Кремниевого транзистора

На 3.16, а показана вольт-амперная характеристика кремниевого стабилитрона, на 3.16, б — схема его включения. Избыток напряжения U0 — 11„ гасится на балластном резисторе R5. Выходное напряжение и„, действующее на сопротивлении нагрузки /?„, остается почти неизменным при значительных колебаниях входного

На 25-22, а показана гависимость емкости р-л-перехода кремниевого стабилитрона Д-810 от приложенного к нему обратного напряжения, а на 25-22, б — зависимость начальной емкости различных стабилитронов от их напряжения стабилизации.

5.1. На 5.1, а приведен рабочий участок вольт-амперной характеристики (в. а.х.) полупроводникового кремниевого стабилитрона—прибора, применяемого для стабилизации напряжения. Определить статическое и дифференциальное; сопротивления стабилитрона.

На 10 показана конструкция металостеклянного корпуса кремниевых стабилитронов Д815—Д817 с большой мощностью рассеивания (до 5 вт). Корпус этой конструкции отличается от корпуса для кремниевого стабилитрона Д818 лишь исполнением держателя и наружного вывода эмиттера. Массивный держатель 1, играющий роль тешюотвода, цельный (из меди Ml или бескислородной меди). Изготовляют держатель методом объемной штамповки с последующим нарезанием резьбы на хвостовике держателя. На нижней части фланца держателя имеется шестигранник под гаечный ключ. Трубку 3 баллона 2 после холодной сварки держателя с баллоном обжимают и проваривают. На обжатом конце трубки пробивают отверстие для удобства монтажа прибора в аппаратуре. Свободный

1.32. ВАХ кремниевого стабилитрона (а) и рабочая область ВАХ стабилитрона (б)

1.33. Зависимость ТКН кремниевого стабилитрона от напряжения стабилизации при 300 К

Выбираем Ек = — 12 В. Для обеспечения требуемой амплитуды выходных импульсов вводим диодную фиксацию коллекторного напряжения транзистора TI, Цепь фиксации состоит из диода типа Д10, кремниевого стабилитрона типа Д809 и резистора сопротивлением /?ст = 510 Ом, обеспечивающего наименьший допустимый ток стабилизации.

6.4. Конструкция кремниевого стабилитрона:

6.5. Вольтамперная характеристика кремниевого стабилитрона

Цель работы — исследование характеристик полупроводникового диода, кремниевого стабилитрона, плоскостного и полевого транзисторов и тиристора; исследование влияния температуры на характеристики транзисторов.

2. Снять прямую ia = fi («а) и обратную ib = /2 (иь) ветви вольт-амперной характеристики кремниевого стабилитрона.

Для кремниевого транзистора можно считать, что на активном участке С/э* 0,7 В. В этом случае

На 7.13 схематически изображена конструкция современного полевого кремниевого транзистора типа К.П102 с каналом р-типа, изготовленного по диффузионно-планарной технологии. Транзистор представляет собой прямоугольный кристалл кремния площадью около 1 мм2. Методом диффузии в теле кристалла образован канал — тонкая область с р-проводимостью. Сам кристалл обладает n-проводимостью и является затвором. По краям канала также методами диффузии образованы более массивные участки с р-проводимостью — сток и исток. На них нанесены алюминиевые контакты. Между затвором и каналом образуется р— «-переход.

Для кремниевого транзистора типа КТ630А ток

Тогда необходимость в компенсирующем резисторе R5 отпадает, так как при прямом напряжении ?/кб < С/пор = 0,6 В коллекторный переход кремниевого транзистора считается закрытым. В данном случае илш = \ t/K6 = 0,3 В.

оминация кремниевого транзистора и диода Шотки в цепи обратной связи, выполненных в едином технологическом цикле, называется транзистором Шотки ( 5.6, а), условное обозначение которого приведено на 5.6, б.

35. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер кремниевого транзистора КТ603 от внешнего сопротивления в цепи эмиттер—база

Типичная толщина области эмиттера высокочастотного транзистора — 43. Устройство кремниевого транзистора

8.183. Какова будет напряженность поля в базе кремниевого транзистора с диффузионным распределением примеси в n-базе, если концентрация примеси меняется от 1018 до 10'° см-3, а ширина базы о>=2 мкм? Вычислить также время пролета носителей т через базу, считая, что перенос носителей заряда осуществляется только путем диффузии.

В свою очередь блоки операций состоят из отдельных операций-процессов, которые могут повторяться в различных блоках. Типовая обобщенная схема технологического процесса изготовления планарного кремниевого транзистора п-р-п-типа представлена на В.1. Как видно из рисунка, характерной особенностью планарного процесса является циклическая повторяемость однотипных технологических операций на разных этапах маршрута. Схема производства ИМС от схемы производства простого планарного диода отличается в основном лишь количеством повторяющихся циклов. Рассмотрим кратко характерные особенности технологических операций.

Определим порядок величины Рик.лоп- Допустим на регулирующем германиевом транзисторе П217 (5П = 0,4см2) при токе /вых.ном = = 1 А ток /к.к.з = 4А; выбираем предохранитель типа ВП1 — 1 на 1 А; для кратности перегрузки, равной четырем, время срабатывания одноамперного предохранителя ВП1 — 1 составляет tu = 30 мс. При А = 100 из (VIII. 171) для этих данных получаем РЫК.ДОП » 225 Вт. Для кремниевого транзистора эта мощность получилась бы (при А — = 700) свыше 1500 Вт. Из табл. 13 следует, что длительно допустимая мощность рассеяния для транзистора П217 при Токр = 20е С без внешнего теплоотвода составляет 2, а с теплоотводом меньше 22 Вт. Из приведенного расчета ясно, какое важное значение имеет применение предохранителей последовательно с транзистором в принципе и, в частности, быстродействующих предохранителей.

и для кремниевого транзистора