Линейного теплового

1-7. Изменения линейного сопротивления (а) или приложенного напряжения (б).

Изменениям величины линейного сопротивления г при фиксированном значении приложенного напряжения U соответствует семейство прямых, имеющих различные углы наклона и сходящихся в общей точке U на оси абсцисс ( 1-7, а).

Здесь индекс п означает порядковый номер приближения. Следовате2(«+п — п ~г" '"е приближения тока /t и напряжения a rln и г2/г я-е приближения статических сопротивлений н. э. Для выбора первого приближения, как указывалось выше, характеристики нелинейных сопротивлений заменяются прямыми ( 1-18, б). Тогда нелинейный элемент н. э.-1 представляется в виде э. д. с. Е1 = 6 в и линейного сопротивления г = гд1 = 3 ом, а нелинейный элемент н. э.-2 в виде э. д. с. Яг = 2,5 в и линейного сопротивления г = ГД2 = 4 ол.

о — с /g до /з при повышении температуры, с /g до /i — при понижении; б —с /в до /з при уменьшении линейного сопротивления <•, с /s до /г — при увеличении г.

Релейный эффект может быть получен и при изменении температуры окружающей среды ( 1-25, а), изменении линейного сопротивления, включенного последовательно с терморезистором ( 1-25, 6~), понижении уровня жидкости, в которую помещен терморезистор и т. д.

1-1. Электрическая цепь, состоящая из последовательно соединенных линейного сопротивления 150 ом и нелинейного элемента, имеющего характеристику, заданную таблицей

Графический способ нахождения выпрямленного тока показан на 3-6, в. Здесь i (ил) — характеристика диода; i (ин) — характеристика линейного сопротивления; i (и) — характеристика цепи 2.

В ряде случаев сопротивление диода прямому току принимается равным нулю; при этом диод рассматривается как идеальный с характеристикой, изображенной на 3-4. Очевидно, диод с постоянным сопротивлением RI можно рассматривать как последовательное соединение идеального диода и линейного сопротивления Rt (первая строка табл. 3-1).

направлении. Применим это правило к схемам на 9.3,6 и в. Коэффициенты передачи по напряжению в обратном направлении можно найти так. К выходу схемы на 9.4 (эту схему будем называть присоединенной) подключим источник [/о= 1 единичной амплитуды и частоты 2<в [для нахождения ^(2со)] и За» [для нахождения /С(3ш)]. Тогда напряжения От Рис- 9-4 на клеммах линейного сопротивления схемы замещения нелинейного резистивного элемента окажутся численно равными искомым коэффициентам передачи К в (9.7). Таким образом, если Un(2u>) —отклик на единичное воздействие UQ частоты 2(0 и f7n(3co)—отклик на единичное воздействие OQ частоты Зсо в присоединенной схеме, то

В начале этой темы целесообразно рассмотреть вопрос об устойчивости режима в нелинейной цепи. Простым примером может быть питаемая постоянным -напряжением цепь с последовательным соединением линейной индуктивности, линейного сопротивления и электрической дуги. Пересечения падающей вольт-амперной характеристики дуги и прямолинейной характеристики сопротивления показывают, что здесь возможны два равновесных режима. Надо объяснить, что один из них устойчив, так как при возможном кратковременном изменении тока в цепи возникает э.д.с. самоиндукции, приводящая к возвращению к этому режиму; при отступлении же от второго режима эта э.д.с. переводит цепь в первый режим или уменьшает ток до нуля. Затем анализ устойчивости в этой цепи следует провести аналитически — методом малых приращений, при которых дифференциальное сопротивление нелинейного элемента вблизи равновесных режимов может считаться постоянным, что превращает нелинейное дифференциальное уравнение для тока в линейное и позволяет сразу получить оценку устойчивости каждого из двух равновесных режимов.

Следовательно, при заданном выходном напряжении коэффициент стабилизации увеличивается при уменьшении динамического сопротивления стабилитрона или при увеличении линейного сопротивления.

В случае многослойной цилиндрической стенки, пользуясь формулой (5-19), можно написать значение теплового потока для каждого слоя в отдельности и затем, так же как это было сделано в § 5-2 для многослойной плоской стенки, вывести формулу для линейного теплового потока в случае сложной цилиндрической стенки. Она, например, для

Единица измерения линейного теплового потока определяется единицей измерения, выбранной для А,. Отсюда q' в системе МКС измеряется величиной вт/м или внесистемной единицей ккал!(м -ч). По предыдущему соотношение между ними таково:

Для улучшения стойкости к перепаду температуры подбирают материалы диэлектрика н покрытия таким образом, чтобы коэффициенты линейного теплового расширения их были как можно ближе друг к другу, наносят подслой меди,, компенсирующий напряжения

Гальванические покрытия наносят )акже на полнфениленоксид. По сравнению с известными пластмассами он имеет самый низкий коэффициент линейного теплового расширения и высокую термостойкость и стойкость к перепаду температуры. Но он распространен мало и применяется только в особых случаях.

При выборе растворов химического никелирования учнтыалют, что кке-гне диэлектрики имеют небольшую жесткость и теплостойкость и более высокий, по сравнению с металлами, коэффициент линейного теплового расширения. Поэтому избегают применять растворы с высокой рабочей температурой (выше 60 °С) и растворы, дающи.' осадки с высокими вщ-трен-ними напряжениями. По этой же при-

Необходимость нанесения слоя меди вызывается еще и тем, что ока служит буфером между пластмассой и блестящим никелевым покрытием при резком изменении температуры, Хотя медь и имеет значительно меньший коэффициент линейного теплового расширения, чем пластмасса, но нагрев и расширение ее происходят быстрее. Это приводит к тому, что расширение или сжатие для пластмассы и осаждаемого подслоя становятся почти одинаковыми. В качестве буферного подслоя используют и эластичные ссадки матового или полублестящего никеля. Толщина буферного подслоя составляет 50—75 oj общей толщины покрытия.

Для улучшения стойкости к перепаду температуры подбирают материалы диэлектрика н покрытия таким образом, чтобы коэффициенты линейного теплового расширения их были как можно ближе друг к другу, наносят подслой меди,, компенсирующий напряжения

Гальванические покрытия наносят )акже на полнфениленоксид. По сравнению с известными пластмассауп он имеет самый низкий коэффициент линейного теплового расширения и высокую термостойкость н стойкость к перепаду температуры. Но он распространен мало и применяется только в особых случаях.

При выборе растворов хи5!ичссг:ого никелирования учнтыалют, что «ноте диэлектрики имеют небольшую жесткость и теплостойкость и более высокий, по сравнению с металлами, коэффициент линейного теплового расширения. Поэтому избегают применять растворы с высокой рабочей температурой (выше 60 °С) и растворы, дающи.' осадки с высокими вщ-трен-ними напряжениями. По этой же при-

Необходимость нанесения слоя меди вызывается еще и тем, что ока служит буферам между пластмассой и блестящим никелевым покрытием при резком изменении температуры, Хотя медь и имеет значительно меньший коэффициент линейного теплового расширения, чем пластмасса, но нагрев и расширение te происходят быстрее. Это приводит к тому, что расширение или сжатие для пластмассы и осаждаемого подслоя становятся ночти одинаковыми. В качестве буферного подслоя используют и эластичные осадки матового или полублестящего никеля, Толщина буферного подслоя составляет 50—75 % общей толщины покрытия.

Наполнители вводятся для уменьшения коэффициента линейного теплового расширения, снижения саморазогрева при отверждении, а также с целью уменьшения усадки, улучшения теплопроводности и механических характеристик компаунда, снижения горючести и стоимости литой изоляции. В качестве наполнителя применяется кварц молотый пылевидный марок КП-2 или КП-3.