Медленных электронов

а) медленные колебания с частотой /м <; /ист, причем fu не зависит от /ист и, как правило, отношение /М/7ИСТ не является целым числом;

Медленные колебания возникают в ферро-резонансной цепи, содержащей дополнительный нелинейный элемент, изменяющий какой-либо параметр (сопротивление, индуктивность, емкость) таким образом, что время изменения соизмеримо с 1//м или больше этой величины.

Медленные колебания

Медленные колебания (см. § 4-9) могут быть получены в схеме 6-4, если ZH является емкостью. В данном случае параметры цепи подбираются так, чтобы изменение амплитуды переменного потока Фр вызывало существенное изменение потока Фу за счет насыщения сердечника.

6-9. Медленные колебания в цепи МУ.

— функции 215 Медленные колебания 143, 198 Менли — Роу уравнения 177 Метод аналитической аппроксимации

Медленные колебания возникают в феррорезонансной цепи, содержащей дополнительный нелинейный элемент, изменяющий какой-либо параметр (сопротивление, индуктивность, емкость) таким образом, что время изменения соизмеримо с 1//м или больше этой величины. .

Медленные колебания

Медленные колебания (см. § 4-9) -могут быть получены в схеме 6-4, если /н является емкостью. В данном случае параметры цепи подбираются так, чтобы изменение амплитуды переменного потока ФР вызывало существенное изменение пото* ка Фу за счет насыщения сердечника.

6-9. Медленные колебания в цепи МУ.

ются нерегулярными изменениями мощности, происходящими в процессе работы потребителей электрической системы (тяга, печи и др.). Колебания частоты, вызванные этими колебаниями нагрузки, достигают десятых долей герца (0,1 — 0,2 Гц). Медленные колебания происходят с периодом порядка минут и десятков минут. Они вызваны изменениями суммарной нагрузки, связанными с временем суток, атмосферными явлениями, технологией производства и изменениями условий быта (включение плиток, печей и т. д.).

Распределение потенциала в диоде при различных значениях анодного напряжения и t/H = const показано на 2-3. Если катод нагрет, а напряжение на аноде равно нулю (С/а1 == 0), то эмиттирован-ные электроны образуют в междуэлектродном пространстве отрицатель- 0 ный объемный заряд и распределение потенциала соответствует кривой 1. При малом анодном напряжении (кри- ^ вая 2 на 2-3) область отрицатель- 1 ного потенциала сохраняется вблизи v катода., Этот потенциальный барьер препятствует движению к аноду медленных электронов. Электроны с более высокой энергией преодолевают потенциальный барьер, достигают анода и создают анодный ток, величина которого меньше тока эмиссии. При более высоком. анодном напряжении (Ua3 >

В непосредственно примыкающей к катодному падению области отрицательного или тлеющего свечения (область 2, 12.1, а) имеется значительная доля электронов, сохранивших направленную скорость. После тлеющего свечения лежит темная область, где преобладает беспорядочное движение электронов (область 3, 12.1, а, б). Заряд положительных ионов здесь уравновешивает пространственный заряд электронов, что приводит к уменьшению градиента поля <§. Абсолютное значение потенциала может несколько снижаться из-за проскакивания наиболее быстрых электронов, летящих от катода через область максимума потенциала ( 12.1,6). В рассматриваемой части разряда и начале следующей (участок // — область 4) наблюдается наибольшая концентрация медленных электронов и положительных ионов, движущихся в сторону катода, а также создаются благоприятные условия для излуча-тельной рекомбинации электронов и ионов.

Распределение потенциала в диоде при различных значениях анодного напряжения и t/H = const показано на 2-3. Если катод нагрет, а напряжение на аноде равно нулю (С/а1 == 0), то эмиттирован-ные электроны образуют в междуэлектродном пространстве отрицатель- 0 ный объемный заряд и распределение потенциала соответствует кривой 1. При малом анодном напряжении (кри- ^ вая 2 на 2-3) область отрицатель- 1 ного потенциала сохраняется вблизи v катода., Этот потенциальный барьер препятствует движению к аноду медленных электронов. Электроны с более высокой энергией преодолевают потенциальный барьер, достигают анода и создают анодный ток, величина которого меньше тока эмиссии. При более высоком. анодном напряжении (Ua3 >

жим медленных электронов. На сигнальную пластину подается

mv Планка, т и v — масса и скорость электрона) даже для сравнительно медленных электронов весьма мала; например, для электрона, прошедшего в ускоряющем поле разность потенциалов 100 в, длина волны де Бройля равна приблизительно 1,25-Ю-10 м, т. е. меньше 1 нм. Поэтому при рассмотрении физических процессов, происходящих в большинстве электроннолучевых приборов, волно-

Мы рассмотрели уравнение движения медленных электронов (и<Сс). Если электроны быстрые (скорость электрона v соизмерима со скоростью света), то при выводе уравнения движения следует исходить из общего выражения

Уравнения (1.98) справедливы для медленных электронов. В случае релятивистских скоростей эти уравнения должны быть изменены в соответствии с общим выражением для закона сохранения энергии (1.4).

Потенциал сетки при работе трубки всегда существенно ниже потенциала анода прожектора, поэтому электроны при подходе к мишени тормозятся. Чтобы уменьшить расфокусировку пучка при торможении, желательно производить торможение в непосредственной близости к сетке, т. е. по возможности уменьшать длину траекторий медленных электронов. Для этой цели в непосредственной близости к мишени (со стороны прожектора) устанавливается специальная экранирующая сетка, имеющая потенциал, равный потенциалу анода прожектора (проводящего покрытия).

Мишень 4 потенциалоскопа представляет собой тонкий слой диэлектрика, нанесенного на металлическую сигнальную пластинку. Перед мишенью располагается прозрачный (в виде сетки) коллектор электронов. «Поддерживающий» пучок должен иметь энергию электронов, равную e?/Kpi для данного материала мишени. Принципиально «поддержку» можно производить сфокусированным пучком, развертываемым по поверхности мишени. Но тот же эффект может быть достигнут и при непрерывном облучении поверхности мишени рассеянным пучком медленных электронов. Так как при этом конструкция прожектора получается проще и отпадает надобность в отклоняющей системе, для «поддержки» используется неподвижный расфокусированный пучок, охватывающий всю поверхность мишени. В соответствии с этим «поддерживающий» прожектор строится по простой триодной схеме (катод — модулятор — анод) и представляет с оптической точки зрения иммерсионный объектив. Потенциал анода «поддерживающего» прожектора устанавливается равным нулю, потенциал катода близок к —?/кРь потенциал модулятора подбирается соответственно величине тока, необходимого для надежного фиксирования потенциального рельефа.

Одной из первых трубок с насыщенной фотоэмиссией является ортикон— передающая трубка с фоточувствительной мишенью, разверткой пучком медленных электронов и накоплением заряда. Название этой трубки определяется перпендикулярным (ортогональным) падением развертывающего пучка на мишень. Ортикон является потенциалоскопом, в котором используется неравновесная запись и перезарядное считывание.

Одной из первых трубок с насыщенной фотоэмиссией является ортикон— передающая трубка с фоточувствительной мишенью, разверткой пучком медленных электронов и накоплением заряда. Название этой трубки определяется перпендикулярным (ортогональным) падением развертывающего пучка на мишень. Ортикон является потенциалоскопом, в котором используется неравновесная запись и перезарядное считывание.