Микроамперметры миллиамперметры

16. Климов А. К., Лопухин В. А., Шеханов Ю. Ф. Регулировка электронной аппаратуры в микроэлектронном исполнении.—Л.: Энергоатомиздат, 1983.—96 с.

Первоначально под операционным усилителем подразумевали высококачественный усилитель постоянного тока, применявшийся в аналоговых вычислительных устройствах. Высокое качество дифференциальных усилителей в микроэлектронном исполнении сделало возможной разработку недорогих и обладающих высокими параметрами интегральных операционных усилителей.

Дифференциальные усилители используются как основной элемент в операционных усилителях, компараторах, стабилизаторах или в виде отдельной типовой интегральной микросхемы (ИМС). При микроэлектронном исполнении приведенный дрейф нуля, вызванный, например, изменением температуры, равен примерно 1 мкВ/град. В то же время при работе только одной из половин усилителя дрейф нуля составил бы около 2 мВ/град, т. е. возрос бы на три порядка. Столь малый дрейф нуля в дифференциальном усилителе микроэлектронного исполнения достигается за счет технологических и схемотехнических мер. К. технологическим мерам относится выполнение в едином технологическом цикле всех элементов дифференциального усилителя, особенно транзисторов Т\, Т2 и резисторов /?кь RKZ- Поэтому их основные параметры и температурные свойства практически одинаковы, что обеспечивает максимальную симметрию в усилителе. Включение транзисторов Т3, Т\ с резисторами ,R33, КБ з. RK.* ( 3.5) является схемотехнической мерой, направленной на большую температурную стабилизацию. Транзистор Т3 работает в режиме почти не изменяющегося тока при изменениях температуры. Такой режим обеспечивается, во-первых, выбором рабочей точки на пологом участке выходной характеристики транзи-,.стора, что достигается включением резисторов 7?эз, RE з необходимого номинала, а во-вторых, наличием транзистора Г4 в диодном включении в базовой цепи транзистора Т3, что компенсирует температурные смещения его входной характеристики.

Современные электронные полупроводниковые устройства в дискретном и особенно в микроэлектронном исполнении предъявляют очень жесткие требования к качеству потребляемой электрической энергии, которая должна иметь:

Резисторные матрицы R — 2R выпускаются промышленностью в микроэлектронном исполнении, например в виде интегральных микросхе.м серии 301.

Межячеечный и межблочный жгутовый электромонтаж заменяется электромонтажом, конструктивно и технологически согласующимся с элементной базой. Это гибкие шлейфы, промежуточные многослойные коммутационные платы (ячейки), миниатюрные многоканальные разъемы. Для обеспечения высокой помехозащищенности в электромонтаже применяют формирователи сигналов на входе и выходе линий связи в микроэлектронном исполнении. Особенно перспективно с точки зрения микроминиатюризации применение волоконной оптики.

Жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ) отличаются технологичностью, малой потребляемой мощностью, низким уровнем управляющих напряжений, совместимостью с элементной базой в микроэлектронном исполнении. На 3.11 приведен измерительный комплекс, представляющий собой нетрадиционную комбинацию осциллографа, цифрового мультиметра и других приборов.

Относительные показатели (уменьшение массы, объема, энергопотребления) стали особенно актуальными для РЭС в микроэлектронном исполнении.

Переход на элементную базу МЭА (микроэлектронные изделия) позволяет: 1) расширить возможности системного подхода; 2) распространить его на РЭС в целом, например изменить принципы организации РЭС—перенести выполнение части функций с наземной аппаратуры на бортовую; заменить в радиолокационной станции антенну с механическим сканированием луча на активную фазированную антенную решетку с электрическим сканированием луча; производить передачу информации не в аналоговой, а в цифровой форме; снизить стоимость и массогаба-ритные характеристики при одновременном повышении надежности путем замены механических и электромеханических компонентов электронными (в микроэлектронном исполнении), использования элементов в интегральном исполнении с новыми свойствами (транзисторных пар, изготовленных в едином технологическом цикле, жидкокристаллических индикаторов и т. д.). Все это позволяет улучшить показатели качества РЭС, но одновременно требует коренного изменения конструкции. В конечном счете структура РЭС и ее конструкция зависят от технологических возможностей производства. Поэтому при системном подходе подразумевается учет при конструировании не только схемотехнических, но и технологических факторов. Так, при проектировании полупроводниковой ИС разработчик должен оценить выгоду от использования транзистора как резистора или диода и, конечно, должен уметь рассчитывать взаимное влияние элементов.

Основные виды контактных соединений (неразъемные, ограниченно-разъемные, разъемные) появились задолго до появления РЭС в микроэлектронном исполнении. Однако создание микроэлектронной аппаратуры потребовало их дальнейшего развития с целью минимизации габаритов и массы, увеличения надежности; снижения стоимости производства и эксплуатации, обеспечения работы с милливольтовыми и микроамперными сигналами; повышения граничной частоты, обеспечения минимума излучения в окружающее пространство и т. д.

Тепловой режим характеризуется совокупностью температур всех элементов, из которых состоит РЭС, т. е. его температурным полем ( 3.1). Основными тенденциями эволюции современных РЭС в микроэлектронном исполнении являются увеличение их сложности и снижение габаритов, с одной стороны, и увеличение требований к стабильности параметров—с другой. Эти тенденции противоречивы, так как увеличение сложности и уменьшение габаритов приводят к увеличению напряженности теплового режима, а требование обеспечения стабильности параметров системы связано с необходимостью его облегчения.

Магнитоэлектрические приборы имеют наиболее широкое распространение. Промышленность выпускает измерители постоянного тока: микроамперметры, миллиамперметры и амперметры; измерители постоянного напряжения: микровольтметры, милливольтметры и вольтметры; измерители электрического сопротивления: омметры и мегомметры; нулевые индикаторы — гальванометры (стрелочные, зеркальные и с теневой стрелкой); измерители магнитного потока — веберметры; измерители функциональных зависимостей тока и напряжения — осциллографические гальванометры.

9. Микроамперметры, миллиамперметры и вольтметры типа М1131

58. Микроамперметры, миллиамперметры, амперметры, вольтметры и киловольтметры постоянного тока типа М366

Микроамперметры, миллиамперметры, амперметры, вольтметры и киловольт-метры типа М366 утопленного монтажа с непосредственным отсчетом предназначены для измерения в режиме частых включений в цепях постоянного тока.

Плрскопрофильные приборы типа М135 ( а) со световым указателем предназначены для измерения тока и напряжения (микроамперметры, миллиамперметры, измерители амперметров, .милливольтметры, вольтметры) и нулевых измерений (гальванометры) в цепях постоянного тока.

15. Микроамперметры, миллиамперметры, амперметры и вольтметры контактные типа М271К

Микроамперметры, миллиамперметры, амперметры и вольтметры контактные типа М271К предназначены для измерения тока и напряжения в цепях постоянного тока, а также для коммутирования электрических цепей постоянного тока при достижении измеряемой величины заданного значения. ЛПОГ

16. Миллиамперметры и микроамперметры : • типа М281К

Микроамперметры, миллиамперметры, милливольтметры, вольтметры контактные типа М284К предназначены для измерения тока и напряжения в цепях постоянного тока, а также для коммутирования электрических цепей постоянного или переменного тока при достижении измеряемой величиной заданного значения.

Микроамперметры, миллиамперметры (3.1.18), вольтметры, милливольтметры (5.1.13) и миллиампервольтметры (7.1.1) щитовые (26.1.4) (43.5.1)

(26.5.3) (43.1.13) Микроамперметры, миллиамперметры, амперметры (3.4.1), милливольтметры и вольтметры (5.4.1), гальванометры (8.1.1) плоскопрофильные щитовые (26.6.1) (43.1.9)