Контактной разностью

После ремонта трущиеся части ножей и стоек смазывают смазкой ЦИАТИМ-201 и собирают рубильник. После сборки проверяют правильность одновременного вхождения всех трех ножей в губки (они должны входить без перекосов). Плотность нажатия контактов проверяют щупом толщиной 0,05 мм, который должен проходить не более '/з величины контактной поверхности. При необходимости добиться нужной плотности подгибают контакты.

При обгорании или появлении брызг металла на поверхности контактов необходимо зачистить контакт и промыть хлопчатобумажной салфеткой, смоченной в бензине. Если толщина контактов менее 0,5 мм, то их целесообразно заменить новыми. При толщине контактов более 0,5 мм зачистку произвести при помощи плоского надфиля. После окончания ремонта контактов щуп толщиной 0,05 мм должен проходить при сомкнутых контактах не более 25 % контактной поверхности.

При нарушении контактной поверхности ее надо зачистить стальной щеткой или напильником под слоем вазелина. После зачистки слой снимают и покрывают слоем чистого вазелина.

Устраняют зачисткой контактной поверхности. Контактную поверхность облуживают

Особое внимание уделяется контактной поверхности первичной обмотки, на которой не должно быть раковин. Поверхность должна быть тщательно зачищена. Не допускается ее перегрев. У трансформаторов тока периодически испытывают изоляцию и проверяют погрешность.

После ремонта оси ножей смазывают смазкой ЦИА-ТИМ-201 и... собирают рубильник. После сборки проверяют одновременность ..вхождения всех ножей в губки путем медленного сближения последних (они не должны иметь перекосов). Одновременность включения подвижных и неподвижных контактов проверяют у всех аппаратов, имеющих два и более контактов. Плотность нажатия контактов проверяют щупом толщиной 0,05 мм, который должен проходить не более чем на '/з величины контактной поверхности. Добиться нужной плотности можно подгибанием контактов.

где Ajp - коэффициент трения щеток о контактные кольца (обычно принимается равным 0,16-0,17); рщ - давление на контактной поверхности щеток, кПа (см. табл. П4.2); 5Щ - общая площадь контактной поверхности всех щеток, м2; VK - линейная скорость поверхности контактных колец, м/с.

где m — число шпонок; Ь2 , h^ — размеры контактной поверхности одной шпонки, м.

дает стабильного качества из-за высокой теплопроводности меди (10 ... 20% сварных контактов могут быть перегреты или недогре-ты). Поэтому материал контактной поверхности под сварку выбирается с меньшей, чем у меди, теплопроводностью (никель, нержавеющая сталь).

В последние годы большое внимание уделяется изучению контактной поверхности коллекторных пластин. В воздухе всегда есть влага и всегда содержатся различные оксиды. Поэтому при прохождении тока через слой щеточного контакта возникает явление электролиза. В результате электролиза на коллекторе образуется блестящая пленка оксидов меди, называемая политурой коллектора. Пленка оксида меди имеет повышенную твердость и тепловую устойчивость. Исследования показали, что собственное электрическое сопротивление поверхностной пленки оксида меди велико и, когда пленка не нарушена механически, ток протекает через нее путем пробоя. Электрический пробой пленки оксида меди получил название фриттинга. Напряжение пробоя определяется

Отличительной особенностью классической теории, разрабо- &Vm,b тайной Е. Арнольдом, является допущение: удельное сопротивление щеточного контакта считается постоянным независимо от плотности тока в контакте и от контактной поверхности. Это равносильно аппроксимации вольт-амперной характеристики щеточного контакта прямой линией, исходящей из начала координат ( 15.4). Несмотря на то что такая аппроксимация довольно приближенная и справедлива только при малых плотностях тока, выводы классической теории коммутации используются в настоящее время очень широко. Основное значение

Пример 6.4. Известно, что некоторый варикап с контактной разностью потенциалов f/K = 0,64 В при U=0 имеет дифференциальную емкость СДЯФ(0) = =50 пФ. Определить значение дифференциальной емкости при подаче на варикап обратного напряжения 20 В.

Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер) фк на границе полупроводников ( 1.1, б). Возникшая разность потенциалов создает в запирающем слое электрическое поле, препятствующее как переходу электронов из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа, так и переходу дырок в полупроводник n-типа. В то же время электроны могут свободно двигаться из полупроводника р-типа в полупроводник n-типа, точно так же как дырки из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа. Таким образом, контактная разность потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда. Однако при движении через p-n-переход неосновных носителей (так называемый дрейфовый ток /др) происходит снижение контактной разности потенциалов фк, что позволяет некоторой части основных носителей, обладающих достаточной энергией, преодолеть потенциальный барьер, обусловленный контактной разностью потенциалов фк. Появляется диффузионный ток /диф, который направлен навстречу дрейфовому току /др, т. е. возникает динамическое равновесие, при котором /ДР=/диф.

При сближении металла и полупроводника до установления контакта будет наблюдаться аналогичная картина, только вместо внешнего источника электрическое поле будет создаваться контактной разностью потенциалов. В этом случае искривление энергетических зон произойдет вследствие влияния контактной разности потенциалов между металлом и полупроводником.

полю препятствующему движению электронов справа налево, и дырок слева направо и содействующему движению этих носителей заряда в противоположных направлениях. Высота потенциального барьера
2.6. Анодное напряжение диода равно — 0,5 В. С какой минимальной начальной энергией должен вылетать электрон из катода, чтобы достигнуть анода: а) если пренебречь контактной разностью потенциалов; б) если принять, что катод и анод имеют работы выхода соответственно 1,5 и 2,7 эВ?

Решение. Пренебрегая контактной разностью потенциалов, можно записать:

рекомбинации, в базу из внешней цепи проходят новые электроны, которые образуют ток базы /д. Толщина базы составляет не более 0,1 мм, а для некоторых транзисторов — не более нескольких микрометров. Область базы обычно выполняется из «-полупроводника с малым содержанием донорных примесей, что свидетельствует о низкой концентрации свободных электронов в базе. Поэтому лишь немногие дырки, попавшие в базу, рекомбинируют с ее электронами. Подавляющая часть дырок (в лучшем случае до 99,8%) под действием теплового движения (диффузии) успевает дойти до коллекторного перехода. Здесь дырки попадают в зону действия • электрического поля, созданного контактной разностью потенциалов и внешним напряжением Ек, приложенным к участку база — коллектор. Так как потенциальный барьер коллекторного перехода не препятствует движению через него неосновных носителей, то пришедшие в базу из области эмиттера и достигшие коллекторного перехода дырки (неосновные носители в я-области) поступают в коллектор, создавая ток коллектора /к- Таким образом, поток дырок, инжектируемых эмиттером, распределяется в транзисторе между двумя областями — базой и коллектором. Следовательно, ток эмиттера равен сумме токов коллектора и базы:

Прямое включение p-n-перехода. Включение, при котором к /7-и-переходу прикладывается внешнее напряжение С/пр в противо-фазе с контактной разностью потенциалов, называется прямым. Прямое включение /ья-пере> ода показано на 16.7, а. Практически все внешнее напряжение прикладывается к запирающему слою, поскольку его сопротивление значительно больше сопротивления остальной части полупроводника. Как видно из потенциальной диаграммы ( 16.7,6), высота потенциального барьера уменьшается: U. = UK — UnR. Ширина /7-и-перехода также уменьшается (h'
Обратное включение p-n-перехода. Включение, при котором к /ь«-переходу прикладывается внешнее напряжение (7об в фазе с контактной разностью потенциалов, называется обратным. Этот случай иллюстрирует 16.8, а.

который определяется температурной зависимостью диэлектрической проницаемости полупроводника ег и контактной разностью потенциалов UK:

навливается равновесное состояние. Между п- и р-областями при этом существует разность потенциалов, называемая контактной разностью потенциалов.