Межбазовое сопротивление

Для ядерного торможения производная (de./dp)n не может быть записана аналитически, так как выражение для потенциала межатомного взаимодействия Томаса — Ферми, положенное в основу расчетов теории ЛШШ, также не может быть получено в аналитическом виде. Зависимость (de/dp)n = =/(s) была рассчитана в числовой форме на ЭВМ, а методом численного интегрирования уравнения (6.6) были построены зависимости безразмерного пробега от безразмерной энергии для разных значений параметров k ( 6.4), удобные для инженерных расчетов.

Когда свободный атом, (молекула или ион) приближается к поверхности твердого тела, .происходит возмущение дискретных энергетических уровней его внеш-:них' электронов. Согласие теории межатомного взаимодействия возможны три предельных случая. В первом случае в результате взаимодействия атомов (или молекул) отсутствует обмен электронами между приблизившимся к поверхности свободным атомом и атомами поверхности, но происходит слабая поляризация свободного атома. Этот 1случай называется физической адсорбцией и энергия взаимодействия атома с поверхностью определяется силами Ван-дер-Ваальса. Во втором случае может происходить слабое химическое взаимодействие с образованием 'слабой гомеополярной связи. Это, случай слабой хемосорбции и, наконец, третий случай сильной хемосорбции, которая происходит в результате образования гетерополярной химической связи.

где / — скорость образования зародышей; / — поток падающих атомов; 7\ — температура подложки; No — число единичных адсорбированных атомов; YO — частота колебания адсорбированного атома; Еая — энергия адсорбции; Et — свободная энергия образования зародыша в результате межатомного взаимодействия; Еп.д — энергия поверхностной диффузии адсорбированных атомов.

Вакансией называется незаполненный по той или иной причине узел кристаллической решетки ( 1.3, а). В местах нахождения вакансий кристаллическая решетка искажена, там возникают местные внутренние напряжения, которые обусловлены нарушениями однородности сил межатомного взаимодействия, существующей в идеальной кристаллической решетке со всеми заполненными узлами.

цами покрывающей фазы необходимыми условиями являются термическая активация частиц, отсутствие взаимодействия частиц с газовой средой (окисление), необходимая кинетическая энергия частиц в момент удара о поверхность подложки. Прочность покрытия зависит, таким образом, от температуры частиц, скорости движения в газовом или плазменном потоке, времени взаимодействия. Кроме этого, важно, чтобы -коэффициенты линейного расширения подложки и покрытия были близки. Ударное давление расплавленной сфероидальной частицы является движущей силой физико-химического взаимодействия между частицами покрытия и подложкой. Расплавленные частицы при ударении о поверхность покрываемого изделия испытывают пластическую деформацию и растекаются. Это схематично показано на 65, Характер деформации зависит от вязкости расплавленных частиц, их скорости и уг,ла встречи с покрываемой поверхностью. Адгезия покрытия складывается из сил адгезии, ^возникающей при механическом зацеплении расплавленной и твердеющей частиц с поверхностью, сил межатомного взаимодействия (ваи- ™ сфсптеыой дер-ваальсовыми силами) и в меньшей частицы о жесткую степени химического взаимодействия подложку между соприкасающимися фазами: Поэтому адгезия в значительной степени зависит от состояния поверхности, которую нужно подготавливать соответствующим образом. Как правило, с увеличением скорости полета частиц прочность сцепления с подложкой возрастает. Определенную роль играет расстояние полета частиц. С уменьшением расстояния повышается температура капли, снижается ее вязкость, улучшается адгезия.

1. Схема межатомного взаимодействия:

Силы межатомного взаимодействия являются причиной установления общего геометрического пространственного порядка в расположении атомов, но они не в состоянии полностью подавить движение. Атомы в зависимости от температуры совершают колебания в общем случае в трех направлениях. Амплитуда колебаний тем больше, чем больше воздействия атомов среды. Естественно, что оно тем больше, чем выше температура. Среди огромного числа атомов (молекул) имеются такие, у которых амплитуда колебаний меньше средней (определяемой температурой), и такие, у которых амплитуда приобретает настолько большую величину, что межатомная связь разрывается. Атом приобретает такую энергию поступательного движения, что он в своем движении может преодолеть 3-4 межатомных расстояния, а затем закрепиться в нерегламентном месте решетки - в междоузлии.

га (расстояние между двумя столкновениями) частиц. В газах силы межатомного взаимодействия не играют существенной роли, поэтому переход атома от одной точки пространства к другой задерживается лишь цепью столкновений. Причем данный конкретный атом с некоторого момента может двигаться даже в противоположном направлении. Но в среднем фронт с инородными атомами все время будет продвигаться в направлении меньшей концентрации. Механизм диффузии таков, что часто приводит к парадоксальным явлениям.

Допустим, в цилиндре с поршнем находится газ. Если нагреть этот газ, то в цилиндре увеличится давление и поршень сможет произвести некоторую полезную работу. Микроскопически это связано с тем, что молекулы приобретают дополнительную кинетическую энергию и с большей энергией ударяются о днище поршня. Если бы все молекулы двигались упорядочение, то вся дополнительная энергия превратилась бы в работу. Но движение молекул хаотично. Часть молекул, забирая дополнительную энергию, просто увеличивает хаотичность движения. И чем выше температура, тем хуже порядок в структуре тела, больше тепла забирает беспорядок в движении. Это количество тепла, приходящееся на один градус, и есть энтропия. Более точно энтропия - это та часть тепла, которая идет на преодоление потенциальной энергии межатомного взаимодействия. Поэтому полезная работа F, выполняемая системой за счет внутренней энергии системы Е, определяется соотношением: F=Е - ГА S.

Как уже указывалось, силы межатомного взаимодействия имеют асимметричный характер, т.е. силы отталкивания увеличиваются с уменьшением межатомного расстояния гораздо быстрее, чем силы притяжения. В точке равновесия г0 силы притяжения уравновешиваются силами отталкивания (см. 1). При этом потенциальная энергия взаимодействия становится минимальной.

В процессе образования твердого тела или жидкости атомы переходят из фазы с более интенсивным поступательным движением в фазу с более ограниченным движением. И хотя уровень кинетической энергии и там, и здесь одинаков (Е = 3/2RT0 для поступательной энергии 1 моля вещества), в низкотемпературной фазе движение сопоставимо с потенциальной энергией взаимодействия, которая обусловливает среднее межатомное расстояние. Как только атом присоединяется к поверхности ( 16, о), он теряет часть энергии поступательного движения и начинает совершать колебания под воздействием сил межатомного взаимодействия. Избыток кинетической энергии передается частицам окружающей фазы и ее атомы приобретают допол-1 нительный стимул и большую интенсивность поступательного движения. Одновременно на поверхность раздела обрушивается град ударов, которые могут снова оторвать присоединившийся к поверхности атом. Если температура близка к температуре плавления, то так и происходит. Некоторые атомы присоединяются к поверхности, но такое же количество под воздействием окружающих атомов снова отрывается и уходит в среду с меньшей энергией взаимодействия.

Важнейшими параметрами однопереходных транзисторов являются ток включения /ВКЛ) рассеиваемая мощность Ртах и межбазовое сопротивление г6б2. Например, для транзистора КТ117А /ВКл = 20 мкА, Ртах = 300 мВт, гб вг =4-^-9 кОм. Однопереходные транзисторы используют обычно в качестве ключевых элементов в генераторах релаксационных колебаний.

межбазовое сопротивление J?BiB2— сопротивление между выводами Б1 и 52;

4 В; /Э0 = 3 -г- 10 мкА. Межбазовое сопротивление стержня #б = = 7 -f- 10 кОм.

Параметры однопереходного транзистора следующие: UKKl = r\E, где г) = 0,7 -f- 0,9 в зависимости от типа прибора, а величина питающего напряжения Е может находиться в пределах 7 ~- 30 В; /вкл«10-т-20мкА; /ВЬ1КЛ»Ы-6мА;(;выкл = 3-ИВ; /эо = 3-НОмкА. Межбазовое сопротивление стержня /?6 = 7-ь10 кОм.

где гт — коэффициент передачи транзистора; R&5 — межбазовое сопротивление транзистора; иЭб\ — падение напряжения на переходе эмиттер — база 61.

Rui~ сопротивление шунта между управляющим электродом и катодом тиристора Rccpp" сопротивление между сегментами или разрядами прибора с перекрестной коммутацией (сопротивления сегмент — сегмент, разряд — разряд) Лстат"" статическое сопротивление стабилитрона К„— сопротивление изоляции (сопротивление гальванической развязки) Rq5~ межбазовое сопротивление Зпер^ отрицательная проводимость перехода

Межбазовое сопротивление:

где ЛБ1Б2макс ~ межбазовое сопротивление при максимальной температуре: Лб1б2мин ~ межбазовое сопротивление при минимальной температуре:

^ЫБ2 — межбазовое сопротивление однопереходного транзистора; /?б — сопротивление в цепи база-источник питания; ^си.отк ~~ сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора; RBX — входное сопротивление; ЛВЬ1Х — выходное сопротивление; Лш — шумовое сопротивление полевого транзистора; Лн — сопротивление нагрузки;

Межбазовое сопротивление: при Г=298 К:

Межбазовое сопротивление при /б2Б1 = ' МА..... 4—12 kOv