Кремниевые диффузионныеПочти все СВЧ-транзисторы, как и остальные биполярные транзисторы, — это кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы. Низкоомная подложка исходной эпитаксиальной структуры обеспечивает малое сопротивление коллекторной области и ограничивает накопление носителей в этой области.
Высокочастотные маломощные транзисторы. Транзисторы имеют в основном кремниевые эпитаксиально-планарные и пленарные структуры, отличаются меньшими площадями переходов, толщинами базы и коллектора и временами жизни неосновных носителей. Поэтому для них характерны большие граничные частоты, меньшие емкости переходов (менее 10 пФ), времена рассасывания (доли микросекунды) и постоянные времени цепи обратной связи (около 1 не).
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Диоды Кремниевые эпитаксиально-планарные.
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Диоды кремниевые эпитаксиально-планарные.
Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные. Предназначены для применения в схемах умножения частоты и частотной модуляции.
Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные.
В настоящее время в мостовых выпрямителях часто применяют кремниевые диффузионные блоки КЦ402—КЦ405 (от А до И), которые рассчитаны на токи /пр.ср от 0,6 до 1 А и напряжения t/обр.доп от 100 до 600 В. Они выпускаются в пластмассовом корпусе с размерами, не превышающими нескольких сантиметров, и массой от 7 до 20 г.
Выпрямительные диоды большой мощности называют силовыми. Материалом для таких диодов обычно служит кремний или арсенид галлия. Германий , практически не применяется из-за сильной температурной зависимости обратного тока. Кремниевые сплавные диоды используются для выпрямления переменного тока с частотой до 5 кГц. Кремниевые диффузионные диоды могут работать на повышенной частоте, до 100 кГц. Кремниевые эпитаксиальные диоды с металлической подложкой (с барьером Шотки) могут использоваться на частотах до 500 кГц. Арсенидгаллиевые диоды способны работать в диапазоне частот до нескольких МГц.
Диоды кремниевые диффузионные.
Диоды кремниевые диффузионные.
Диоды кремниевые, диффузионные.
Диоды кремниевые диффузионные.
Диоды кремниевые диффузионные.
Диоды кремниевые диффузионные.
Диоды кремниевые диффузионные.
Диоды кремниевые диффузионные.
Диоды кремниевые диффузионные.
Похожие определения: Кратности внутренних Кремниевые фотоэлементы Кремниевых фотоэлементов Коэффициенты теплообмена Крепления элементов Кристалла определяется Кристаллической структуре
|