Концентрация легирующей

*l Концентрация компонента в процентах по объему. *2 Концентрация компонента в процентах по массе. ю ** На 1 л суспензии.

*' В объемных соотношениях компонентов; концентрация реагентов марки ОСЧ, %: HNOS 70-72; HF 45—49; СН3СООН 99,8 (ледяная); НзРО4 85—88; НС1 35-38; НС1О4 57; H2SO4 93-95; НЛ 30; МН4ОН 25; CjH6O3 40; С4Н6О6 27. * Концентрация компонента в объемных процентах.

где ф — равновесный потенциал; ф0 — постоянная величина для данного металла, называемая «стандартным потенциалом»; п — число электронов, остающихся на поверхности электрода после перехода иона металла в раствор; [ок] — концентрация компонента, находящегося з окисленном состоянии; [вое] — концентрация компонента, находящегося в восстановленном состоянии.

и результате реакции на этой поверхности появится газ В(с) я осадок М(тв), следовательно, концентрация компонента А должна измениться в .приповерхностном слое, что IB свою очередь окажется на "Скорости реакции. Следовательно, в приповерхностном слое концентрация компонентов будет иной, чем IB свободном потоке.

где и — скорость лотока, м/с; d — характеристический размер (эффективный диаметр, м.) реактора; v — кинематическая вязкость, кг/(м2-с); flj — стехиометрический коэффициент компонента i в химической реакции ('безразмерный); /г — скорость реакции по компоненту t (для реакции первого порядка), кг/(м2-с); С, — концентрация компонента i, кг/м3; D — коэффициент диффузии, м2/с.

Данные Концентрация компонента, 10~~* М

.—• ----------- ГПокрытие Основной металл или металл подслоя Компоненты раствора Концентрация компонента, Г/Л Время выдержки одной капли, с Признак окончания измерения

Покрытие Основной металл или металл подслоя Компоненты раствора Концентрация компонента, г/л Признак окончания измерения

Покрытие Основной металл или металл подслоя Компоненты раствора Концентрация компонента, г/л Время выдержки одной капли, с Признак оконча. иня измерения

Покрытие металл или металл подслоя Компоненты раствора Концентрация компонента , г/л Признав окончания намерения

Таким образом, глубина проникновения контактного поля в полупроводник тем больше, чем больше разность работ выхода полупроводника и металла и меньше концентрация легирующей примеси в полупроводнике. Концентрация электронов в приконтактной области п (х) —

перехода. Если в плоскости контакта концентрация легирующей примеси изменяется скачком от Яд к ЯА, то такой переход называется резким или ступенчатым.

Германий, используемый для изготовления полупроводниковых элементов, не должен содержать случайных примесей больше 5-Iff9 %. Наиболее распространенным способом очистки германия является метод зонной плавки. Электронный и дырочный тип электропроводности в германии создают путем легирования его соответствующей примесью. Концентрация легирующей примеси обычно составляет один атом на !010 - 10'2 атомов полупроводника. Поэтому примесь в германий вводят в виде лигатуры, которая является сплавом германия с примесью. В лигатуре примесь содержится уже в значительных количествах (составляет проценты).

В зависимости от электрических свойств содержащихся в структуре зпитаксиальных слоев такое изделие можно считать как полупроводниковым материалом, так и полупроводниковым прибором. Критерием для определения изделия служит характер выходных параметров, используемых для контроля качества структуры. Если они материа-ловедческие (химический состав, концентрация легирующей примеси, структурное совершенство, электрические, оптические и.другие физические свойства)1, то эпитаксиальная структура представляет собой материал. Если же в комплекс выходных параметров входят приборные характеристики (параметры электролюминесценции, пробивное напряжение, вольт-амперная характеристика и др.), то такая эпитаксиальная структура представляет собой полуфабрикат— приборную заготовку. И действительно, заключительные операции по изготовлению прибора сводятся к ряду монтажных операций: разделке приборной структуры на отдельные кусочки — так называемые кристаллы, изготовлению контактов к ним и сборке прибора, «упаковке» его в корпус.

Лигатуры представляют собой сильно легированные примесью полупроводники в форме монокристаллов или поликристаллов. Иногда в качестве лигатур используют химические соединения легирующей примеси с элементарным полупроводником (например, фосфид кремния SiP в случае легирования кремния фосфором) или компонентом полупроводникового соединения (например, сульфид галлия GaS в случае легирования фосфида галлия серой). В общем случае монокристаллическую лигатуру, концентрация легирующей примеси в которой не превышает 1020 атом/см3, применяют для получения слабо легированных, а поликристаллическую для получения сильно легированных монокристаллов полупроводников.

зевавшиеся в низкотемпературной области, ООЫЧНО располагаются в линиях скольжения ( 4.44, б). Эта тенденция проявляется тем сильнее, чем ниже температура и выше уровень термоупругих напряжений и концентрация легирующей примеси.

В ходе процесса осаждения эпитаксиаль-ного слоя поверхностная концентрация легирующей примеси стремится к стационарному значению Л^Ст ( 6.11). Поверхностная концентрация создается в результате одновременно протекающих процессов адсобрции атомов примеси из газовой фазы на поверхности растущего эпитаксиального слоя, захвата ее слоем и диффузии примеси в глубь подложки. Учесть вклад всех этих процессов в стационарную концентрацию из-за большого числа неизвестных во многих случаях параметров пока не представляется возможным. Поэтому, как показала практика, можно без существенной ошибки приравнять значения поверхностной и стационарной концентраций:

Уравнение (6.22) хорошо подтверждается экспериментальными данными, например, приведенными на 6. 12, а [изменение наклона графика от 1 до 0,5 связано с тем, что концентрация собственных носителей заряда при температуре около 1400 К п,-=(2— 5)1019 см~3]. С ростом температуры эпитаксиальнего процесса концентрация легирующей примеси в эпитаксиальном слое падает ( 6.12, б). При оптимальных температурах осаждения эпитаксиального слоя концентрация примеси в нем с увеличением ско-

Концентрация легирующей примеси до значений порядка Ю18—Ю19 атом/см3 строго пропорциональна парциальному давлению пара или газа легирующей примеси ( 6.25, а) или концентрации ее в расплаве галлия (6.25,6). Это свидетельствует о том, что процесс захвата легирующей

В п-р-п транзисторе с ОБ эмиттерный р-п переход при прямом смещении инжектирует электроны из п-эмиттера в базовую область транзистора. Если концентрация легирующей примеси в эмиттере значительно больше, чем в ба-

Расчет параметров и характеристик дрейфовых транзисторов осложнен тем обстоятельством, что концентрация легирующей примеси в слоях транзистора зависит от координаты. Зависят от координаты подвижность, коэффициент диффузии и время жизни носителей заряда. Это создает серьезные математические трудности для получения расчетных соотношений на основе решения уравнения непрерывности. Получение конечных результатов в аналитической форме в этом случае возможно только для ограниченного числа упрощенных модельных задач.