Микросхемах используют

микросхемы управления мощными цепями

§ 3.7. Оптоэлектронные микросхемы управления мощными цепями..............77

Структурная схема микросхемы управления следующим адресом (УСА) показана на рис 6.10. Дешифратор (ДШ) имеет пять входов, на

Лекция 33. Интегральные микросхемы управления импульсными источниками электропитания

Поскольку принципы построения входного и выходного выпрямителей рассмотрены в Лекции 30, то ниже будут рассмотрены принципы построения высокочастотных регулируемых инверторов, а в Лекции 33 будут рассмотрены специализированные микросхемы управления импульсными ИВЭП.

Лекция 33. Интегральные микросхемы управления импульсными источниками электропитания

Лекция 33. Интегральные микросхемы управления

Виды микросхем для импульсных источников питания. В зависимости от вида преобразователя все микросхемы управления можно разделить на три группы:

• микросхемы управления импульсными стабилизаторами,

• микросхемы управления однотактными преобразователями,

• микросхемы управления двухтактными преобразователями. Микросхемы для управления импульсными стабилизаторами часто называют

В микросхемах используют пленочные плоские конденсаторы емкостью от 1 нФ до нескольких нанофарад, образованные двумя перекрывающимися у.частками проводника с диэлектрической прослойкой между ними ( 8.11, а). При толщине

В специальных случаях в полупроводниковых микросхемах используют биполярные транзисторы в сочетании с МДП- либо полевыми транзисторами с управляющим р-п переходом. Для изготовления таких микросхем требуется более сложная технология.

В качестве проводников первого слоя во многих микросхемах используют легированный поликристаллический кремний. Он образует омические контакты к областям того же типа проводимости и слабоинжектирующие переходы с областями противоположного типа. Иногда (например, в МДП-микросхемах) применяют два слоя поликремния и слой металла (верхний). Недостатком поликремниевых проводников является высокое сопротивление слоя (до 20...30 Ом/О). Оно снижается на порядок, если вместо поликремния использовать силициды (соединения с кремнием) тугоплавких металлов: Та, W, Мо и др. Они образуют хорошие омические и выпрямляющие контакты к кремнию, термостойки и обладают хорошей адгезией к кремнию и слою SiO2. Однако в СБИС при снижении толщины и ширины проводников из силицидов металлов, но сохранении достаточно большой длины их сопротивления все же недопустимо большие. В этом случае применяют тугоплавкие металлы, имеющие малое сопротивление слоя, плотность тока которых без электромиграции может быть в 20 ...40 раз больше, чем А1 (до (1...2)-106 А/см2). Например, молибденовый проводник шириной 3 мкм и толщиной 0,4 мкм имеет сопротивление слоя 0,14 Ом/П и предельный ток 10 мА. Для алюминия эти величины равны соответственно 0,06 Ом/П и 0,5 мА.

По технологическим и ряду других причин, связанных с электрофизическими параметрами полупроводниковых материалов, в микросхемах используют только кремниевые биполярные транзисторы. Наиболее широко применяют п-р-п транзисторы, так как вследствие большей подвижности электронов в базе они имеют лучшие электрические параметры — более высокие граничные частоты и быстродействие.

В некоторых аналоговых микросхемах используют полевые транзисторы с управляющим р-п переходом. Известно, что в отличие от биполярных полевые транзисторы характеризуются значительно большим входным сопротивлением и меньшим уровнем шумов, но уступают им по быстродействию и занимают большую площадь. Поэтому по-

В некоторых микросхемах используют как нормально открытые, так и нормально закрытые транзисторы. Для их создания на одном кристалле необходимы дополнительные технологические операции. Один из вариантов технологии состоит в локальном стравливании части слоя 3 л-типа (см. 5.1). Тогда на более толстом слое л-типа получают нормально открытые транзисторы, а на более тонком — нормально закрытые. Последние называют транзисторами с заглубленным затвором. В другом варианте используют две операции селективного ионного легирования подложки из пол у изолирующего арсенида галлия, с помощью которых последовательно формируют области п-ти-па для транзисторов разных типов.

В микросхемах используют пленочные плоские конденсаторы емкостью от 1 нФ до нескольких нанофарад, образованные двумя перекрывающимися участками проводника с диэлектрической про-

Для интегральных микросхем любого типа основными и наиболее сложными элементами являются транзисторы, которые по физическому принципу подразделяются на биполярные и униполярные на МДП-структурах. В гибридных интегральных микросхемах используют бескорпусные дискретные биполярные транзисторы, изготовляемые на основе кремния по планарно-эпитаксиальной технологии. В полупроводниковых интегральных микросхемах применяют биполярные и МДП-транзисторы, изготовляемые в основном по планарной технологии. fc,

В качестве базового элемента в полупроводниковых микросхемах используют биполярные транзисторы в основном со структурой /г-р-п+-типа проводимости, изготовляемые по планарной или планарно-эпитаксиальной технологии, и униполярные транзисторы с МД'П-структурой одного или двух типов проводимости канала, изготовляемые по планаряой технологии.

В качестве внутрисхемных соединений в интегральных микросхемах используют металлическую рлзводку и высоколегированные диффузионные области, которые изготовляют одновременно с формированием областей истока и стока.