Микросхем применяют

Конструктивное исполнение пленочных микросхем позволяет осуществить мощные (до 100 Вт) электрические схемы, работающие при больших значениях напряжения. Активные элементы пленочных микросхем выполняются в виде дискретных бескорпусных транзисторов, диодов, матриц диодов или бескорпусных микросхем.

ные резонансные системы. Микроминиатюрное исполнение микросхем позволяет вплоть до К » 10 см применять для создания резонаторов сосредоточенные LC-элементы. Реализуются резонансные контуры с добротностью Q ^ 100.

В современных приемоиндикаторах все операции поиска, слежения и измерения полностью автоматизированы. Различают аналоговые и цифровые приемоинди-каторы. Аналоговые устройства основаны на применении электромеханических следящих систем. Они обладают большими инерционностью, массой и габаритами. Наиболее перспективными являются цифровые приемо-индикаторы. Применение микросхем позволяет уменьшить массу, габариты и потребляемую мощность. В цифровых системах используют близкие к оптимальным методы обработки сигналов, что повышает точность работы и помехоустойчивость.

Цифровая техника применяется для обработки цифровой информации очень давно. Цифровые системы были использованы в первых вычислительных машинах (40-е годы), построенных на электромагнитных реле и электронных лампах. Появление полупроводниковых приборов, а в дальнейшем и интегральных микросхем дало новый толчок развитию цифровой техники. Интегральные микросхемы стали основной технической базой современных электронных вычислительных машин. Непрерывное повышение степени интеграции микросхем позволяет создавать на одном кристалле полупроводника цифровые системы, эквивалентные вычислительным машинам четвертого поколения (на больших и сверхбольших интегральных микросхемах).

Современная технологии гибридных интегральных микросхем позволяет получить плотность пассивных и активных элементов порядка 100 см~2, при этом более высокую плотность имеют тонкопленочные схемы.

Интересно широкое применение усилителей постоянного тока в интегральном исполнении. Известные недостатки этих усилителей (см. § 7.5) в ИМС могут быть существенно уменьшены за счет снижения температурного разброса характеристик транзисторов. Технология изготовления интегральных микросхем позволяет получить пару практически идентичных по параметрам транзисторов, а близкое расположение в блоке ставит их в равные температурные условия.

Цифровые телеизмерительные системы обладают рядом достоинств, из которых наиболее существенными являются хорошие метрологические характеристики, возможность работы по различным каналам связи, высокая помехоустойчивость и возможность ввода измерительной информации в электронные вычислительные машины для ее обработки. Но эти системы сравнительно сложные. Однако развитие микроэлектроники, создание интегральных микросхем позволяет создавать компактные и надежные конструкции блоков системы, что и обеспечивает перспективность применения систем этой группы.

Применение микромощных и нановаттных .микросхем позволяет сократить габариты и массу источников питания вычислительных устройств « приборов. Использование их особенно важно в БИС, где весьма трудно решаются проблемы теплоотвода. Кроме того, такие микросхемы позволяют значительно снизить расходы при длительной эксплуатации аппаратуры.

менение интегральных микросхем позволяет уменьшить объем и вес комплекса по сравнению с обычным ламповым исполнением в 20 000 раз и более.

Применение интегральных микросхем позволяет уменьшить габариты аппаратуры и ее массу в несколько раз. Это объясняется тем, что элементы интегральных микросхем весьма малы — их размеры составляют единицы и десятые доли микрона. Малые габариты интегральных микросхем и малое потребление ими электрической энергии дают возможность осуществить комплексную микроминиатюризацию всех компонентов электронной аппаратуры. В настоящее время уже разработаны и применяются миниатюрные трансформаторы, переключатели, разъемы, провода и кабели, катушки индуктивности и другие радиодетали.

— большая ширина запрещенной зоны кремния и меньшие при этом обратные токи переходов, что уменьшает паразитные связи между элементами микросхем, /позволяет создавать микросхемы, работоспособные при повышенных температурах (до +120°С), и микромощные схемы, работающие при малых уровнях рабочих токов (менее 1 мкА);

В качестве керамических материалов для подложек микросхем применяют высокоглиноземную керамику ВК98-1 и ВК100-1 (см. § 9.1). Типовой технологический процесс изготовления керамических подложек содержит этапы: подготовки сырьевых материалов; приготовления технологических керамических материалов (порошка, шликера или пластичной массы); формообразования сырых заготовок; обжига загото-

Для производства корпусов микросхем применяют высоко-глиноземную керамику марки BK98-I (см. 9.1) и специально разработанный глинозем марки ГКИС (глинозем корпусов

Вакуумные насосы. В установках для изготовления тонкопленоч'ных микросхем применяют следующие основные способы откачки:

Для монтажа тонкопленочных микросхем применяют установку термокомпрессиониой сварки типа ЭМ-421А с совместным нагревом столика и инструмента. В установке ЭМ-439А присоединение проволочного вывода к пленке или внешнему выводу ИС осуществляется оплавленным шариком.

торец инструмента. Перспективным является инструмент с боковым отверстием для подачи проволоки, который применен в установке УЗП-02М. Из других установок ультразвуковой сварки для монтажа гибридных тонкопленочных микросхем применяют установки УЗСН-1, УЗС-1, ЭМ-423. Производительность последней составляет до 3000 сварок в час.

Для гибридных интегральных микросхем применяют в основном три вида корпусов: металлостеклянный круглый, металлокерамический плоский и металлостеклянный плоский.

Вакуумные насосы. В установках для изготовления тонкопленоч'ных микросхем применяют следующие основные способы откачки:

Для формирования транзисторных структур и их изоляции, т. е. для создания элементов полупроводниковых микросхем применяют следующие технологические процессы: окисление кремния, фотолитографию, диффузию и еп'итаксиальное наращивание.

Известны две разновидности полевых приборов: транзисторы с управляющим /?-я-переходом и транзисторы с изолированным затвором, или МДП-транзисторы. В технике интегральных микросхем применяют только МДП-транзисторы, которые изготовляют по пленарной технологии. В полевых транзисторах электрод, от которого начинают движение основные .носители в канале, называется истоком, а электрод, « которому перемещаются основные носители,— стоком. Канал — это область полупроводника, по которой между истоком и стоком протекает ток основных носителей, затвор — управляющий электрод. МДП-транзисторы —это четы-рехполюсные полупроводниковые приборы. Кроме истока, стока и затвора, они имеют четвертый дополнительный электрод, присоединенный к подложке — полупроводниковой области, на основе

После разделения выбраковывают негодные микросхемы, а остальные кристаллы очищают от кремниевой пыли и других 'посторонних частиц. Очищенные кристаллы, содержащие одну или несколько -схем, поступают н>а участок сборки, оде их монтируют в корпус, присоединяют выводы, герметизируют и маркируют. Корпус 'интегральной микросхемы должен иметь достаточную механическую прочность, небольшие размеры, хорошую герметичность и обеспечивать высокие электрические характеристики схемы. Для полупроводниковых интегральных микросхем применяют в основном следующие типы корпусов:

Для гибридных интегральных микросхем применяют в основном три ,вида корпусов: металлостеклянный квадратный, металло-стеклянный круглый и корпус пенального вида. Металлостеклян-