Конденсатора оказывается

При индуктивной нагрузке емкость коммутирующего конденсатора необходимо увеличить, так как он должен коммутировать ток из одного тиристора в другой и компенсировать реактивную мощность индуктивной нагрузки.

Следовательно, для обеспечения нормальной работы конденсатора необходимо, чтобы Up<.Un9, что возможно при соответствующем выборе толщины диэлектрика. Минимальную толщину диэлектрика определяют из выражения (4.73), если Unf==k3Up:

Если начальное напряжение между базой и эмиттером транзистора было 0,6 В, а напряжение на сопротивлении делителя было выбрано 3 В, то при изменении U(,.3 на 100 мВ, что эквивалентно изменению температуры окружающей среды на 50 °С, ток каскада изменится лишь на 3%. Естественно, такие изменения не отразятся на характеристике каскада как усилителя переменного тока. Возрастание падения напряжения на сопротивлении увеличивает глубину отрицательной обратной связи, тем самым еще больше стабилизируя режим работы каскада. Однако для получения неизменного выходного напряжения с каскада будет необходимо увеличить напряжение питания на ту же величину. Для того чтобы избежать отрицательной обратной связи по переменному напряжению, необходимо зашунтировать резистор R3 конденсатором Сэ. При выборе емкости конденсатора необходимо учитывать, что по нему, кроме входного тока, протекает усиленный в $ раз выходной ток транзистора и поэтому его емкость, особенно при усилении низкочастотных сигналов оказывается большой.

1. Правильно, так как в данном случае расстояние между заряженными телами значительно больше их диаметров. 2. Правильно. 3. Неверно. См. консультацию № 33. 4. Правильно, так как электрическое поле неоднородно. 5. Правильно. Емкость не зависит от напряжения: C==E,E0S/rf. Заряд увеличится, так как Q = CU. 6. Неверно, так как соотношение между емкостями конденсаторов неизвестно. 7. Неверно. Прочтите консультацию № 70. 8. Вы ошибаетесь. Вспомните общую формулу для емкости конденсатора. 9. Неправильно. Емкость плоского конденсатора не зависит от напряжения. Заряд действительно увеличится. 10. Неверно. Сила FA имела бы такое направление, если поле создавалось уединенным точечным заряженным телом. 11. Правильно, так как направление силы, с которой поле действует на пробный заряд, совпадает с касательной к силовой линии. 12. Неверно. Вы не учли, что поле разделенных зарядов направлено навстречу внешнему полю. Разности потенциалов этих полей равны по значению и противоположны по знаку. 13. Неверно. Так как неизвестно соотношение между емкостями, ответить на вопрос нельзя. 14. Правильно. Заряд Q = Ct/, поэтому для увеличения Q при (/ = const емкость конденсатора необходимо увеличить. 15. Неверно. В однородном поле U/\в\\ — '&/ш'лвП' а в неоднородном UABl = '^0,,lABl, причем 9"Ср<5УЛ. 16. Неверно. Центры электрического действия протона и электрона совпадают. Поэтому электрическое поле во внешнем по отношению к атому пространстве отсутствует. В области А поле существует, обеспечивая взаимодействие протона с электроном. 17. Правильно. 18. Неправильно. Составьте выражения для UАВ в случае однородного и неоднородного полей и проанализируйте их. 19. Неверно. Вспомните формулу для емкости плоского конденсатора. 20. Неверно. 21. Правильно. 22. Правильно, так как произойдет нейтрализация зарядов. 23. Неверно. Сила взаимодействия между заряженными телами обратно пропорциональна квадрату расстояния между ними. 24. Неверно. Работа не зависит от формы и протяженности пути в потенциальном поле. 25. Неверно. Энергия увеличится, так как возрастет общая емкость цепи, но при этом увеличится и заряд Q = C0f,mU. 26. Правильно. Следует заметить, что электростатическое поле существует только во время разделения зарядов, т. е. при переходном процессе. 27. Неверно, так как (/ = const = ^0Д0 + ^'/)А(,, и, следовательно, если gfь уменьшается, то *?„ увеличивается. 28. Неверно. Прочтите консультацию № 36. 29. Правильно. Емкость конденсаторов увеличивается и, следовательно, We = CU2/2 и Q = CU также увеличатся. 30. Неверно. Наши изобразительные возможности ограничены, и мы показываем поле в плоскости. Фактически поле существует в пространстве. 31. Вы ошибаетесь. Во-первых, уточните физический смысл напряжения, во-вторых, выясните, зависит ли напряжение между данными точками в электрическом потенциальном поле от формы пути. 32. Неверно. Напряженность поля заряда • %к при увеличении R уменьшается, но не так, как показано на

Чтобы определить энергию, запасенную в электрическом поле в процессе зарядки конденсатора, необходимо проинтегрировать полученное выражение в пределах изменения напряжения на зажимах конденсатора от 0 до UQ.

Для низковольтных конденсаторов общего назначения величина реактивной мощности достигает 25—75 вар. Переходные конденсаторы маломощных передающих устройств (20—30 Вт) должны выдерживать реактивную мощность более 25 вар. В передающих устройствах большой мощности используются конденсаторы с реактивной мощностью, равной 1000-М 0 000 вар. Значение сопротивления изоляции конденсатора необходимо учитывать, когда он используется в качестве переходного, как показано на 2.2.

Для улучшения электрических свойств конденсатора необходимо производить сушку бумаги для удаления воды и пропитку—• для замены воздуха, находящегося в порах бумаги, твердым или жидким диэлектриком, обладающим более высоким значением диэлектрической проницаемости и электрической прочности. Для

Для нормальной работы конденсатора необходимо, чтобы напряженность электрического поля ни в первом, ни во втором слоях конденсатора не достигла значения напряженности, при котором происходит пробой данного диэлектрика.

на 10 % емкость С конденсатора необходимо увеличить приблизительно в 1,11 раза.

Стабилизированные источники питания, которые мы описали, до сих пор остаются одними из лучших,-они имеют обычно пульсацию и уровень помех ниже милливольта и температурный дрейф около 100-10~6/°С. Это более чем достаточно для питания почти всего, что может когда-либо понадобиться. Однако возможно вам потребуются еще лучшие технические характеристики и вы не сможете обеспечить их с помощью выпускаемых ИС стабилизаторов. Тогда вам придется проектировать свои собственные схемы стабилизаторов, используя лучшие из доступных ИС опорных источников (в отношении стабильности и помех; см., например, REF101KM в табл. 6.7). Такая стабильность (< 1 • 10~6/°С) намного лучше, чем ТКС обычных металлопленочных резисторов (50-10"6/°С); поэтому вы должны больше уделять внимания выбору операционных усилителей и пассивных компонентов, ошибки и дрейфы которых не ухудшают общих технических данных. На 6.56 показана полная схема необычного стабилизированного источника питания с низким уровнем помех и малым дрейфом. Схема начинается с превосходной ИС REF10KM фирмы Burr-Brown, которая гарантирует ТКС лучше, чем 1 • 10~6/°С и очень низкий уровень шумов (6 мкВ размах, 0,1-10 Гц). Более того, это достигается без применения термостатического управления, которое позволяет удерживать приповерхностный зене-ровский шум на низком уровне. За источником опорного напряжения следует фильтр нижних частот для дальнейшего снижения уровня шумов. Большое значение емкости конденсатора необходимо для подавления токового шума операционного усилителя; указанное значение преобразует токовый шум (^

лебатсльной системе). Возвращение обкладок конденсатора в исходное положение, когда напряжение на конденсаторе проходит через нуль, происходит без отдачи колебательной системой энергии ( 3.15, б). Энергия, затраченная на раздвигание обкладок конденсатора, оказывается преобразованной в электрическую энергию и остается в колебательной системе. Итак, изменяя емкость диода с частотой в два раза более высокой, чем собственная частота колебательного контура (ср. 3.15, в и б), можно усилить существующие в контуре колебания за счет накачки в контур энергии от стороннего источника (генератора накачки).

конденсатора. Электрическое поле в реальных конструкциях рабочего конденсатора оказывается почти всегда существенно трехмерным, и задача может быть строго решена только численными методами с помощью ЭВМ. Алгоритмы таких расчетов известны. Возможности аналитических методов решения крайне ограничены многомерностью поля и наличием областей с разной диэлектрической проницаемостью.

Если подать импульс запуска Ф3 (см. 56, б) на фототиристор VS2 (см. 56, а), то он включается и коммутирующий конденсатор оказывается подключенным к аноду—катоду фототиристора VS1. При этом отрицательно заряженная пластина конденсатора оказывается соединенной с анодом, положительная (через фототиристор VS2) — с катодом, вследствие чего фототиристор VS1 запирается, а фототиристор VS2 остается во включенном состоянии. Конденсатор Ск перезаряжается: минус оказывается на аноде правого (включенного) фототиристора VS2, плюс — на аноде левого VS1 (запертого), вследствие чего при подаче нового

Для упрощения анализа заменим реальную'форму напряжения пилообразной. Тогда постоянная составляющая выходного напряжения 7= = {/2 — Af/c/2- Величину А(/с (см. 14.9, б) можно определить из условия стационарности (постоянства) процессов заряда и разряда конденсатора Сф. Заряд, который получает конденсатор за время /а — t\ определится выражением Q3 = CAUc- Зл-ряд, который теряет конденсатор за время ^з—^2, определится выражением Qpa3=/o(^3—12). Так как емкость конденсатора обычно выбирают достаточно большой, то отрезок времени, на котором происходит разряд конденсатора, оказывается близким к половине периода входного напряжения выпрямителя. Поэтому Qpa3^yIoT/2. Условие стационарности (0,= С'раз) имеет вид IoT/2=&U-cC, откуда находим Д{/с = /о7У(2С) = U0T/(2RHC)= (У„Г/2т.

Характер процессов при разряде конденсатора оказывается существенно различным в зависимости от того, будут ли корни характеристического уравнения вещественными или комплексными, что определяется соотношениями между параметрами г, L и С.

конденсатора, плюс — на левой). После насыщения транзистора Т% правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом устройства через малое выходное сопротивление каскада на насыщенном транзисторе Га; напряжение на левой обкладке, равное t/m, приложено к базе 7j. Конденсатор C^ начинает разряжаться. Цепь его разрядки показана на 6.30. Разрядка осуществляется через две параллельные цепи: /?cl, а также через резистор R$t, источник смещения Яом и участок «коллектор — эмиттер» насыщенного транзистора 7V Постоянная времени цепи разрядки конденсатора С,

передается на базу Г2, вызывая его дальнейшее отпирание. Процесс переключения транзисторов развивается лавинообразно и заканчивается насыщением транзистора Т2. За это время напряжение на обкладках Сг практически не изменяется, остается близким к Е (минус на правой, плюс — на левой обкладке конденсатора). Через насыщенный транзистор Т2 правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом, а левая обкладка по-прежнему соединена с базой 7\ и положительное напряжение на ней запирает транзистор Тг, Мультивибратор перешел во второе квази устойчивое состояние равновесия. В этом состоянии транзистор 7\ заперт, транзистор Т2 насыщен, конденсатор d разряжается через R6i на источник питания — Е, конденсатор С2 заряжается от источника питания — Е через RKi и эмиттерный переход насыщенного транзистора Т2.

минус — на правой обкладке конденсатора, плюс — на левой). После насыщения транзистора Т2 правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом устройства через малое выходное сопротивление каскада на насыдснном транзисторе Т2; напряжение на левой обкладке, равное Uт, приложено к базе ТЛ. Конденсатор С\ начинает разряжаться. Цепь его разряда показана на 5.30. Разряд осуществляется через две параллельные цепи: /?С1, а также через резистор ??fil, источник смещения Еш и участок «коллектор — эмиттер» насыщенного транзистора Т2. Постоянная времени цепи разряда конденсатора Сг 62 = С „ *j ^ . Сопротивления /?с и R6

После того как напряжение на базе Т2 перейдет нулевой уровень, транзистор отпирается, появляется коллекторный ток, создающий положительное приращение напряжения на RK2, которое через конденсатор Сх передается на базу Тг, выводит этот транзистор из насыщения и вызывает его переход в активный режим. Коллекторный ток транзистора уменьшается, напряжение на коллекторе получает отрицательное приращение, которое с коллектора 7\ через конденсатор С\ передается на базу Ts, вызывая его дальнейшее отпирание. Процесс переключения транзисторов развивается лавинообразно и заканчивается насыщением транзистора Т2. За это время напряжение на обкладках С1 практически не изменяется, остается близким к Е (минус на правой, плюс — на левой обкладке конденсатора). Через насыщенный транзистор Т2 правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом, а левая обкладка по-прежнему соединена с базой 7\ и положительное напряжение на ней запирает транзистор Тг. Мультивибратор перешел во второе квазиустойчивое состояние равновесия. В этом состоянии транзистор Т1 заперт, транзистор Т„ насыщен, конденсатор Сг разряжается через R6i на источник питания—Е, конденсатор С2 заряжается от источника питания —? через RK1 и эмиттерный переход насыщенного транзистора Т2.

При последовательном соединении конденсаторов напряжение на каждом конденсаторе группы распределяется неравномерно, так как каждый конденсатор имеет свои, отличающиеся от других, значения потерь и токов утечки. Реактивное сопротивление каждого конденсатора оказывается различным, а следовательно, и напряжения на их зажимах будут различны.

Характер процессов при разряде конденсатора оказывается существенно различным в зависимости от того, будут ли корни характеристического уравнения вещественными или комплексными, что определяется соотношениями между параметрами г, L и С.

Цепи разделения синхроимпульсов. Чтобы использовать синхроимпульсы для синхронизации генераторов развертки луча кинескопа по строкам и по кадрам — необходимо разделить их на строчные и кадровые. Отделение кадровых синхроимпульсов, имеющих большую длительность, производится интегрирующей цепью '/?eQ- Ее постоянная времени выбирается такой, что за время кадрового синхроимпульса 2 конденсатор С^ успевает зарядиться (накопить заряд) через резистор Rg почти до полного напряжения f/j (рис 3-51, в и г), а за более короткое время строчного синхроимпульса / заряд конденсатора оказывается малым (Ui), В результате на Выходе г интегрирующей цепи выделяются импульсы кадровой синхронизации (рис 3-51, г).