Комнатной температуре

клей-герметики, клеи-расплавы, пленочные клеи. Анаэробными называются клеевые композиции, способные отверждаться без доступа воздуха и не содержащие растворителей. Они устойчивы в течение длительного времени к воздействию кислот, щелочей, воды, травильных составов, смазочных веществ, радиации и применяются для стопорения резьбовых соединений, сварных швов, герметизации пористого литья. Клеи-расплавы представляют собой термопластичные, не содержащие растворитель композиции, которые при нагревании переходят в вязкотекучее состояние и быстро возвращаются в твердое состояние при охлаждении до комнатной температуры. Температура, при которой наносится клей, обычно несколько выше температуры его плавления. Наиболее рациональное использование клеев-расплавов — в виде пленок. При этом обеспечивается равномерная толщина клеевого шва, плотное соединение, удобство применения и низкая стоимость.

Обмотки рамок покрывают слоем лака ГФ-95. Рамки размещают на специальной вешалке и сушат на воздухе в течение i ч, а затем в термостате при температуре 363...373 К в .течение 8 ч. Извлеченные из термостата рамки охлаждают до комнатной температуры на столе, оборудованном вытяжной вентиляцией. После этого повторно покрывают обмотку тем же лаком с последующей сушкой в термостате при температуре 353...363 К в течение 2 ч.

Наиболее типичным и распространенным материалом для изготовления резисторов является манганин — сплав меди (около 85%), марганца (12...13%) и никеля (около 3%), имеющий удельное электрическое сопротивление р = 0,42...0,48 мкОм/м; ТКС ар = (—3... ...+4) • 10~5 1/К; термо-э. д. с. в паре с медью ет = 1...2 мкВ/К. Манганин отличается высокой временной стабильностью, что достигается его специальной термообработкой — отжигом в вакууме при температуре 550...600° С с последующим медленным охлаждением. Для снятия механических напряжений, возникающих в материале при намотке резисторов, готовые резисторы подвергаются искусственному старению, т. е. циклическому нагреву до 120...130° С с последующим охлаждением до комнатной температуры. Годовая нестабильность состаренного манганинового проволочного резистора может составлять 0,001 % и менее.

Содержание кислорода в полупроводниковых соединениях резко понижает их пластические свойства: кристаллы растрескиваются иногда даже в процессе выращивания, но чаще при охлаждении до комнатной температуры.

Анализ уравнений (4.103) показывает, что плотность дислокаций в монокристаллах полупроводников определяется величиной как градиентов температуры, так и порождаемых ими термоупругих напряжений. Последние могут достигать значений, вызывающих даже растрескивание монокристаллов полупроводников большого диаметра при охлаждении их до комнатной температуры. Это часто встречается при выращивании монокристаллов разлигающихся полупроводниковых соединений, например арсенида и фосфида галлия, методом жидкостной герметизации (см. 4.1, г). В этом случае вследствие интенсивного отвода тепла от монокристалла окружающим его сжатым газом градиенты температуры в 4 — 5 раз больше, чем в случае выращивания монокристаллов в вакууме или при низком давлении инертного газа.

Для стабилизации свойств кварцевых резонаторов используют искусственное старение, которое проводится по следующей температурно-временной программе: нагрев до температуры 343 К с выдержкой в течение 24 ч, а затем охлаждение до комнатной температуры в течение 30 мин. Цикл искусственного старения повторяется несколько раз в зависимости от требований стабильности свойств резонатора.

При введении в кремний или германий примесей III группы (алюминия, бора или индия), называемых акцепторными, в кристаллической решетке ( 1.1, в) в месте расположения атома примеси появляется дополнительный энергетический уровень, расположенный вблизи валентной зоны и незаполненный при температуре абсолютного нуля. За счет прихода электрона от соседнего атома основного вещества (например, при нагреве до комнатной температуры) образуется отрицательный ион примеси, а на месте оборванной связи положительный заряд — дырка. Локальные энергетические уровни примесей расположены теперь около валентной зоны и легко берут на себя электроны из этой зоны, приводя к образованию дырок. Основными носителями при этом становятся дырки, неосновными — электроны. Избыточный заряд дырок уравновешивается зарядом отрицательных ионов, при этом сохраняется электрическая нейтральность полупроводника. Полупроводник с акцепторной примесью называется полупроводником р-типа. Для р-полупроводника

сушильных камер бумага нарезается на листы, сортируется и укладывается в пачки в зависимости от требуемой толщины готовых листов. Затем пачки закладываются в многоэтажные гидравлические прессы, па которых при 150—160 °С и под давлением 6—10 МПа прессуются. Время выдержки принимается из расчета 2—5 мин на 1 мм толщины прессуемого листа, изготовляемого на основе феноль-ных смол, и 7—10 мин на 1 мм для гетинакса на основе эпоксидных смол. После выдержки при высокой температуре листы гетинакса охлаждаются без снятия давления до комнатной температуры, затем снимают давление, пачки вынимают из пресса, обрезают и упаковывают. Гетинакс согласно упомянутому ГОСТу выпускается не-

Сёгнетоэлектрики находят применение: для изготовления малогабаритных низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью; для изготовления материалов с большой нелинейностью поляризации для диэлектрических усилителей, модуляторов и других управляемых устройств; в вычислительной технике — для ячеек памяти; для модуляции и преобразования лазерного излучения; в пьезо- и пироэлектрических преобразователях. Среди конденсаторной сегнетокерамики можно выделить ряд материалов. Например, Т-900, кристаллическая фаза которого .представляет собой твердый раствор титанатов стронция SrTiO3 и висмута Bi4Ti3O12 с температурой Кюри 7V - —140 °С. Этот материал имеет сглаженную зависимость диэлектрической проницаемости от температуры. Для производства малогабаритных конденсаторов на низкие напряжения используют также материал СМ-1,изготовляемый на основе титана-та бария с добавкой оксидов циркония и висмута. Для изготовления конденсаторов, работающих при комнатной температуре, в том числе и высоковольтных, используется материал Т-8000 (er ~ 8000), имеющий кристаллическую фазу на основе ВаТЮ3 — BaZrO3. Точка Кюри этого материала находится вблизи комнатной температуры.

** Значения всех последующих параметров даны дд::я комнатной температуры

Напряженность внутреннего поля увеличивается с ростом градиента коцентрации доноров и температуры. При изготовлении полупроводниковых приборов широко пользуются методом диффузии примесей в полупроводник. При этом создается неравномерное распределение примесей, которое приближенно может быть представлено функцией вида Ng(x) =ЛГ?(0)ехр( — х/1я), где Nt(0) — концентрация доноров на поверхности; х — расстояние, отсчитываемое от поверхности в глубь полупроводника; La — средняя длина диффузии примесных атомов (расстояние, на котором концентрация примесей уменьшается в е раз). Используя это распределение, по (1.13) находим, что 6=фтД-д- Следовательно, при экспоненциальном распределении примесей напряженность внутреннего электрического поля в равновесии постоянна (не зависит от координаты). Например, при ^д = 0,1 мкм для комнатной температуры (§=2600 В/см.

В электронной структуре кристалла кремния с примесью фосфора четыре валентных электрона фосфора и валентные электроны четырех соседних атомов кремния образуют четыре связанные пары. Пятый валентный электрон фосфора оказывается избыточным. При незначительных затратах энергии от внешних источников (тепловая энергия при комнатной температуре) избыточный электрон теряет связь с атомом примеси и становится свободным электроном. Атом фосфора, потеряв электрон, становится неподвижным положительным ионом. Такой полупроводник называется полупроводником с электронной электропроводностью или полупроводником л-типа, а соответствующая примесь — донорной. На 10.1 приведено условное изображение идеального полупроводника и-типа, на котором неподвижный положительный ион обозначен знаком плюс в кружочке, а подвижный свободный" электрон - знаком минус.

Если в качестве примеси используется индий, имеющий три валентных электрона, то в электронной структуре кристалла кремния одна валентная связь атома индия с четырьмя соседними атомами кремния недоукомплектована и в кристалле образуется "дырка". Для образования устойчивой электронной структуры кристалла необходим дополнительный электрон. Тепловой энергии при комнатной температуре вполне достаточно для того, чтобы атом индия захватил один электрон из валентной связи между соседними атомами кремния. При этом атом индия превращается в устойчивый неподвижный отрицательный ион, а дырка перемещается на место расположения захваченного электрона. Далее на место вновь образовавшейся дырки может переместиться электрон из соседней валентной связи и т. д. С электрофизической точки зрения этот процесс можно представить как хаотическое движение в кристалле свободных дырок с положительным зарядом, равным заряду электрона. Такой полупроводник называется полупроводником с дырочной электропроводностью или полупроводником р-типа, а соответствующая примесь —акцепторной. На 10.2 приведено условное изображение идеального полупроводника р-типа.

Электролитический сплав олово—свинец должен иметь состав, приближающийся к эвтектическому, что обеспечит последующее оплавление при минимальной температуре и хорошую паяемость ПП. Это достигается выбором оптимального режима осаждения и строгим его поддержанием. Содержание олова в осадке возрастает при понижении плотности тока, увеличении количества вводимых добавок, снижении температуры электролита, увеличении олова в электролите и сильном его перемешивании. При осаждении сплава олово—свинец из борфтористоводородного электролита (г/л): Sn2+—13...15, РЬ2+ —8...10, HBF4 — 250.. .300, Н3ВОз — 20 ... 30, пептон — 3 ... 5, гидрохинон — 0,8 ... 1, аноды изготавливают из сплава, содержащего 61 % свинца и 39 % олова. Процесс ведут при комнатной температуре, плотности тока 1 ... 2 А/дм2 и скорости осаждения 1 мкм/мин.

алюминиевых сплавов, вторые — как из металлов, так из термореактивных пластмасс (кремнийорганических каучуков, полиуретанов и др.). Для того чтобы заливочная масса не прилипала к разъемной форме, применяют полирование, хромирование или плакирование фторопластом внутренних полостей, а также обработку антиадгезионными смазками. В качестве разделительного слоя, снижающего адгезию компаунда к форме, используют растворы полиизобутилена, каучука, поливинилового спирта, кремнийорганических и других материалов. Смазка наносится кистью тонким слоем и высушивается при комнатной температуре в течение 15... .. .30 мин. При многоразовом использовании форм с антиадгезионным слоем необходимо после воздушной сушки применять печную при температуре 180. ..200 °С в течение 0,5.. .2 ч. Металлические формы используют в основном при заливке крупногабаритных изделий в условиях мелкосерийного и серийного производства. Более экономичными являются пластмассовые корпуса, их можно объединять в многоячеечные формы.

Как показывает опыт, процесс герметизации жидкими полимерными композициями недостаточно экономичен для условий автоматизированного производства малогабаритных компонентов из-за малой жизнеспособности компаунда, трудности его дозирования, высокой стоимости оборудования. Эти недостатки устраняются при использовании порошкообразных материалов, из которых прессованием при давлении 45.. .50 МПа изготавливаются калиброванные по массе таблетки требуемой формы. Высокая ра-стекаемость порошкообразных компаундов, длительная жизнеспособность при комнатной температуре, возможность автоматического позиционирования таблетки с требуемой точностью относительно изделия или капсулы позволяют рекомендовать этот метод для герметизации капсулированием ( 13.7,6).

У парамагнетиков при комнатной температуре х » 10~2-f--4- 10~5. Для большинства парамагнетиков имеет место значительная зависимость х от темпера-туры. От напряженности поля при обычных температурах парамагнитная восприимчивость зависит слабо, но при температурах, близких к О К, парамагнетики можно привести в состояние магнитного насыщения. Внешне парамагнетики отличаются тем, что втягиваются в неоднородное магнитное поле.

Цилиндрические магнитные домены. Цилиндрические магнитные домены (ЦМД) возникают при определенных условиях в монокристаллических пластинках или пленках некоторых ферритов. Впервые ЦМД изучались в веществах с общей химической формулой RFeOs, где R — редкоземельный элемент*, а также близкий им по свойствам иттрий. Такие соединения, обладающие орторомбической кристаллической структурой типа перовскита, называют ортоферритами. Все эти соединения, за исключением SmFe03, при комнатной температуре обладают самопроизвольной намагниченностью, направленной вдоль орторомбической оси с. Если из монокристалла ортоферрита вырезать

12.1. Естественное магнитное старение магнитов из некоторых сплавов при комнатной температуре:

Смещение нуля на выходе ОУ. Реальный ОУ имеет на выходе некоторое постоянное напряжение даже в том случае, когда оба его входа 'Соединены с общим проводом. Причиной этого является наличие постоянных входных токов ОУ и асимметрия реальной схемы ОУ. Напряжение смещения нуля на выходе ОУ U2cu можно скомпенсировать, приложив на вход ОУ некоторое небольшое постоянное напряжение смещения f/iCM (порядка 3...7 мВ) соответствующей полярности. Входное напряжение смещения f/iCM зависит от температуры и напряжения питания. В справочниках приводятся значения UiCK, соответствующие комнатной температуре. Напряжение смещения на выходе можно определить из выражения

7. Зависимость удельной электропроводности гндрогеннзнрованного аморфного кремния при комнатной температуре от состава газовой смеси

Как уже указывалось, особенностью гидрогенизированного аморфного кремния является возможность эффективного управления его электрическими свойствами легированием донорнои или акцепторной примесью. Зависимость удельной электропроводности о гидрогенизированного аморфного кремния при комнатной температуре от состава газовой смеси показана на 7 (на оси ординат отложены соотношения концентраций jV диборан — силан и фос-фин — силан). Пленки a-Si : Н наносились разложением силана в тлеющем разряде; количество легирующей примеси регулировалось контролируемым изменением содержания в газовой смеси фосфина и диборана (соответственно при легировании фосфором и бором). Как видно из р-ис_.__7, нелегированный гидрогенизирован-