Катушками индуктивности

Ионно-плазменное распыление представляет собой разновидность катодного распыления — оно осуществляется в результате бомбардировкой ионами газового разряда специальной мишени. Схема установки для ионно-плазменного распыления представлена на 7.4. Распыляемые с поверхности мишени частицы конденсируются на подложке 2. Перед началом процесса воздух из камеры откачивают до давления 10~4 Па. Затем нключают ток накала катода 5, а между анодом 3 и катодом 5 прикладывают напряжение. После заполнения рабочей камеры инертным газом под давлением KH.-.IO-1 Па между анодом и катодом при достаточно большой термоэлектронной эмиссии с катода возникает дуговой разряд, а промежуток между анодом и катодом будет заполнен ионизированным газом — плазмой. Если тепеэь подать на мишень 4 отрицательный потенциал, то положительные ионы будут «вытягиваться» из плазмы и бомбардировать поверхность мишени. Атомы материала мишени начнут распыляться и конденсироваться на подложке 2.

в скипидаре). Пасту с помощью кисти наносят на образец в соответствии с формой и размерами электродов. Образец с нанесенной пастой подвергают сушке, а затем нагреву в муфеле. При нагревании происходит удаление органических компонентов, затем разложение углекислого серебра и, наконец, выделение металлического серебра в виде плотно прилегающей пленки. Метод вжига-ния требует нагревания до нескольких сотен градусов и поэтому применяется лишь для керамики, слюды и отчасти стекла. Разработаны также низкотемпературные серебряные пасты. Слой серебра после вжигания должен быть плотным и равномерным, без просветов, видимых через лупу с пятикратным увеличением. Методом вакуумного распыления можно наносить электроды из платины, золота, серебра, меди и алюминия с помощью маски; эти же металлы можно наносить методом катодного распыления в вакууме, а также путем химического осаждения, не требующего использования вакуума. Однако надо следить, чтобы в зазоре между измерительным и охранными электродами на образце не было осаждаемого металла, ' продуктов реакции или других посторонних веществ. Слой осажденного металла должен быть равномерным, без просветов и рваных краев, видимых при исследовании поверхности через лупу с пятикратным увеличением.

слюды, стекла и подобных им диэлектриков применяют электроды в виде слоя серебра, цинка или алюминия, нанесенного на поверхность образца методом вжигания; процесс вжигания повторяют дважды для получения однородного слоя. В тех случаях, когда требуемая для этого высокая температура недопустима для изоляционного материала, электроды наносят путем катодного распыления или испарения в вакууме. Слой металла должен быть сплошным, без просветов, толщиной 5—10 мкм.

Нанесение пленок через съемные маски осуществляют термическим испарением в вакууме либо ионно-плазменным распылением. Метод катодного распыления через съемные металлические маски не применяют, поскольку маска является экраном, искажающим электрическое поле между анодом и катодом, что может привести к прекращению процесса распыления; использование для этих целей масок из диэлектрических материалов нецелесообразно из-за низкой точности и трудности их изготовления.

В простейшей двухэлектродной схеме катодного распыления источником ионов, является плазма тлеющего разряда ( 2.13, а), возникающая в среде инертного газа.

г) 2.13. Схемы камер для катодного распыления:

Чтобы осуществить относительно чистый процесс распыления, необходимо на подложку подать небольшой отрицательный потенциал относительно анода (100—300 В)— процесс катодного распыления со смещением ( 2.13,6). С одной стороны, это приведет к отталкиванию отрицательно заряженных ионов, а с другой — слабая бомбардировка положительными ионами инертного газа способствует обез-гаживанию поверхности подложки, а затем и пленки.

Разновидностью катодного распыления со смещением является распыление при переменном асимметричном напряжении ( 2.13, в). В отрицательный полупериод проводится распыление, а в положительный полупериод с меньшей амплитудой — слабая бомбардировка подложки для обезгаживания и очистки.

По мере увеличения масштабов производства ГИС растет потребность в оборудовании, которое обеспечивало бы высокую надежность и высокий выход годных ИМС в сочетании с высокой производительностью. Конструкция высокопроизводительной установки катодного распыления представлена на 2.15.

2.15. Конструкция конвейерной установки ионного (катодного] распыления:

Пленочными называют схемы, нанесенные в виде тонких пленок на изоляционную подложку из стекла или керамики. Термин «тонкие пленки» относится к проводящим, полупроводниковым и непроводящим покрытиям толщиной до нескольких микрометров. В зависимости от назначения тонких пленок и от материала тонкопленочного покрытия применяют методы вакуумного напыления, катодного распыления, электролиза, фотохимического покрытия, печатного, диффузионного, термического окисления и др. В состав пленочных схем входят как пассивные элементы — резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, так и активные элементы — диоды, транзисторы, тиристоры. Для изготовления тонкопленочных резисторов применяют металлы и сплавы металлов с высоким удельным сопротивлением: нихром, никель, тантал. Изменяя площадь тонкопленочного резистора и соотношение его сторон, можно при неизменной толщине пленки получить сопротивление от десятков ом до нескольких килоом с точностью ±2%. Материалом для обкладок конденсаторов в тонкопленочном исполнении служит алюминий или медь, в качестве диэлектрика применяют микропленки из фтористого магния, имеющие диэлектрическую проницаемость около 6,5 при пробивном напряжении ~2-10" в/см.

Приемник цветного изображения строится по супергетеродинной схеме, т. е. с преобразованием частоты радиосигнала вещательного телевидения в область более низкой промежуточной частоты, где и производится основное усиление. Для этой цели служит селектор каналов (СК), состоящий из входной цепи /, резонансного усилителя радиочастоты 2, смесителя частоты 3 и гетеродина 4. СК выполняется в виде отдельного блока, который может осуществлять прием или только в диапазоне MB (СКМ), или только в ДМВ (СКД), или, наконец, в обоих диапазонах — всеволновой (СКВ). Настройка СК на соответствующий радиоканал производится механическим или электронным способом. В первом случае используется барабанный переключатель, содержащий съемные вставки с катушками индуктивности, которые входят в состав резонансных контуров входной цепи, УВЧ и гетеродина. Во втором случае коммутация катушек индуктивности осуществляется с помощью коммутационных диодов, а настройка контуров на заданный радиоканал — с помощью варикапов. Обычно устройства коммутации и органы предварительной настройки конструктивно объединяют в виде отдельного блока — устройства сенсорного выбора программ (СВП).

одновременно теплоотводом и экраном ( 1.17, 1.18). Гибридные микросхемы располагают таким образом, чтобы коммутация между ними осуществлялась по минимально коротким связям. В качестве частотно-избирательных узлов применяют интегральные пьезоэлектрические фильтры, активные и цифровые RC-фильтры, фильтры на поверхностных акустических волнах, усилители с пленочными и кольцевыми катушками индуктивности, ЭРЭ, конструктивно совместимые с бескорпусными ГИС.

вместимости элементной базы. В частности, ГИС и пленочные катушки индуктивностей являются компоновочно более совместимыми (см. 1.18) по сравнению с ГИС с кольцевыми катушками индуктивности. Однако пленочные плоские катушки индуктивности существенно уступают по характеристикам объемным (кольцевым).

В процессе анализа взаимозависимости параметров электрической схемы и ее модели, отражающей особенности разрабатываемой ИМС, пользуются различными методами моделирования, наиболее распространенными из которых являются методы граничных испытаний, частотных испытаний, испытаний на наихудшее сочетание условий, математического моделирования с помощью ЭВМ, статистического расчета и др. При использовании большинства из перечисленных методов особые затруднения возникают вследствие ограниченной вариации параметров схемных элементов. Например, если резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности, параметры которых должны изменяться внутри заданного интервала значений, можно изобразить в схеме соответственно потенциометрами, конденсаторами и катушками индуктивности с переменными номиналами, то транзистор с

Существуют и другие многочисленные применения гиратора: преобразование напряжения и тока, моделирование Т- и П-образ-ных звеньев с катушками индуктивности, трансформаторов, резонансных контуров. В качестве примера на 7.38 изображена модель параллельного голебательного контура ( 7.38,6) на базе гиратора (7.38, а).

Модели переменного тока могут широко применяться для исследования режимов работы мощных энергетических систем, состоящих из источников энергии — электростанций, потребителей и электрических линий, имеющих определенные сопротивления и индуктивности, связывающих источники энергии друг с другом и потребителями. Для моделирования переходных, динамических, процессов служат электрические модели с резисторами, катушками индуктивности и конденсаторами или с темп и другими. Прямолинейное движение материальных тел в ряде случаев описывается уравнением вида

Сетевой трансформатор питании — это трансформатор питания электронной аппаратуры, предназначенный для работы от сети переменного тока. Как правило, трансформатор содержит сердечник из магнитопровода, одну первичную и несколько вторичных обмоток. В сглаживающих фильтрах выпрямительных устройств используются однообмоточные трансформаторы — дроссели. Однообмоточные трансформаторы в радиотехнике называются катушками индуктивности.

В общем случае расчет переходных процессов в цепях с резисторами, конденсаторами и катушками индуктивности сводится к нахождению решения линейных неоднородных дифференциальных уравнений. Как известно, это решение равно сумме частного решения неоднородного уравнения и общего решения однородного уравнения. В данном параграфе будут рассмотрены переходные процессы в цепях при их подключении к источнику постоянного напряжения, а также при коротком замыкании.

вления и индуктивности, связывающих источники энергии друг с другом и потребителями. Для моделирования переходных, динамических, процессов служат электрические модели с резисторами, катушками индуктивности и конденсаторами или с теми и другими.

Для электромеханических систем характерно широкое разнообразие компонент — механических, электрических, гидравлических, пневматических и т. п. Если в электрических цепях обычно имеют дело с сопротивлениями, катушками индуктивности, конденсаторами, диодами, транзисторами, тиристорами, электронными лампами, трансформаторами, в механических устройствах — с валами, рычагами, пружинами, шестернями, подшипниками и т. п., то электромеханические системы включают все перечисленные выше компоненты и, кроме того, различного рода преобразователи (электромагнитные, электромеханические, гидравлические и т. п.), датчики и т. д.

Магнитная паразитная обратная связь возникает за счет взаимной индуктивности, появляющейся между выходной и входной цепями усилителя или их элементами (катушками индуктивности, трансформаторами, дросселями). Такая обратная связь также легко устраняется применением магнитных экранов и разнесением соответствующих элементов схемы при их монтаже.