Комплексные соединения

1) представить исходные данные о параметрах всех элементов цепи в комплексной форме. Это означает, что, во-первых, синусоидальные ЭДС источников напряжения или токи источников тока, заданные мгновенными значениями (в тригонометрической форме), следует представить комплексными значениями (табл. 2.3) и, во-вторых, для индуктивных и емкостных элементов цепи нужно определить соответствующие комплексные сопротивления или комплексные проводимости (табл. 2.4);

На 2.32 представлена схема замещения цепи с параллельным соединением источника ЭДС Ё = U = U L $и резистивного, индуктивного и емкостного элементов, комплексные проводимости которых соответственно равны g~l/r, -jb^ =l//wL и jbc = ju>C.

Параллельное соединение элементов ( 2.38, б) будет эквивалентно последовательному ( 2.38, а), если комплексные проводимости или со-

где YH и ?г г - собственные комплексные проводимости ветвей четырехполюсника, содержащих источники ЭДС Ё\ и EJ, ; У\2 ~У.г\ — взаимная комплексная проводимость этих ветвей.

Комплексные проводимости YI i, Угг, Yi2 и ?г\ определяются значениями параметров элементов цепи четырехполюсника, и их можно измерить (см. § 1.12).

1) представить исходные данные о параметрах всех элементов цепи в комплексной форме. Это означает, что, во-первых, синусоидальные ЭДС источников напряжения или токи источников тока, заданные мгновенными значениями (в тригонометрической форме), следует представить комплексными значениями (табл. 2.3) и, во-вторых, для индуктивных и емкостных элементов цепи нужно определить соответствующие комплексные сопротивления или комплексные проводимости (табл. 2.4) ;

На 2.32 представлена схема замещения цепи с параллельным соединением источника ЭДС Е = U = U L фи резистивного, индуктивного и емкостного элементов, комплексные проводимости которых соответственно равны g = l/r , -jbL = l//wl и jbc = jwC.

Параллельное соединение элементов ( 2.38, б) будет эквивалентно последовательному ( 2.38, д), если комплексные проводимости или со-

- собственные комплексные проводимости ветмй четы-содержанок мсточннкн ЭДС е\ • «a; Jfta *JT»i — взаимная комплексная проводимость этих ветвей.

Комплексные проводимости Jf п, Jii.Jfii н Ytt определяются значениями вараметров элементов ванн четырехволюснюса, н нх можно измерить (см. § 1.12).

1) представить исходные данные о параметрах всех элементов цепи в комплексной форме. Это означает, что, во-первых, синусоидальные ЭДС источников напряжения или токи источников тока, заданные мгновенными значениями (в тригонометрической форме), следует представить комплексными значениями (табл. 2.3) и, во-вторых, для индуктивных и емкостных элементов цепи нужно определить соответствующие комплексные сопротивления или комплексные проводимости (табл. 2.4);

Наилучшим способом десорбции примесей металлов с поверхности полупроводников является перевод их в устойчивые комплексные соединения. Для этой цели используют растворы плавиковой кислоты, ацетонитрила, трилона-Б, триоксина и др. Плавиковая кислота особенно эффективна для десорбции металлических примесей с окисленной поверхности полупроводников, так как она хорошо растворяет оксидную пленку. Однако лишняя операция обработки полупроводников в растворах кислоты влечет за собой дополнительные потери полупроводника в результате растворения и перехода его в раствор.

Для получения высокоомного кремния необходим три-хлорсилан, содержащий примесей, не более % (по массе): бора 0,3-10~7; фосфора 1,5- 1Q-7; мышьяка 0,005-10~7 и углерода (в виде углеводородов) 5-10~7. Это вызвано тем, что очистить кремний кристаллизационной очисткой от бора практически невозможно, а от других перечисленных примесей — очень трудно. Поэтому для очистки трихлорси-лана от трудноудаляемых примесей их переводят в нелетучие или комплексные соединения.

Для перевода бора в комплексные соединения в трихлор-силан вводят различные органические соединения, например трифенилхлорметан, триметиламины, ацетонитрил, аминокислоту, кетон и др. Они образуют с бором комплексное соединение типа (С6Н5)С-ВС1з, легко удаляемое в ходе ректификации. Трихлорсилан от примеси бора очищают- также адсорбцией, пропуская Трихлорсилан через колонки, заполненные алюмогелем или другими гелями, например ТЮ2, Fe2O3, Mg(OH)2 и др.

Некоторое промышленное применение получили электролиты кадмнрования на основе органических коьшлексообразователей (<моноэтанолами-на, этилсндиамнна, полиэтиленполияыцна, Tpiuiona Б и др.), а также смесей органических и неорганических комглексообразователей (например, гшрофосфатно-трнлонатный электролит) Кадмий образует с эти ми веществами прочные комплексные соединения, хорошо растворимые в воде Электролиты характеризуются достаточно хорошей оассенваю-щей способностью, получением весьма мечкозерннстых осадков Коррозионная стойкость покрытий, особенно полученных из пирофосфатно-трилоиатного электролита, мато отличается от коррозионной стойкости покрытий, полученных нз цнанидных электролитов.

Аккумулятор состоит из цинкового электрода, катионообмен-ной или микропористой мембраны, положительного бромного электрода (пористого графита или титана). Рабочая температура - 25-35°С. Для снижения потерь брома и саморазряда предложено связывать бром в комплексные соединения путем введения в католитный раствор бромида цинка и НВг (рН составляет 2^3), лигандов (например, четвертичных соединений аммония). Для уменьшения дендритообразования в анолит вводят специальные ингибиторы.

Выше (см. § 10.2) рассматривались трудности очистки от циркония, ниобия и рутения. Радиоактивный 95Zr (71,/2=65 сут) образуется при делении урана тепловыми нейтронами с выходом 6,2 %. Распадаясь, он превращается в 95Nb (Ti/2=35 сут), который, в свою очередь, превращается в стабильный 95Мо. Эти элементы так,же способны частично экстрагироваться ТБФ, образовывать комплексные соединения, коллоиды и сорбироваться на твердых материалах.

Выше (см. § 10.2) рассматривались трудности очистки от циркония, ниобия и рутения. Радиоактивный 95Zr (71,/2==65 сут) образуется при делении урана тепловыми нейтронами с выходом 6,2 %. Распадаясь, он превращается в 95Nb (/1/2=35 сут), который, в свою очередь, превращается в стабильный 95Мо. Эти элементы так,же способны частично экстрагироваться ТБФ, образовывать комплексные соединения, коллоиды и сорбироваться на твердых материалах.

При обработке коллоидными растворами на поверхности пластмасс сорбируются комплексные соединения палладия и олова, оседают коллоидные частицы шлладия и продукты гидролиза олова. Общее количество палладия на активированной поверхности достигает 5 мг/м2 или примерно 1016 атомов Pd на 1 см2. Однако они приобретают каталитическую активность только после обработки в рас-.творе акселератора, удаляющего избыток соединений олова.

дуктов коррозии затрудняет обраэовя-иие качественных пленок в цннк-фосфатной ванне. Один из путей снятия свежеобразованных продуктов коррозии стали в процессе фосфатнрова-ния в цинк-фосфатном растворе — введение оксалаг-янионов 02OJ~, которые с трехззрядпыки катионами Fe(III) образуют растворимые комплексные соединения:

Технологические сточные воды в гальванических процессах меднения, цинкования и кадмирования содержат высокотоксичпые простые и комплексные соединения циана (цианиды): KaCN, KCN, CuCN, Fe(CN)2 — простые цианиды: [Сп(СМ)2Г, lCu(CN)8]2 , [Cu(CN)4 Г; I Zn(CN4) Г, [Fe(CN)e Г, [Fe(CN)cl4 — комплексные цианиды.

При обработке коллоидными растворами на поверхности пластмасс сорбируются комплексные соединения палладия и олова, оседают коллоидные частицы шлладия и продукты гидролиза олова. Общее количество палладия на активированной поверхности достигает 5 мг/м2 или примерно 1016 атомов Pd на 1 см2. Однако они приобретают каталитическую активность только после обработки в рас-.творе акселератора, удаляющего избыток соединений олова.