Коллектор транзистора

П. 10.2. Парогенераторы для мощных АЭС с водяным теплоносителем в горизонтальном исполнении: / — входной коллектор теплоносителя; 2— поверхность теплообмена; 3 — сепараторы 2-й ступени сепарации; 4 — штуцера уровнемера; 5—корпус ПГ; 6 — раздающий коллектор питательной воды; 7 — сепараторы 1-й ступени сепарации; 8 — выходной коллектор

/ —• входной коллектор теплоносителя; 2 — теплообменная поверхность; 3 — коллектор раздачи питательной воды; 4 — дырчатый погруженный щит; 5 — ввод питательной воды; 6—жалюзийный сепаратор; 7 — па-роотводящие трубы; 8 — паросборный коллектор; 9 — воздушники; 10 — отвод отсепарированной влаги; //— выходной коллектор теплоносителя

Коллектор теплоносителя 08Х18Н10Т

2.35. Коллектор теплоносителя:

/ — люк-лаз; 2 — корпус; 3 — кожух трубного пучка; 4 — штуцеры уровнемеров; 5 — жалюзийный сепаратор; 6 — люк-лаз; 7 — штуцер аварийного подвода воды; 8 — штуцер непрерывной продувки; 9 — ширма пучка труб теплопередающей поверхности; 10 — штуцер периодической продувки; // — коллектор теплоносителя; 12 — разделительная обечайка коллектора; 13 — раздающий коллектор питательной воды; 14 — штуцер дренажа

— штампосварное 498 Коллектор теплоносителя 214 Компенсация запаса реактивности 161

Характеристика ВВЭР-440 ВВЭР-1000 Коллектор теплоносителя

2.35. Коллектор теплоносителя:

/ — люк-лаз; 2 — корпус; 3 — кожух трубного пучка; 4 — штуцеры уровнемеров; 5 — жалюзийный сепаратор; б — люк-лаз; 7 — штуцер аварийного подвода воды; 8 — штуцер непрерывной продувки; 9 — ширма пучка труб теплопередающей поверхности; 10 — штуцер периодической продувки; // — коллектор теплоносителя; 12 — разделительная обечайка коллектора; 13 — раздающий коллектор питательной воды; 14 — штуцер дренажа

— штампосварное 498 Коллектор теплоносителя 214 Компенсация запаса реактивности 161

Усилитель ( 2.7, а), в котором транзистор включен по схеме с общим коллектором, называют эмиттерным повторителем. В этом усилителе основной резистор, с которого снимается выходное напряжение, включен в эмиттерную цепь. Коллектор транзистора по переменной составляющей напряжения соединен с общей точкой усилителя -L, так как внутреннее сопротивление источника питания ?к очень мало. В эмиттерном ловторителе имеется отрицательная обратная связь как по постоянной, так и по переменной составляющим напряжения.

С помощью простейших дополнительных устройств на основе осциллографа можно получить характериограф — устройство для получения на экране ЭЛТ характеристик нелинейных элементов (транзисторов, диодов и др.). На 10.4 приведена функциональная схема харак-териографа для исследования коллекторных характеристик транзистора/«=/({/K)h6=const. Синусоидальное напряжение от генератора поступает через трансформатор в коллекторную цепь транзистора и на вход X осциллографа, генератор развертки которого выключен. На вход У с резистора R подается напряжение, пропорциональное коллекторному току t'K. Сопротивление резистора R выбирают малым, чтобы оно не влияло на коллекторный ток. С помощью потенциометра R& задается ток базы г'б. При воздействии на промежуток эмиттер — коллектор транзистора синусоидального напряжения ик возникает коллекторный ток, когда потенциал коллектора положителен (положительная полуволна синусоиды). Одновременно с этим луч на экране ЭЛТ смещается по горизонтали на величину, пропорциональную ик. Смещение луча по вертикали пропорционально iK; следовательно, на экране будет наблюдаться характеристика iK(uK). Изменяя ток базы, можно последовательно получить на экране ЭЛТ семейство коллекторных характеристик, а при быстром ступенчатом автоматическом изменении тока базы наблюдать на экране сразу все семейство.

Состояние транзистора, при котором отсутствует напряжение на р — n-переходе между эмиттером и базой, называется равновесным ( 6.2, а). В равновесном состоянии на обоих переходах устанавливается динамическое равновесие между потоками дырок и электронов, протекающих в обе стороны. Эмиттер и коллектор транзистора являются низкоомными слоями, а база — высокоомным слоем. В результате потенциалы Ферми эмиттера фрэ и коллектора ФРК лежат вблизи уровней акцепторов, а у базы уровень Ферми расположен вблизи середины запрещенной зоны.

Коллектор транзистора 82

Дополнение схемы переключателя тока эмиттер-ными повторителями играет важную роль. Благодаря малому выходному сопротивлению эмиттерного повторителя повышается нагрузочная способность схемы и ускоряется перезаряд нагрузочной емкости. Транзисторы ЭСЛ-схемы ( 5.21) работают в активном режиме, что исключает время рассасывания носителей заряда в базе транзистора, т. е. существенно повышается быстродействие схемы. В отсутствие эмиттерных повторителей активный режим работы транзисторов обеспечить крайне сложно, так как коллектор транзистора основной схемы оказывается непосредственно связан с базой входного транзистора нагрузочной схемы, что неизбежно приводит к насыщению последнего. В случае применения эмиттерных повторителей напряжение на базе открытого нагрузочного транзистора, например, VT± нагр равно

Если на все входы МЭТ VI поданы низкие потенциалы, соответствующие логическому 0 (1/в°х < 0,8 В), то переходы база-эмиттер МЭТ смещены в прямом направлении. При этом потенциал базы МЭТ составляет величину 0,8 В, что недостаточно, чтобы открыть три р-п-перехода: база—коллектор транзистора VI и база-эмиттер транзисторов V2, V4. Транзисторы V2, V4 будут находиться в режиме отсечки.

В схеме ОК. общим электродом для входной и выходной цепей является коллектор транзистора (см. 2.12, в). Входным током, как и для схемы с ОЭ, является ток базы /б, а выходным — ток эмиттера 1Э. Коэффициент передачи тока в этой схеме

Пусть в результате любого случайного изменения напряжений на базах или коллекторах несколько увеличится ток /Ki транзистора Т\. При этом увеличится падение напряжения на резисторе /?Ki и коллектор транзистора Т\ получит приращение положи-

так как напряжение на его коллекторе в первый момент времени равно амплитудному значению напряжения U т на конденсаторе (выходе схемы). Затем конденсатор разряжается через участок эмиттер — коллектор транзистора и последний входит в режим насыщения. Далее процесс повторяется. Длительность прямого хода пилообразного импульса равна длительности управляющего импульса.

в цепи эмиттер — коллектор транзистора Т2 и» следовательно, падения напряжения на резисторе R3. Это вызывает уменьшение разности потенциалов между базой и эмиттером, т. е. увеличение сопротивления постоянному току цепи коллектор — эмиттер транзистора 7\. В результате падение напряжения на транзисторе 7\ увеличивается, а выходное напряжение стабилизатора остается почти неизменным. При возрастании тока нагрузки уменьшается падение напряжения на резисторе Rz, ток коллектора транзистора Т2 и падение напряжения на резисторе Rs, что обусловливает увеличение разности потенциалов между базой и эмиттером транзистора 7\ и уменьшение сопротивления цепи коллектор — эмиттер транзистора 7V В результате выходное напряжение стабилизатора почти не изменяется.

В отличие от логических элементов ТТЛ, ЭСЛ, МОП в элементах И2 Л допускается разветвление только выхода (многоколлекторный транзистор), а не входа (не допускается подключение одного коллектора к многим базам последующих логических элементов). Поэтому в логических элементах ( 97, б) используются многоколлекторные транзисторы VT1 и VT2. Генератором тока в цепях базы этих транзисторов служит транзистор р-л-р-типа, конструктивно совмещенный с транзисторами n-p-n-типа (т.е. база и коллектор транзистора р-/>р-типа одновременно являются эмиттером и базой транзисторов п-р-л-типа).