов, отличающихся друг от друга только в одном разряде, то минимальное расстояние данного кода равно 1.

Простой (неизбыточный) код имеет минимальное расстояние dmin=\. Для избыточных кодов dmin>\. Если dmln^2, то любые два слова в данном коде отличаются не менее чем в двух разрядах, следовательно, любая одиночная ошибка приведет к появлению запрещенного слова и может быть обнаружена. Если dmin = 3, то любая одиночная ошибка создает запрещенное слово, отличающееся от правильного в одном разряде, а от любого другого разрешенного слова — в двух разрядах. Заменив запрещенное слово ближайшим к нему (в смысле кодового расстояния) разрешенным словом, можно исправить одиночную ошибку.

Действительно, одновременная ошибка в г разрядах слова создает новое слово, отстоящее от первого на расстоянии г. Чтобы оно не совпало с каким-либо другим разрешенным словом, минимальное расстояние между двумя разрешенными словами должно быть хотя бы на единицу больше, чем г.

Перед установкой на ПП гибкие выводы ЭРЭ формуют, т. е. с помощью технологической оснастки их изгибают так, чтобы форма выводов соответствовала способу установки ЭРЭ. Минимальное расстояние от корпуса ЭРЭ до места изгиба, а также до места пайки обычно указано в ГОСТе или ТУ на ЭРЭ. При отсутствии таких указаний расстояние от корпуса ЭРЭ до оси изогнутого вывода должно быть не менее 2,0 мм, а до места пайки— не менее 2,5 мм.

40 Гц. Тогда минимальное расстояние между соседними несущими частотами составит

< 2{h—hlmjn), где hlmin - минимальное расстояние от стали сердечника статора до опорной плоскости машины ( 8.18), включающее толщину корпуса ^>корп и расстояние от корпуса до опорной плоскости Н2. Если машина выполняется со сварной станиной, то допустимое расстояние hlmin уменьшается. В том случае, когда /г( > hlmin, в нижней части корпуса сребренных двигателей исполнения со степенью защиты IP44 размещают несколько охлаждающих ребер, высота которых может быть меньше, чем у расположенных на верхней и боковых частях корпуса.

приближенным соотношением *mai /г = 2-1012 см~:, зависящим от концентрации легирующей примеси. Наличие туннельного эффекта для структур с барьером Шотки ограничивает максимальную концентрацию примеси значением 1017 см~3. Минимальное расстояние до поверхности, на котором можно измерить профкль легирования, зависит от толщины обедненного слоя при нулевом смещении структуры.

Исходными данными для трассировки печатных проводников являются: результаты размещения элементов, крепежных и технологических отверстий; ширина hn печатного проводника (для устройств, работающих в области низких и средних частот, выбирается в зависимости от максимального тока); диаметр контактной площадки dK=d+C (d — диаметр неметаллизированного монтажного отверстия) должен быть на 0,2 мм больше при диаметре вывода монтируемого элемента ds^.l мм и на 0,3 мм при dB>l мм; С=0,55-=-0,8 — константа; минимальное расстояние ftmin между печатными проводниками, которое определяется исходя из обеспечения электрической прочности и электромагнитной совместимости между входом и выходом фильтра.

При компоновке «этажерки» необходимо принимать во внимание, что расстояние между платами должно быть кратно шагу сборки, равному 0,25 мм (определяется оборудованием предприятия), а минимальное расстояние между ближайшими поверхностями и гранями микроэлементов — не менее 0,2 мм ( 3.24), так как данный зазор предотвращает короткие замыкания и обеспечивает проникновение в объем конструкции герметизирующего наполнителя. Шаг S, установки микроплаты вычисляют (в зависимости от взаимного положения микроэлементов) по одной из следующих формул: 5^0,2-f /max; S2>0,2+/iraaxl+/imax2—tmin2; 53^0,2+/imax' гДе /гшах=/1+Д^ — максимальная высота микроэлемента; h — номинальная высота микроэлемента; Л/г — предельное отклонение размера /г; tmax = t+ht; tmm = t—Л г1 — предельные размеры толщины микроплаты; / — номинальная толщина микроплаты; Дг1 — предельное отклонение размера t. Полученное значение Si округляют до ближайшего большего значения: S;=0,25n, где п=3, 4, 5 и т. д.

При выборе межцентрового расстояния L, высоты Я и других размеров следует учитывать, что для всех типов ЭРЭ ограничено минимальное расстояние от корпуса элемента, на котором можно производить гибку вывода, и минимальное расстояние от корпуса до места приложения паяльника Рис Ш6 Установка элементов с аксиаль-при пайке. Эти ограничения су- ными выводами

Минимальное расстояние между областями отдельных элементов определяют исходя из следующих факторов, возникающих в процессе эксплуатации схемы: