Конструктивно технологическим

Среди методов выполнения монтажных соединений в РЭА пайка занимает доминирующее положение. В зависимости от типа производства она выполняется индивидуально с помощью нагретого паяльника или различными групповыми методами. Индивидуальная пайка эффективна при монтаже ПП в условиях единичного и мелкосерийного производства, для проводного монтажа, при запаивании элементов со штыревыми выводами на одной стороне ПП после выполнения пайки групповым способом на второй стороне, при макетных, ремонтных и регулировочных работах. К основным преимуществам групповой пайки относятся: строгое поддержание технологического режима, повышение производительности, увеличение надежности соединений, легкость автоматизации. Но с их применением повышаются требования к однородности и качеству подготовки поверхностей, возникает необходимость в разработке мер по предотвращению перегрева термочувствительных элементов и подбора конструктивно-технологических решений по устранению характерных дефектов (сосулек,

нал, то все используемые в АСУ ТП сигналы и коды можно разбить на следующие группы: сигналы и коды, используемые персоналом; коды экономической информации; сигналы и коды для сбора и вывода данных; коды ЭВМ. Каждый из приведенных видов информации, используемых в АСУ ТП, имеет свои характерные особенности, зависящие от характеристик ТП, используемого технологического оборудования и конструктивно-технологических параметров изделий.

разработка методологии формализации проектирования ТПна базе научно обоснованных зависимостей. В этом плане РЭА (радиоэлектронные модули 0-го и 1-го уровня разукрупнения) представляют разработчикам обширные возможности как изделия с высоким уровнем типизации конструктивно-технологических решений, в том числе и ТП. Особенности РЭМ-О-го и РЭМ-1-го уровней обеспечивают возможности расчета и анализа различных вариантов ТП на ЭВМ средней мощности, что предопределяет использование ЕС ЭВМ, АРМ, а также их сочетание ЕС ЭВМ — АРМ.

конструктивно-технологических

В устройствах МЭА плотность упаковки элементов, достигнутая в кристаллах ИМС, из-за низкой плотности проводников печатных плат, необходимости применения устройств теплоотвода и других габаритных конструкционных элементов снижается. Одним из принципиально новых конструктивно-технологических направлений совершенствования техники монтажа МЭА в части увеличения плотности упаковки элементов и компонентов, снижения материалоемкости (а следовательно, снижения габаритов и массы), роста надежности ячеек и блоков, систем и комплексов МЭА является создание гибридных интегральных функциональных устройств (ГИФУ). Это направление характеризуется применением базовых процессов тонко- и толстопленочной технологии для создания многоуровневых коммутационных плат ГИФУ с высокой плотностью проводников (вместо печатных плат), причем такие платы одновременно могут служить высокоэффективным средством теплоотвода. Кроме того, для ГИФУ характерна высокая плотность размещения на коммутационной плате ИМС и радиокомпонентов (чаще всего бескорпусных).

Наибольший технический эффект достигнут именно в области проектирования ЦАА, чему способствует наивысшая степень унификации и стандартизации ИМС и микросборок в цифровых устройствах. Эффективность алгоритмов компоновки зависит как от схемных, так и конструктивно-технологических особенностей и ограничений способов монтажа, а именно: плотности размещения элементов БИС (с решением вопроса перераспределения теплоты); допустимого числа выходных контактов, места и шага размещения их на коммутационной плате; зон запрета; числа необходимых соединений и т. д.

В настоящее время при конструировании любых устройств МЭА одной из главных проблем является выбор методов защиты ИМС от дестабилизирующих факторов внешней среды. Существует два основных конструктивно-технологических решения: 1)корпусирование ИМС на уровне кристалла (корпусные ИМС); 2) корпусирование ИМС на уровне ГИФУ, ячейки или блока МЭА (бескорпусные ИМС). Отметим сразу, что термин «бескорпусные ИМС», по существу, не отражает сущности этого конструктивно-технологического подхода к решению проблемы. В связи с тем, что выбор того или иного вида корпусирования ИМС определяют те или иные методы монтажа ГИФУ, остановимся более подробно на основных показателях этих конструкций и основных тенденциях их развития.

Кассетные конструкции обеспечивают большую сложность при высоких конструктивно-технологических характеристиках. Весьма эффективна кассета ИЗ ПУ, ГДе ВМеСТО МИКрО- 5.?. Конструкция

Методы изготовления многослойных печатных плат. Применение МПП позволяет повысить плотность монтажа и уменьшить габариты печатных плат и приборов в целом. Однако изготовление МПП .значительно сложнее, чем двусторонних плат. Существует пять конструктивно-технологических вариантов изготовления МПП [55].

Предназначенные для продолжительных режимов разряда щелочные АБ имеют, как правило, более высокое внутреннее сопротивление, чем соответствующие кислотные АБ вследствие конструктивно-технологических особенностей электродов. С по-

Вследствие неизбежных конструктивно-технологических погрешностей (даже после соответствующей балансировки) центр тяжести маховика практически смещен относительно геометрического центра диска на расстояние е. При наличии такого эксцентриситета на вращающийся вал действует центробежная сила F'u = Mefl2, под влиянием которой возникает прогиб /г. Для изогнутого вала центробежная сила Fu=- M(c + hjQ2, она уравновешивается восстанавливающей упругой силой F= Nh. Если /,=/2, го N=48EI/l3, а прогиб h = FJ3/4XEl. Из равенства Fn = F находим ?l2 = Nh/M(e + h). Применяя к данному выражению правило Лопиталя при раскрытии неопределенности для случая /?->со, Q -»?!„, получаем ^_=7V/M. Таким образом,

Радиоэлектронная аппаратура представляет собой совокупность элементов, объединенных в сборочные единицы и устройства и предназначенных для преобразования и обработки электромагнитных сигналов в диапазоне частот колебаний от инфраниз-ких до сверхвысоких (СВЧ). Элементы, рассчитанные на совместную работу в РЭА, различают по функциональным, физическим, конструктивно-технологическим признакам и типам связей. По конструктивно-технологическому признаку элементы РЭА делят на дискретные и интегральные, которые объединяют в сборочные единицы, выполняющие элементарные действия (усилитель, генератор, дешифратор, счетчик и т. д.).

Схема типового ТП изготовления МПП с металлизацией сквозных отверстий приведена на 9.20. Процессы изготовления МПП по другим конструктивно-технологическим вариантам подробно рассмотрены в специальной литературе [9, 31, 34].

Применительно к организационно-технологическому проектированию ГПС выделяют следующие этапы последовательно проводимых работ: классификация деталей по конструктивно-технологическим признакам и их группирование; разработка групповых ТП, нормирование их и расчет количества технологического оборудования и рабочих мест; определение уровня организации и автоматизации производственного процесса и разработки ТЗ на ГАУ, ГАЦ; разработка операционных ТП изготовления и контроля изделий, нормирование их, а также уточнение количества технологического оборудования и рабочих мест; разработка ТЗ на базовые части переналаживаемой оснастки, нестандартное технологическое и контрольно-измерительное оборудование; расчет 38* 595

По конструктивно-технологическим признакам магнитопроводы делятся на три группы: пластинчатые, лек точные и формованные [7].

4) сборка и монтаж сборочных единиц двух!латной конструкции (применяется редко по конструктивно-технологическим причинам).

В книгах 1 --4 данной серии читатель познакомился с интегральными микросхемами, изготовляемыми по различным конструктивно-технологическим вариантам. Любая из выпускаемых промышленностью микросхем, любая из разрабатываемых и подготавливаемых к промышленному производству микросхем предназначена для выполнения определенных функций в составе радиоэлектронных и электронно-вычислительных средств приема, передачи, обработки и хранения информации, о которой пойдет речь в последующих книгах серии. Эти функции должны гарантированно выполняться в заданных условиях эксплуатации в течение определенного срока (который в свою очередь определяется надежностью микросхемы), а сама микросхема должна удовлетворять целой гамме потребительских свойств, к которым относятся, например, форма, габариты, масса, удобство обращения, универсальность, себестоимость, цена (и которые входят в -понятие качества микросхемы).

Каждая из этих групп описывается совокупностью технико-экономических показателей, количество которых определяется конструктивно-технологическим исполнением ИМС и областью их применения. Тем не менее из всей совокупно-

На практике наибольшее распространение получила методика статистического расчета надежности ИМС, основанная на следующих предположениях: имеются только внезапные отказы; коэффициенты режима работы ИМС являются функцией лишь положительной температуры окружающей среды, при которой теплота, выделяемая ИМС, возрастает; влияние электрического режима работы и других эксплуатационных факторов определяется соответствующими коэффициентами; формирование структурных элементов обусловлено конструктивно-технологическим исполнением ИМС. Применение данной методики изложено в последующих параграфах при расчете проектной надежности полупроводниковых и гибридных ИМС.

Применение ГИС в аппаратуре требует учета особенностей, связанных с реализованными в них схемотехническими решениями и конструктивно-технологическим исполнением.

Сформулированные в начале книги цели и задачи создания надежной малогабаритной микроэлектронной аппаратуры могут быть решены, как было показано, различными техническими способами. Творческая мысль инженеров-разработчиков, инженеров-конструкторов и инженеров-технологев обеспечила широкий фронт работ по различным конструктивно-технологическим вариантам создания МЭА, которые ведут к достижению поставленных целей. Но важным является и то, какой ценой эти цели могут быть достигнуты. Экономика— главный критерий эффективности при оценке различных вариантов решения технических задач. Вопросам оценок экономических факторов на этапах разработки, производства и освоения изделий микроэлектроники посвящена книга 9 настоящей серии.

Благодаря высокой степени очистки исходного материала, конструктивно-технологическим приемам и т.п. допустимые обратные напряжения кремниевых диодов в десятки раз превышают аналогичные величины у германиевых диодов. Вместе с тем с повышением температуры обратный ток увеличивается почти по экспоненциальному закону. Как было показано выше, нагрев приводит к значительному росту концентрации неосновных носителей заряда, но сравнительно мало влияет на количество основных носителей. Если же в процессе нагрева число электронов и дырок в каждом слое структуры станет одинаковым, то примесный полупроводник вырождается в собственный и р—и-переход прекращает свое существование. Таким образом, рост обратного тока обусловливает температурный предел работы полупроводниковых диодов. По этим причинам допустимая температура переходов у германиевых приборов не должна превышать +60 °...75 ° С, а кремниевых +120 °...150 °С.