Механических деформациях

Малозаглубленный насос второго контура ( 5.3) устанавливается на каждой петле в бак 14. В баке расположена двухза-ходная, сваренная из двух половин улитка 16. Для разогрева бака перед заполнением его натрием до температуры 250°С и автоматического ее поддержания в диапазоне 200—250°С на поверхности бака предусмотрены электронагреватели мощностью 54 кВт. В насосе второго контура в максимальной степени использованы те же узлы, что и в насосе первого контура. К ним относятся: уплотнение вала 5, стояночное уплотнение 4, верхний радиально-осевой подшипник 6, соединительная муфта 7. Нижний гидростатический подшипник повторяет конструкцию ГСП насоса первого контура, но имеет меньший диаметр (350 мм). Протечки натрия через ГСП до 180 м3/ч сливаются из бака по патрубку 2 в буферную емкость реактора. Давление газа в насосе второго контура •больше, чем в насосе первого контура, и равно 0,2 МПа. Поэтому его проточная часть, несмотря на малое заглубление, максимально упрощена, имеет колесо 15 одностороннего осевого всасывания и двухпоточный спиральный отвод. Уплотнение рабочих колес насосов первого и второго контуров осуществляется щелевыми лабиринтами, зазоры в которых (1—2 мм) выбраны несколько большими, что требуется по условиям сборки и бесконтактного вращения, на случай непредвиденных температурных или механических деформаций деталей. Максимально допустимое колебание уровня натрия в насосе первого контура составляет 1,5 м.

Тензорезистор — полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления от механических деформаций.

Тензодиод — полупроводниковый диод, в котором используется изменение вольт-амперной характеристики под действием механических деформаций.

Общие данные. Баки трансформаторов и автотрансформаторов заполняются маслом, которое используется как для целей изоляции, так и охлаждения. Бак снабжается расширителем ( 13.13), воздушный объем в верхней части которого сообщается с атмосферой. Бак часто имеет- также герметически закрытую мембраной выхлопную трубу, предохраняющую его от механических деформаций при взрывообразных выделениях газа.

Изменение проводимости полупроводников от изменения температуры или приложенного напряжения используется для создания терморезисторов и вари с тор о в. Проводимость полупроводников зависит также от механических воздействий, что позволяет создавать тензорезисторы, используемые для измерения механических деформаций, давлений, усилий, перемещений и т. д.

Описание процессов в конструкциях БИС с помощью уравнений в частных производных. С усложнением аппаратуры все более острой становится необходимость использования математических методов, позволяющих моделировать такие физические процессы в конструкциях радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), как распределение электрических и магнитных полей между элементами, явления теплопередачи, распределение механических деформаций. Названные процессы могут быть описаны системами дифференциальных уравнений в частных производных.

Для некоторых металлов удельное электрическое сопротивление практически не меняется под действием механических деформаций, а коэффициент k может быть для них принят равным k — 1 + 2ц. Так как коэффициент Пуассона для металлов имеет значение 0, 24... 0, 4, то значение коэффициента тензочувствительности часто считают примерно равным 1,48. ..1,8. В общем же случае коэффициент тензочувствительности проводника содержит составляющую, которая определяется изменением его удельного электрического сопротивления и может быть как положительной, так и отрицательной. Для металлов коэффициент тензочувствительности составляет 0,5... 4.

Преобразователи деформаций. Тензорезистивные преобразовательные элементы по принципу действия являются преобразователями механических деформаций, поэтому непосредственное применение они нашли в устройствах измерения деформаций. Тензорезистивный преобразовательный элемент Rr ( 6.18, а) той или иной конструкции приклеивается к исследуемому объекту 1 так, чтобы деформация объекта полностью воспринималась тензорезистором. Приклеивание осуществляется по технологии, описанной, например, в [84]. Выводы тен-зорезистора припаивают к контактной колодке 2. Контактная колодка также приклеивается к исследуемому объекту. Для защиты тензоре-зистора от влияния внешних факторов, а также обеспечения устойчивости к механическим воздействиям тензорезистор и монтажную схему покрывают специальным герметизирующим составом.

В некоторых металлах удельное сопротивление под действием механических деформаций изменяется незначительно; поэтому коэффициент К. для них может быть принят равным /С« 1 + 2ц. Так как коэффициент Пуассона для металлов имеет значение 0,24...0,4, то значение коэффициента К при этом примерно равно 1,48... 1,8. В общем случае удельное сопротивление металлов может изменяться под действием механических деформаций в несколько раз (при этом как в сторону увеличения, так и в сторону уменьшения); поэтому коэффициент относительной тензочувствительности для металлов лежит в пределах 0,5...4.

Диапазон внутренних механических напряжений в деталях механизмов и конструкций сравнительно неширокий (0...1500 МПа) и поэтому для их измерения чаще всего используют только тензорези-стивные преобразователи, которые по своему принципу действия являются непосредственными преобразователями механических деформаций.

Под численным значением магнитострикции понимают относительное изменение А/// = X длины / стержня, обусловленное воздействием внешнего магнитного поля, а эффект изменения магнитных свойств под влиянием механических деформаций называют магнитоупругим эффектом.

При механических деформациях в определенном направлении кристаллов кварца, титаната бария, сегнетовой соли и некоторых других веществ на их гранях возникают электрические заряды противоположных знаков. Это явление называют пьезоэффектом. Пьезоэлектрический эффект в кристаллах кварца наблюдается вдоль электрических осей кристалла, перпендикулярных его главной оси. Изменение направления деформации кристалла вызывает изменение знаков зарядов на противоположные.

При механических деформациях в определенном направлении кристаллов кварца, титаната бария, сегнетовой соли и некоторых других веществ на их гранях возникают электрические заряды противоположных знаков. Это явление называют пьезоэффектом. Пьезоэлектрический эффект в кристаллах кварца наблюдается вдоль электрических осей кристалла, перпендикулярных его главной оси. Изменение направления деформации кристалла вызывает изменение знаков зарядов на противоположные.

Почти все изделия из меди для электротехнической промышленности изготовляются путем проката, прессования и волочения. Волочение применяют для производства проводов диаметром до 0,005 мм, ленты толщиной до 0,1 мм и фольги толщиной до 0,008 мм. При механических деформациях медь подвергается наклепу, который может быть устранен термообработкой.

Электросветовые приборы могут быть основаны на явлении люминесценции. Люминесценция возникает при облучении вещества светом, бомбардировке его частицами высоких энергий, механических деформациях или воздействии электрического поля. При этом электроны вещества, поглотившие кванты энергии, переходят на более высокие энергетические уровни, где задерживаются на весьма непродолжительное время, после этого возвращаются в нормальное состояние, излучая излишек энергии. Для большинства веществ излучение наблюдается преимущественно в виде тепла (т. е. лежит в инфракрасной области спектра). Однако в некоторых веществах — люминофорах — излучаются фотоны видимого света. Люминесценцию принято различать по виду первичного энергетического воздействия на катодо-, электро-, фото-, рентгено- и триболюминесценцию и т. д.

Проводниковую медь получают из слитков путем гальванической очистки в электролитических ваннах. Даже ничтожное количество примесей резко снижает электрическую проводимость меди. Почти все изделия из меди для электротехнической промышленности изготовляются путем проката, прессовки и волочения. Волочением получаются провода диаметром до 0,005 мм, ленты толщиной до 0,1 мм и фольга толщиной до 0,008 мм. При механических деформациях медь подвергается наклепу, который устраняется при термообработке.

Для многих электроизоляционных материалов важным параметром является г и б ко е т ь, которая обеспечивает сохранение высоких механических и электрических параметров изоляции при самых разнообразных механических деформациях. Методы определения гибкости основаны на определении числа перегибов тонкого материала, вызывающих его разрушение. Гибкость определяют с помощью приборов, называемых эластометрами. Для испытаний используют образец в виде полоски 25x200 мм, которая располагается вертикально и зажимается между двумя парами губок. Верхняя пара губок може{ поворачиваться вокруг горизонтальной оси на заранее установленный угол. К нижней паре губок подвешивается

Почти все изделия из меди для электротехнической промышленности изготавливаются путем проката, прессования и волочения. Волочением получаются провода диаметром до 0,005 мм, ленты толщиной до 0,1 мм и фольга толщиной до 0,008 мм. При механических деформациях медь подвергается наклепу, который может быть устранен термообработкой.

В некоторых кристаллах и, в частности в кварце, при механических деформациях возникает так называемый прямой пьезоэлектрический эф ф е к т, т. е. на границах "кристалла появляются электрические заряды, пропорциональные величине деформации.

Обратный пьезоэффект состоит в механических деформациях кристаллов при приложении к ним разности потенциалов, причем направление деформации зависит от знака приложенного напряжения.

Почти все изделия из меди для электротехнической промышленности изготовляются путем проката, прессования и волочения. Волочение применяют для производства проводов диаметром до 0,005 мм, ленты толщиной до 0,1 мм и фольги толщиной до 0,008 мм. При механических деформациях медь подвергается наклепу, который может быть устранен термообработкой [12].

Возникновение пьезоэлектрического эффекта объясняется следующим образом. В § 54 мы говорили, что ионные кристаллы представляют собой две или несколько простых решеток, каждая из которых построена из ионов одного знака (положительных или отрицательных); эти решетки «вдвинуты» одна в другую. При механических деформациях кристалла в его решетке происходят изменения двух типов. Во-первых, деформируется каждая элементарная ячейка. Например, при одностороннем сжатии кубического кристалла его элементарная ячейка превращается из куба в параллелепипед.