Металлическими контактамиПри использовании преобразователей с большим количеством электродов приходится считаться с эффектами второго порядка, обусловленными взаимодействием ПАВ с металлическими электродами. В первую очередь это относится к эффекту частичного отражения акустической волны, что приводит к искажению фронта ее распространения и к изрезанности амплитудно-частотных и фазо-частотных характеристик.
Устройства с газосветными лампами обычно используют для освещения букв, эмблем и реклам. Основной элемент освещения — газосветные лампы, представляющие собой круглую цилиндрическую трубку диаметром 18 мм с впаянными металлическими электродами и заполненную инертным газом с добавлением паров ртути.
в направлении, противоположном силе Лоренца, уменьшая поперечную составляющую тока. Очевидно, что чем короче образец, тем сильнее шунтирующее действие токовых э; ектродов. Для очень короткого образца холловское поле полностью закорочено и носители заряда перемещаются под действием си/ ы Лоренца под углом Холла относительно внешнего электрического поля. Закорачивание поля Холла металлическими электродами лежит в основе зависимости ЭДС и тока Холла от соотношения геометрических размеров образца и определяет эффект геометрического магнито-сопротивления.
Метод геометрического магнитосопротивления. Измерение подвижности носителей заряда данным методом основано на использовании соотношения (2.11), когда реализованы условия (2.10). Если образец короткий, холловское поле замыкается металлическими электродами, а электрическое поле направлено вдоль образца, то электрический ток протекает под углом Холла к направлению электрического поля. При этом эффект геометрического магнитосопротивления наблюдается даже в том случае, если эффект магнитосопротивления (2.9) при /у=0 в материале полностью отсутствует. Если, однако, этот эффект имеет место, то возникающее магнитосопротивление является комбинацией обоих эффек-
термопластов на тканой основе с целью тиснения узоров металлическими электродами или матрицами из ситалла. Такая обработка все шире распространяется в обувной и швейной промышленности.
Если между двумя металлическими электродами поместить тонкую (порядка 1 —10 мкм) диэлектрическую пленку, то мигри-руемые из металла электроны заполнят всю толщину пленки и напряжение, приложенное к такой системе, создаст ток в диэлектрике.
окисла толщиной d = 1000 А с металлическими электродами (затворами). При подаче отрицательного напряжения на затвор под ним (в полупроводнике) образуется область обеднения, которая является потенциальной ямой для неосновных носителей — дырок. Заряд неосновных носителей, инжектируемый в потенциальную яму, может некоторое время храниться в ней. Наличие заряда соответствует логической единице, отсутствие — нулю. Работа ПЗС характеризуется режимами хранения и передачи информации.
Напряженность электрического поля Е, создаваемого электретом /, помещенным между металлическими электродами 2 и 3, соединенными проводником так, как показано на 3-21, определяется из следующего соотношения:
электрет расположить между двумя металлическими электродами, соединенными проводником, и если имеется воздушный зазор между одним из электродов и поверхностью электрета, то в этом зазоре будет создаваться электрическое поле, которое зависит от зазоров, размеров электрода и заряда. При изменении воздушного зазора это поле, а следовательно, и индуцированные на электродах заряды будут изменяться, что вызовет появление импульсов тока в цепи, соединяющей электроды.
Полупроводником в транзисторах служит обычно кристаллический германий или кремний; природа переходов между полупроводником и различными металлическими электродами (эмиттером, коллектором и основанием) различна.
сти кремния с одним типом проводимости расплавляется металл или сплав, который сообщает прилегающему слою кремния противоположный тип проводимости. Диффузионный метод состоит в использовании явления диффузии примеси в виде паров или слоя, нанесенного на поверхность, в кремний с другим типом проводимости. Поверхности диода, находящиеся в непосредственном контакте с металлическими электродами, металлизируются путем химического осаждения никеля или другого металла.
Существует большое многообразие конструкций предохранителей с плавкой вставкой. Для напряжений до 250 В и токов примерно до 60 А широко применяются пробочные предохранители ( 16.3). Пробочный предохранитель состоит из основания 1, в которое ввертывается сменяемая при перегорании вставка 2 - так называемая пробка с резьбой, опирающаяся на неподвижный контакт 4. Пробка изготовляется из керамического материала и снабжается двумя металлическими контактами, между которыми припаивается плавкая проволока 3.
Существует большое многообразие конструкций предохранителей с плавкой вставкой. Для напряжений до 250 В и токов примерно до 60 А широко применяются пробочные предохранители ( 16.3). Пробочный предохранитель состоит из основания /, в которое ввертывается сменяемая при перегорании вставка 2 - так называемая пробка с резьбой, опирающаяся на неподвижный контакт 4. Пробка изготовляется Из керамического материала и снабжается двумя металлическими контактами, между которыми припаивается плавкая проволока 3.
Существует большое многообразие конструкций предохранителей с плавкой вставкой. Для напряжений до 250 В и токов примерно до 60 А широко применяются пробочные предохранители ( 16.3). Пробочный предохранитель состоит из основания У, в которое ввертывается сменяемая при перегорании вставка 2 - так называемая пробка с резьбой, опирающаяся на неподвижный контакт 4. Пробка изготовляется из керамического материала и снабжается двумя металлическими контактами, между которыми припаивается плавкая проволока _?.
Транзисторы с барьером Шотки используют в быстродействующих ключевых схемах, которые могут за очень короткое время перейти из состояния свысоким напряжением и малым током в состояние с н и з-ким напряжением и большим током. Идеальными ключевыми параметрами обладают механические ключи с металлическими контактами. У таких ключей в замкнутом состоянии падение напряжения на контактах не превышает 1 мкВ при токе 10 мА, а остаточный ток в разомкнутом состоянии менее 10~14 А. По этим параметрам механические ключи значительно превосходят электронные. Однако по быстродействию, сроку службы и надежности электронные ключи находятся вне конкуренции, что и определило их широкое применение в цифровых устройствах.
и соответствующей этому градиенту термо-ЭДС; нагрев образца электрическим током, протекающим через образец. Указанные явления необходимо учитывать не только при измерении удельной проводимости, но и во всех случаях, когда через измеряемый образец с металлическими контактами протекает электрический ток. Чтобы уменьшить погрешности, вызванные этими явлениями, ток через образец выбирается минимальным, но обеспечивающим необходимую точность- измерения тока и напряжения. Торцевые грани образца шлифуются абразивным порошком, после чего электролитически металлизируются. Абразивная обработка обеспечивает подавление инжекции носителей заряда.
Выражения (2.41) и (2.48) справедливы для образца бесконечных размеров, когда электрическое поле Холла отсутствует. Если пластина имеет конечные размеры, то электрическое поле Холла шунтируется металлическими контактами в меньшей степени и эффект геометрического магнитосопротивления уменьшается по сравнению с бесконечной пластиной. Таким обрагом, эффект геометрического магнитосопротивления зависит от геометрических размеров образца.
На 17.22 показаны схема устройства фоторезистора (а) и его условное обозначение (б). Пластину светочувствительного полупроводникового материала 4 закрепляют на подложке 1 из непроводящего материала (стекла, керамики, кварца), к полупроводнику крепят токоведущие электроды 2, изготовленные из некорродирующих материалов (серебра, золота, платины). Чаще всего чувствительные элементы помещают в пластмассовый или металлический корпус, который имеет отверстие для пропускания света 3. Часть светочувствительной полупроводниковой пластины между металлическими контактами является рабочей. В качестве светочувствительного материала в основном используют полупроводниковые соединения: сульфид или теллур ид кадмия, сернистый свинец, антимонид индия. Промышленностью выпускается большое количество типов фоторезисторов в различном конструктивном исполнении.
Научно-технический прогресс непосредственно связан с электровооруженностью производства, так как производительность труда пропорциональна его электровооруженности. Простой рост количества выпускаемых аппаратов не обеспечивает темпы электрификации страны. Необходимо непрерывное их совершенствование на основе развития общей теории электроаппаратостроения, углубления представлений о физике явлений, протекающих в электрических аппаратах, и умения применять законы электротехники при их проектировании. При снижении материалоемкости электрических аппаратов и трудозатрат на их изготовление требуется повышение уровней их напряжений и токов, быстродействия, надежности и ресурса. На базе новых технологий и материалов должны быть расширены работы по созданию бесконтактных (статических) аппаратов, аппаратов с жидко-металлическими контактами, по миниатюризации конструкций и модульному их исполнению.
такты, соединяемые затем с выводами. Поверхность светочувствительной пластины между металлическими контактами образует рабочую площадку фоторезистора, величина которой колеблется для различных приборов от 0,5 до 30 мм2.
такты, соединяемые затем с выводами. Поверхность светочувствительной пластины между металлическими контактами образует рабочую площадку фоторезистора, величина которой колеблется для различных приборов от 0,5 до 30 мм2.
Рассмотрим теперь прохождение тока через тонкую диэлектрическую пленку Д, заключенную между двумя одинаковыми металлическими контактами М ( 10.3, а). Если толщина d этой пленки меньше толщины слоя обогащения или обеднения L, то концентрация носителей заряда во всей пленке приблизительно постоянна и равна пк- Если, кроме того, d много больше длины свободного
Похожие определения: Микросхемы предназначенные Микросхема выполнена Микросхем управления Минимальные допустимые Минимальными искажениями Минимальная разрушающая Минимальной температуры
|