Компоновка электрических

интеграции возрастает сложность создания межсоединений, а также увеличивается площадь, занимаемая ими на' поверхности кристалла. В некоторых типах СБИС, за исключением регулярных схем, в частности ЗУ, площадь, занимаемая межсоединениями, превышает суммарную площадь компонентов (транзисторов, резисторов и т.п.). Одним из путей решения данной проблемы является разработка архитектуры систем, позволяющая перейти на регулярные схемы, аналогичные ЗУ.

ИМС малой степени интеграции представляли собой логические вентили, выполняющие простейшие логические функции, триггерные схемы (триггеры, сумматоры, дешифраторы и т.п.) или схемы усилителей. В топологическом отношении первые ИМС — это базовые кристаллы с набором транзисторов, резисторов и других компонентов, которые объединялись путем металлизации в различные логические и триггерные схемы. Схемотехническая организация таких ИМС практически совпадает с организацией базового логического элемента. По мере роста степени интеграции появились возможности реализовать в виде СИС простейшие блоки и узлы традиционных систем обработки и хранения дискретной информации. При этом область применения СИС сужается, что влечет за собой увеличение типов СИС при одновременном уменьшении производства и, следовательно, увеличении стоимости. Таким образом, рост степени интеграции входит в противоречие с экономическими факторами.

При схемотехническом проектировании наряду с адаптацией на уровне алгоритмов анализа успешно применяется адаптация на уровне математических моделей. Это относится как к моделированию активных компонентов (транзисторов, диодов, операционных усилителей и т. д.), так и к формированию математической модели всего проектируемого объекта. Адаптация на уровне моделирования компонентов означает, что в процессе проектирования выбирается наиболее подходящая модель, которая подвергается целенаправленным изменениям в зависимости от особенностей решаемой задачи на различных частотных и временных интервалах.

1.12. Монтаж на плату ГИС активных миниатюрных компонентов: транзисторов с гибкими (а, б] и жесткими jo, г] выводами, а также многовыводных полупроводниковых БИС с гибкими (д) и жесткими (с) выводами

Первый элемент — буква, обозначающая функциональное назначение прибора: А — измерители тока; В — вольтметры; М — измерители мощности; Е — измерители параметров электрических цепей; Ч — измерители частоты и временных интервалов; Ф — фазометры и измерители времени запаздывания; С — устройства для наблюдения и исследования формы сигнала и спектров (в том числе — и электронные осциллографы); X — устройства для изучения и наблюдения характеристик электрических цепей; И — устройство для изучения (и визуального наблюдения) характеристик импульсных сигналов; П — измерители напряженности электромагнитных полей; Л — измерители параметров активных электронных компонентов (транзисторов электронных ламп, интегральных микросхем и т. д.); Т — анализаторы цифровых сигналов (и потоков данных); У — измерительные усилители; Н — меры электрических величин (тока, напряжения, мощности и т. д.); Г — измерительные аналоговые генераторы; Ц — генераторы цифровых сигналов; К — измерительные комплексы; Я — блоки измерительных приборов; Б — стабилизированные источники питания для измерительных приборов.

Интегральные микросхемы (ИС) — приборы, использующие свойства полупроводниковых веществ и представляющие собой совокупность нескольких взаимосвязанных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов и т. д.), изготовленных в едином технологическом цикле на полупроводниковых или диэлектрических подложках и выполняющих функцию преобразования информации.

Пленочная и гибридная технология. С помощью пленочной технологии изготавливают пассивные элементы: резисторы, конденсаторы, элементы индуктивности, а также соединительные проводники и контактные площадки. Таким образом, чисто пленочные ИС обычно являются пассивными. Пленочные интегральные элементы часто используют совместно с миниатюрными навесными компонентами в составе гибридных ИС. Последние, уступая полупроводниковым ИС по надежности, плотности упаковки и себестоимости, имеют во многих случаях лучшие технические показатели за счет применения широкой номенклатуры навесных компонентов (транзисторов, конденсаторов и элементов индуктивности). Элементы пленочных и гибридных ИС выполняются на поверхности диэлектрической подложки.

Интегральные технологические процессы изготовления элементов обеспечивают получение компонентов схемы в виде отдельных областей в полупроводниковых материалах, интегрально (неразрывно) связанных и обладающих характеристиками дискретных радиокомпо-нентов. При этом все межкомпонентные соединения производятся в процессе изготовления интегральных компонентов и также являются интегральными. Интегральные компоненты изготовляются различными методами диффузии, эпитаксиального наращивания, окисления и т.п. Интегральная схема представляет собой пластинку кремния площадью около 1,5 мм2, в теле которой образованы десятки компонентов — транзисторов, диодов и резисторов. Интегральная схема собирается в отдельном герметизированном корпусе стандартной формы и раз-

Интегральные микросхемы (ИС) — приборы, использующие свойства полупроводниковых веществ и представляющие собой совокупность нескольких взаимосвязанных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов и т. д.), изготовленных в едином технологическом цикле на полупроводниковых или диэлектрических подложках и выполняющих функцию преобразования информации.

Пленочная и гибридная технология. С помощью пленочной технологии изготавливают пассивные элементы: резисторы, конденсаторы, элементы индуктивности, а также соединительные проводники и контактные площадки. Таким образом, чисто пленочные ИС обычно являются пассивными. Пленочные интегральные элементы часто используют совместно с миниатюрными навесными компонентами в составе гибридных ИС. Последние, уступая полупроводниковым ИС по надежности, плотности упаковки и себестоимости, имеют во многих случаях лучшие технические показатели за счет применения широкой номенклатуры навесных компонентов (транзисторов, конденсаторов и элементов индуктивности). Элементы пленочных и гибридных ИС выполняются на поверхности диэлектрической подложки.

усилителя при разомкнутой цепи обра ной связи ограничивает его возможное! при использовании в схеме с обратно связью. В частности, коэффициент усил< ния при замкнутой цепи обратной связ никогда не может стать больше, чй коэффициент усиления при разомкнуто цепи обратной связи, а по мере того ка величина коэффициента усиления пр; разомкнутой цепи обратной связи при ближается к величине коэффициента уси ления при замкнутой цепи обратной свя зи, усилитель все дальше отходит ш своим характеристикам от идеального В этом разделе мы оценим количествен ные отклонения, и вы сможете заранее определять характеристики усилителя с обратной связью, состоящего из реальных (а не идеальных) компонентов. Это будет полезно и при разработке усилителей с обратной связью на основе только дискретных компонентов (транзисторов); для дискретных усилителей коэффициент усиления при разомкнутой цепи обратной связи обычно намного меньше, чем для операционного усилителя. Их выходной импеданс, например отличен от нуля. Однако если вы будете хорошо разбираться в принципах обратной связи, то это поможет вам получить требуемые характеристики в любой схеме.

9-4. Компоновка электрических станций и подстанций.

94. КОМПОНОВКА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТАНЦИЙ

9.4. КОМПОНОВКА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТАНЦИЙ И ПОДСТАНЦИЙ. РАЗМЕЩЕНИЕ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

§ 9.4 Компоновка электрических станций и подстанций

§ 9.4 Компоновка электрических станций и подстанций

§ 9.4 Компоновка электрических станций и подстанций

Компоновка электрических подстанций 428

9.4. Компоновка электрических станций и подстанций. Размещение распределительных устройств...... 428

9.4. КОМПОНОВКА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТАНЦИИ И ПОДСТАНЦИЙ. РАЗМЕЩЕНИЕ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

§ 9,4 Компоновка электрических станций и подстанций

§ 9.4 Компоновка электрических станций и подстанций