Критического напряжения

Анализ показывает, что в отличие от линейного контура без дуги, когда Rp 2^/Lp/C~H, в соответствии с (3.110) критическое сопротивление может оказаться существенно меньше 2^/?р/Сн. Зная ip(t) и время разряда tp, можно определить энергию потребителя и КПД разрядного процесса.

1 Для механизмов приборов (например, гальванометров), всегда работающих в цепи с каким-либо внешним сопротивлением, под чувствительностью к напряжению понимают Su = Si/RKp, где /?кр= = Rr + Rs«,Kp— полное критическое сопротивление; Rr — сопротивление рамки; Явн.кр — внешнее критическое сопротивление.

2.4. В механизме магнитоэлектрического гальванометра с бескаркасной рамкой, работающем в схеме при Р<1, с помощью магнитного шунта увеличили индукцию магнитного поля в воздушном зазоре на 40 %. Как изменятся чувствительность по току, степень успокоения (при работе в заданной схеме), критическое сопротивление, период собственных колебаний, время успокоения, если режим успокоения не изменится?

Определите: чувствительность механизма по току 5/ в рад/А, дел/А, град/А; ток полного отклонения /н; сопротивление обмотки рамки механизма; критическое сопротивление RKf; постоянную по напряжению Си; период собственных колебаний подвижной части Т а.

= 1500,5-0,054-24,6 « 2 кОм. Критическое сопротивление найдем по формуле

2.13. Заданы следующие параметры механизма магнитоэлектрического гальванометра: постоянная по току С;=7,5-10-7 А/дел, сопротивление рамки #г=4000 Ом, внешнее критическое сопротивление #Вн,кр=60000 Ом, период собственных колебаний подвижной части 7'о=2,3 с. Гальванометр подключен к выходным зажимам моста ( 2.3), сопротивления плеч которого равны #1 = #2=#з = = #4=20 кОм.

2.14. Заданы следующие параметры механизма магнитоэлектрического гальванометра: постоянная по току С/=10"9 А/мм, сопротивление рамки #г=700 Ом, внешнее критическое сопротивление Явк,кр = 6000 Ом, число витков рамки и = 890, момент инерции рамки / = 0,14-10-? кг-м2, индукция в зазоре .6 = 0,07 Тл, удельный противодействующий момент W=0,083- 10~v Н-м/рад, активная площадь обмотки рамки s=l,89 см2, погрешность установки v = 0,02.

2.17. Для механизма магнитоэлектрического гальванометра, имеющего следующие параметры: момент инерции / = 2,5Х Х10~7 кг-м2, удельный противодействующий момент U7 = 2,9X ХЮ~8 Н-м/рад, постоянную по току С7=1,5-10-9 А-м/мм, определите: 1) период собственных колебаний; 2) критическое сопротивление; 3) баллистическую чувствительность при р=1 и (3 = 0,6.

где /?кр=#г+Явш,Кр — полное критическое сопротивление.

В исполнительных асинхронных двигателях важно иметь большое быстродействие и большую кратность пускового и максимального моментов. В двигателе с полым ротором ротор выполняется в виде тонкостенного стакана из алюминия. Ротор имеет небольшой момент инерции. Малый момент инерции, большое критическое сопротивление обеспечивают большое быстродействие и линейность механических характеристик в широком диапазоне изменения частоты вращения. Двигатели с полым ротором широко используются в системах автоматического управления и выпускаются промышленностью до мощности 30 Вт. Недостатком двигателей с полым ротором является наличие большого воздушного зазора, включающего в себя два механических зазора и толщину немагнитного ротора. Большой воздушный зазор снижает cos q>, а это приводит и к снижению КПД.

где /кр и хкр — критический ток и критическое сопротивление.

Бели 'напряжение на зажимах двигателя станет меньше t/кр, то наступит опрокидывание двигателя, т. е. двигатель начнет тормозиться. Величина критического напряжения, таким образом, может служить показателем степени устойчивости двигателя. Чем выше значение критического напряжения t/кр, тем менее устойчив двигатель. Если двигатель питается от шин, напряжение на которых практически неизменно, то величина максимального момента почти 'вдвое превышает его номинальный момент, чем и объясняется высокий запас устойчивости.

При применении поперечной емкостной компенсации ( 11-6) значение критического напряжения меняется и оно зависит от степени компенсации и соотношения значений индуктивного сопротивления внешней цепи и двигателя.

Увеличение загрузки и внешнего сопротивления цепи приводит к увеличению критического напряжения, а увеличение э. д. с. — к его снижению и, следовательно,

критического напряжения

Для определения критического напряжения по критерию d?/d?/>0 или d?/c/dt/>0 требуется по ряду точек построение кривой

Аналогичным образом находятся остальные точки характеристики ?/с = ф(?/н). Точка на этой характеристике, соответствующая наименьшей ординате, имеет абсциссу, дающую непосредственное значение критического напряжения, при которой начинается процесс нарушения устойчивости. Эта точка соответствует значению [/up = 0,67, откуда запас статической устойчивости узла нагрузок равен:

Поэтому если напряжение на зажимах двигателя станет меньше критического (Укр, то наступит момент опрокидывания. Критическое напряжение может служить показателем степени устойчивости двигателя. Чем выше значение критического напряжения, тем менее устойчив двигатель.

Зависимость tg6 от напряжения объясняется степенью ионизации, особенно бурно наступающей после критического напряжения (точка Б на 1.9).

По точкам кривых 14.21 можно построить характеристику стабилизатора t/2 (f/j), определяя значения ?/х и ?/2 для одних и тех же значений тока ( 14.22). Из этой кривой видно, что стабилизирующее действие схемы имеет место лишь при напряжениях сети, больших некоторого критического напряжения Ula, соответствующего точке 2 14.18, б. При уменьшении напряжения f/j ниже критического происходит скачкообразное понижение напряжения i/3, и оно уже не стабилизируется.

Применение в рассмотренном случае бокового подогрева растущего монокристалла не привело к значительному снижению плотности дислокаций, составлявшей около (3— 5)-103 см-2. Это объясняется тем, что'вблизи фронта кристаллизации по всей длине монокристалла величина термоупругих напряжений значительно превосходила величину критического напряжения образования дислокаций для соответствующих температур.

соких температурах. В результате величина критического напряжения образования дислокаций возрастает. Одновременно возникающие вокруг дислокаций примесные атмосферы мешают их размножению и перемещению по объему монокристалла полупроводника.