Магнитные оперативные

В уравнениях (6.12) и (6.13) величинами-аналогами являются: МДС lw и ЭДС ?; магнитный поток Ф и ток /,; магнитные напряжения t^M = HI = ФКМ, fM5 = H6/s = OgKM и электрические напряжения Ur = = /!»•, U,0 = 1\г0; магнитные сопротивления RM, RMg и электрические сопротивления г, (у

Расчет вб. а. х. производится в такой последовательности: задаются несколькими значениями магнитных потоков Ф, по формуле В = Ф/S определяют соответствующие значения В, после чего по кривой намагничивания В (Я) находят напряженности; далее по приведенному выше выражению подсчитывают магнитные напряжения UM.

Согласно первому методу построим вебер-амперную характеристику всей неразветвленной магнитной цепи $(UMl + ^м2)> графически складывая по напряжению вебер-амперные характеристики ее двух участков. При известной МДС F = Iw по вебер-амперной характеристике всей магнитной цепи определим рабочую точку А, т. е. магнитный поток Ф, а по вебер-амперным характеристикам участков магнитопро-вода - магнитные напряжения на каждом из них.

т. е. прямую, проходящую через точку F на оси абсцисс и точку Р/гмг на оси ординат. Точка пересечения А нагрузочной характеристики с вебер-амперной характеристикой ферромагнитного участка цепи Ф(С^ц) определяет магнитный Поток Ф в цепи и магнитные напряжения на ферромагнитном участке f/Ml и воздушном зазоре С/м2. Значение индукции в воздушном зазоре Вг =

Чтобы определить поток в цепи по заданной н. с., необходимо для ряда произвольно выбранных значений потока Ф найти величины В, Н, Вй, Н0, иы = HI, i/o = Н010 и построить по ним вебер-ам-перную характеристику Ф(?/м) ферромагнитного участка и опрокинутую характеристику Ф(?/ом)от> линейного элемента цепи, как показано на 11.15. Точка пересечения этих характеристик определяет поток сердечника и магнитные напряжения Uu и U0u элементов схемы замещения магнитной цепи.

ным значением потоков Ф1,=Ф2,=Ф3, определяют для них индукции Въ Въ, В3, В0 и напряженности поля Яь Я2, Я3, Я0. По полученным значениям напряженностей поля находят соответствующие заданному потоку магнитные напряжения участков: Uab' = =Я2/2 и Uab"' = Я3/3 + Я0/0.

Так как потоки и магнитные напряжения участков магнита и воздушного зазора равны по величине, то точка пересечения магнитных характеристик магнита и зазора определяет рабочую точку на кривой размагничивания. Ордината этой точки равна потоку Ф0 зазора, а абсцисса ОС — магнитному напряжению на нем.

Для построения такой кривой нужно сложить магнитные напряжения им при нескольких значениях индукции (потока), как показано на 12.16.

Если учесть, что магнитные напряжения ферромагнитных участков магнитных линий полей рассеяния пренебрежимо малы по сравнению с магнитным напряжением участков этих линий в воздухе, то можно заключить, что практически вся энергия поля рассеяния будет сосре-

Согласно первому методу построим вебер-амперную характеристику всей неразветвленной магнитной цепи Ф(^м, + ^М2)> граФически складывая по напряжению вебер-амперные характеристики ее двух участков. При известной МДС F = Iw по вебер-амперной характеристике всей магнитной цепи определим рабочую точку А, т. е. магнитный поток Ф, а по вебер-амперным характеристикам участков магнитопро-вода - магнитные напряжения на каждом из них.

т. е. прямую, проходящую через точку F на оси абсцисс и точку Р/гм2 на оси ординат. Точка пересечения А нагрузочной характеристики с вебер-амперной характеристикой ферромагнитного участка цепи *(^,j) определяет магнитный поток Ф в цепи и магнитные напряжения на ферромагнитном участке ?/Ml и воздушном зазоре ?/м2. Значение индукции в воздушном зазоре 52 = Ф/52.

По мере развития техники в системах автоматики все большее значение приобретают устройства хранения и преобразования дискретной информации. Для хранения дискретной информации основным средством остаются и по имеющимся прогнозам будут оставаться в ближайшее десятилетие МОЗУ — магнитные оперативные запоминающие устройства, в которых для хранения информации используются матрицы тороидальных магнитных сердечников с прямоугольной петлей гистерезиса. В устройствах преобразования информации все большее применение получают полупроводниковые элементы, и особенно интегральные микросхемы. Однако наряду с развитием полупроводниковой микроэлектроники происходят существенные сдвиги и в технике устройств преобразования информации, выполненных на магнитных элементах. Прежде всего это связано с прогрессом в области создания ферромагнитных материалов, развитием и совершенствованием технологии производства ферритовых и микронных ленточных сердечников. Характеристики и параметры выпускаемых в настоящее время магнитных сердечников, а также существующая технология производства элементов позволяют уменьшать число витков во входных обмотках магнитных сердечников до одного и оставлять в элементах после заливки компаундом отверстия для нанесения входных обмоток в процессе сборки узла методом прошивок. Это создает предпосылки для уменьшения числа паек, унификации проектируемых устройств и узлов (основное разнообразие переносится в схемы прошивок), автоматизации процессов сборки. Соответственно снижается стоимость и повышается надежность устройств. Известны особенности магнитных элементов, которые в ряде случаев применения позволяют отдать им предпочтение: способность хранить информацию при отключенных источниках питания, высокая радиационная стойкость, высокая помехозащищенность. Для переключения магнитного сердечника требуется энергия, в 100—1000 раз большая, чем энергия переключения элемента в полупроводниковой микросхеме. Это позволяет, с одной стороны, упростить проектирование соединений внутри узлов, накладывая менее жесткие ограничения на длину и характер прокладки соединительных проводников, с другой стороны, позволяет применять устройства в условиях сравнительно высокого уровня внешних помех (цех, станок,

126 Магнитные оперативные запоминающие устройства (Гл. 4

МАГНИТНЫЕ ОПЕРАТИВНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА СЕРДЕЧНИКАХ С ППГ

Магнитные оперативные запоминающие устройства

130 Магнитные оперативные запоминающие устройства (Гл. 4

132 Магнитные оперативные запоминающие устройства (Гл. 4

134 Магнитные оперативные запоминающие устройства (Гл. 4

1Й6 Магнитные оперативные запоминающие устройства (Гл. 4

138 Магнитные оперативные запоминающие устройства (Гл. 4

Магнитные оперативные запоминающие устройства

142 Магнитные оперативные запоминающие устройства (Гл. 4