Конденсатора потенциал

С помощью конденсатора переменной емкости Ск контур можно настроить на резонансную частоту

При обратном смещении инерционность /?-я-пере-хода определяется барьерной емкостью. Барьерная емкость Сб представляет изменение заряда в /-области под действием приложенного напряжения. Ширина р-л-перехода зависит от U по (2.4). При изменении / меняется и количество нескомпенсированных ионов в /-области, т. е. меняется ее заряд. Поэтому р-и-пере-ход можно рассматривать как систему из двух проводящих плоскостей, разделенных диэлектриком, т. е. как плоский конденсатор. Поскольку Сб зависит от приложенного напряжения, то ^-«-переход можно использовать в качестве конденсатора переменной емкости.

Выражение для tg б показывает, что шкалу конденсатора переменной емкости С/ можно проградуировать непосредственно в значениях tg б, так как частота со и сопротивление резистора R1 являются неизменными.

Измерения производят следующим образом. Установив заданную частоту и напряжение U, с помощью конденсатора переменной емкости С0 добиваются минимума показаний стрелочного прибора. Отсчитав по лимбу значение С0, получают значение Сх, а по шкале стрелочного прибора — tg б. На практике приходится для обеспечения достаточной чувствительности применять усилитель с высо-коомным входом:

резонансных усилителей применяют высокочастотные пентоды. Принципиальная схема резонансного усилителя показана на 6.16, б. Особенностью реальной схемы ( 6.16, а) является наличие двух разделительных конденсаторов Ср и Ср1, входящих в колебательный контур. Это связано с тем, что ротор конденсатора переменной емкости С, входящего в колебательный контур, обычно соединен с корпусом усилителя, находящимся под нулевым потенциалом (—?а), а катушка индуктивности L находится под высоким положительным потенциалом +Еа. При отсутствии разделительного конденсатора СР1 произойдет короткое замыкание источника э. д. с. Е%. Если разделительный конденсатор Ср поставить, как в обычном усилителе, между конденсатором С и резистором RC (см. пунктир на схеме 6.16, а),

то при случайном замыкании статорных и роторных пластин конденсатора переменной емкости источник э. д. с. Et окажется замкнутым через катушку контура L.

48. Ось конденсатора переменной емкости ( 3) вращается ручкой настройки с угловой частотой и = 2 1/с. Как изменяется емкость конденсатора за 1 с, если радиус подвижной и неподвижной пластин конденсатора составляет 30 мм, а расстояние между ними 0,1 мм?

Последовательность нанесения на лист основы чертежа может совпадать с последовательностью нанесения тех же линий на масштабном эскизе. Различие состоит в том, что при выполнении СБ чертежа нужно уметь находить местоположение основных линий. Для этого нужно помнить следующее правило: чем более упорядочен набор деталей разрабатываемого устройства (в смысле пространственной ориентации), тем больше информации несут в себе основные линии, изображающие эти детали. Например, ось ротора конденсатора переменной емкости, изображенная в виде штрих-пунктирной линии внутри полости корпуса, позволяет определить как местонахождение самой оси, так и «нанизанных» на нее деталей (пластин, подшипников, контактных элементов).

1. Получают функциональную зависимость требуемых по ТЗ параметров конденсатора переменной емкости от его конструктивных параметров. Например, переменная часть емкости Сп прямо-емкостного конденсатора

В качестве самостоятельной работы предлагается, пользуясь материалом, изложенным в § 3.1, составить программу для расчета токосъема конденсатора переменной емкости.

1) ее функционального назначения (для экрана катушки индуктивности — обеспечение экранирования иногда и механического крепления катушки в РЭА; для контактной пружины — создание электрического контакта; для оси ротора конденсатора переменной емкости — обеспечение вращательного движения пластин и их электрического соединения друг с другом и т. д.);

Источник смещения Е в базовой цепи действует на отпирание транзистора, поэтому по мере заряда конденсатора потенциал базы изменяется монотонно, достигая напряжения открытия транзистора, в результате чего обеспечивается автоколебательный режим. Рассмотрим все стадии формирования импульса. До момента времени t j ( 10.22, б) транзистор закрыт отрицатель-

ным потенциалом на конденсаторе. В коллекторной цепи протекает незначительный ток / Q Q, а потенциал коллектора равен UK- t/H . По мере разряда конденсатора потенциал базы повышается, и в момент времени ? j транзистор начинает открываться (прямой блокинг-процесс). Возникший в коллекторной цепи ток индуцирует в базовой обмотке ЭДС,способствующую дальнейшему нарастанию базового и коллекторного токов (положительная обратная связь). Прямой блокинг-процесс заканчивается переходом транзистора в режим насыщения (момент времени t^) и потерей управляющих свойств.

В ЭФБМ «Роботрон-1720» применяется схема мультивибратора, собранного на полевых транзисторах ( 125). При подаче напряжения питания транзистор 77 открывается, так как на его затвор подается отрицательный потенциал от источника — 14 В. Транзистор Т2 закрыт и на его стоке будет потенциал источника питания. Конденсатор С начинает заряжаться через открытый транзистор 77 по цепи: 14 В, резисторы R2, R3, R4, конденсатор С, сток-исток открытого транзистора 77, +13 В. Когда напряжение на конденсаторе достигнет потенциала отпирания транзистора Т2, последний отопрется, потенциал точки А станет близким к нулю и запрет транзистор 77. Начнется разряд конденсатора С по цепи: +С, R1, —14 В, +13 В, исток — затвор транзистора Т2, —С. По мере разряда конденсатора потенциал затвора транзистора Т2 становится все более положительным и транзистор Т2 закрывается, а транзистор 77 открывается и конденсатор вновь начинает заряжаться через открытый транзистор 77.

Для включения одновибратора на вход элемента Э1 поступает сигнал 0. В результате на выходе этого элемента образуется сигнал 0, который через конденсатор С1 поступает на вход элемента Э2 и переводит его в состояние 0 (L/вых — 0). Этот сигнал, поступая на вход элемента Э1, удерживает его в состоянии О независимо от сигнала на входе схемы. Начинается процесс заряда конденсатора по цепи: —27 В, R3, R4, С1, О В. По мере заряда конденсатора потенциал на его обкладках увеличивается и, поступая на вход элемента 52, формирует на его выходе сигнал 1. Схема устанавливается в исходное состояние.

тельной обратной связи. Цепочка R, С является времязадаю-щей. В исходном состоянии, когда на входе схемы действует сигнал логической единицы (UBx = 1), элемент Э2 находится в состоянии 1, а элемент Э1 в состоянии 0. Конденсатор С заряжен. Появление на входе элемента Э1 сигнала 0 (t/BX = 0) обусловливает появление на его выходе сигнала 1, запускающего элемент Э2, на выходе которого появляется сигнал 0. Конденсатор С начинает разряжаться через резистор R. Состояние 1 элемента Э1 сохраняется до тех пор, пока происходит разряд конденсатора С и формируется сигнал заданной длительности. По мере разряда конденсатора потенциал на входе элемента Э2 будет переключаться в состояние 1. Напряжение на его выходе растет, что приводит в результате действия обратной связи к уменьшению напряжения на выходе Э1. Схема устанавливается в исходное состояние.

Основные схемы генераторов пилообразного напряжения. Простейшая схема ( 10.16) может быть выполнена на тиратроне, который используется в качестве ключа. После подключения источника анодного напряжения конденсатор С начнет медленно заряжаться через большое сопротивление резистора R. Когда напряжение на нем достигнет значения ^заж> тиратрон зажигается, его сопротивление резко уменьшается и происходит быстрый разряд конденсатора. Потенциал зажигания тиратрона 1/заж определяется его сеточным смещением 1/с. После уменьшения напряжения на конденсаторе до значения 1/гаш тиратрон гаснет и конденсатор снова начинает медленно заряжаться. На выходе схемы образуется пилообразное напряжение с амплитудой Um = 1/заж — [7гаш и периодом Т = t^ + t^. Последний определяется в основном постоянной времени цепи заряда конденсатора т = RC. Поскольку после погасания тиратрона требуется некоторое время для его деионизации, такая схема пригодна только для генерирования пилообразного напряжения на сравнительно низких частотах.

Новое „состояние схемы не устойчиво ( 7.20,6), так как после отпирания Х\ начинается разряд конденсатора С2, ранее заряженного до напряжения ?к—/кбоЯкь с полярностью, указанной на 7.20,а. По мере разряда конденсатора потенциал базы

Рассмотрим процессы в схеме, начиная с момента времени ^0, когда транзистор Т закрыт напряжением «а конденсаторе С и идет разряд этого конденсатора через резистор У?о ( 7.2\,д). По мере разряда конденсатора потенциал базы транзистора становится менее положительным и в момент t\ достигает нулевого значения. Это приводит к открыванию транзистора Т и появлению тока коллектора 1К. Нарастающий ток iK ( 7.21, б) наводит э. д. с. на обмотках трансформатора. Вторичную (базовую) обмотку трансформатора включают таким образом, чтобы создавать и схеме положительную обратную связь, т. е. чтобы при увеличении t'K потенциал базы становился более отрицательным, что приведет к дальнейшему увеличению базового и коллекторного токов. В результате лавинообразного увеличения коллекторного тока (прямой блокинг-процесс) транзистор входит в насыщение (момент t2 на 7.21,6—е). На первичной коллекторной обмотке трансформатора создается перепад напряжения UKm=EK—UK3H&EK, являющийся выходным напряжением блокинг-генератора, а на разовой обмотке формируется отрицательный импульс напряжения i/6m = =Пб?к ( 7.21,г), где ti5=We/WK — коэффициент трансформа-

Сигнальный электрод, толща диэлектрика и поверхность мишени могут рассматриваться как своеобразный конденсатор. Поэтому при подаче входных сигналов нз сигнальный электрод, являющийся одной из обкладок этого конденсатора, потенциал поверхности мишени начнет изменяться во времени, следуя за напряжением сигнала. Пусть, например, на сигнальный электрод подается импульс положительной полярности. При этом потенциал сетки становится отрицательным относительно мишени. На коллектор, следовательно, уйдет меньшее число вторичных электронов, потенциал элемента мишени, на котором находится луч, снижается, и он приобретает некоторый заряд, пропорциональный емкости элемента и разности потенциалов на поверхностях диэлектрика.

В пространстве между обкладками цилиндрического конденсатора потенциал

1. Постройте кривую изменения потенциала между обкладками конденсатора для условий упражнения 3 § 1.2.