Коллекторе уменьшается

Задача 6.9. Определить максимальное (пиковое) значение напряжения на коллекторе транзистора, работающего в режиме, использованном в условиях задачи 6.7.

Задача 6.10. Используя данные примера 6.9, определить максимально допустимую мощность рассеяния на коллекторе транзистора типа КТ325А при ^стах=ЮО°.

Задача 6.11. Чему равна максимально допустимая мощность рассеяния на коллекторе транзистора типа КТ903А при ^стах = 66°

Решение. В этой схеме значение Т проще определить по передаче тока в петле ОС. Удобно за начало петли выбрать узел разветвления токов в коллекторе транзистора Vt.

Задача 8.5. Питание ИМС типа К119УН1 (см. рис, 8.6,а) ведется от биполярного источника напряжения ±.Ео = 6,3 В. Конденсатор. С2 отсутствует, конденсатор Сз включен между выводом 12 и общим проводом. Определить переменное напряжение на коллекторе транзистора (вывод 9) при подаче на вход (вывод 10) ?/i=100 мВ.

Рпот, выделяемую в виде теплоты на коллекторе транзистора, а также к. п. д. т) усилителя;

11.21 (О). Применительно к данным задачи 11.19 определите мощность РО, потребляемую усилителем от источника питания, полезную мощность Р\ ВЫх, выделяемую током первой гармоники в колебательнм контуре, мощность Рпот, рассеиваемую в виде теплоты на коллекторе транзистора, а также к. п. д. т] усилителя.

11.22 (О). Коллекторная цепь усилителя, рассмотренного в задаче 11.19, содержит колебательный контур, настроенный на частоту второй гармоники входного сигнала. Резонансное сопротивление контура /?реэ = 8.6 кОм. Найдите амплитуду колебательного напряжения итвых на коллекторе транзистора.

При подаче входного сигнала появляется ток во входной цепи, изменяются базовый и коллекторный токи транзистора, что приводит к изменению напряжения на коллекторе транзистора и появлению тока t'H. Потенциальная диаграмма усилителя ( 6.9, б) показывает, что в отсутствие входного напряжения (0<*<: <У выходное напряжение ивых=0; в интервале <10, а в интервале t>t2 «вх>0 и ыВЫх<0-

Задача 2.8. Чему равна максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора при температуре окружающей среды 20° С, если тепловое сопротивление переход — окружающая среда Rae составляет 1° С /мВт, а максимально допустимая температура перехода Гп.макс = 100°С?

8.11. В схеме резонансною удвоителя частоты использован транзистор, параметры и режим работы которого заданы в условии предыдущей задачи. Резонансная частота контура /р=1 МГц, емкость С —250 пФ, добротность Q = 5Q. Коэффициент включения контура в коллекторную цепь /; = 0,2. Найти амплитуду напряжения на коллекторе транзистора и мощность в контуре.

С появлением отрицательной полуволны напряжения транзистор включается и напряжение на его коллекторе уменьшается. Поскольку уменьшение напряжения uK9(t) происходит не мгновенно, а с постоянной времени 6Э, то в течение времени включения напряжение на коллекторе еще отрицательно, диод заперт этим напряжением по аноду и не влияет на значение включающего базового тока /о = — (Ег — E0)/R6. Коллекторный ток возрастает, стремясь к кажущемуся току /каж1=В/б, напряжение на коллекторе с той же постоянной времени вэ стремится к нулю. Напряжение в точке а относительно корпуса устройства можно считать равным — Е0 или, более точно, с учетом напряжения еоб на базе включенного транзистора Ua = = — (Ео + e0g). Б процессе включения каскада напряжение на коллекторе Т не сможет достичь нулевого значения: когда отрицательное напряжение на коллекторе превысит уровень Ua, отпирается диод Д, который фиксирует напряжение на коллекторе включенного транзистора. Остаточное напряжение на коллекторе UKO = Ua — е0, где

Далее в процессе восстановления напряжение на коллекторе уменьшается до уровня +Е по экспоненциальному закону с постоянной времени LM/Ra ( 6.117).

Коллекторный ток гк = <7/тт также нарастает по экспоненте. Напря-жение на коллекторе уменьшается. При напряжении на коллекторе, близком к нулю, транзистор переходит в режим насыщения _(/=/з). UpvL этом заряд в базе равен заряду насыщения q=

Отрицательный объемный заряд ОПЗ в р-базе увеличивается: р- = —q(NA + nK ), а положительный объемный заряд ОПЗ в «-коллекторе уменьшается: pl' = g(ND—/гк), как показано на 2.12,6 штриховыми линиями. Это приводит

положительная обратная связь: увеличение коллекторного тока 7\ приводит к положительному приращению напряжения на его коллекторе; скачок коллекторного напряжения, передаваясь через конденсатор Ct на базу Г2, вызывает его запирание и уменьшение коллекторного тока; напряжение на коллекторе уменьшается, получая отрицательное приращение. Передаваясь через цепь #с—-С2

Далее в процессе восстановления напряжение на коллекторе уменьшается до уровня +Е по экспоненциальному закону с постоянной времени LJRH ( 5.115).

С появлением отрицательной полуволны напряжения транзистор включается и напряжение на его коллекторе уменьшается. Поскольку уменьшение напряжения икэ (t) происходит не мгновенно, а с постоянной времени 0Э, в течение времени включения напряжение на коллекторе еще отрицательно, диод Д заперт этим напряжением

С ростом температуры все токи транзистора увеличиваются, а напряжение на его коллекторе уменьшается. Уменьшение напряжения на коллекторе равносильно появлению на входе схемы сигнала положительной полярности. Дрейф коллекторного напряжения можно скомпенсировать, подав на вход сигнал отрицательной полярности, который называют дрейфом УПТ, приведенным к его входу, 8. Зная абсолютный выходной дрейф А и коэффициент усиления К, можно определить приведенный дрейф

При работе мультивибратора в автоколебательном режиме в момент о ( 159, б—д) транзистор VT1 открыт, насыщен током, проходящим через резистор R3, и напряжение на его коллекторе t/Kaimm мало. Напряжение на конденсаторе С2 вследствие его разряда через резистор R2 приближается к нулю, а напряжение на базе транзистора VT2, представляющее собой сумму напряжений Ucz и 1/кэ\, становится положительным. Транзистор VT2 открывается, напряжение на его коллекторе уменьшается, а напряжение на базе транзистора VT1, представляющее собой сумму напряжений (УС4 и ?/КЭ2, становится отрицательным, что приводит к его резкому закрыванию.

Логическая 1 поступает на входы логического элемента, если выводы эмиттеров транзистора VT1 соединить с -f- ?/„. „ ( 171,6). При этом эмиттерные переходы транзистора VT1 закрываются при падении напряжения на резисторе R1, создаваемого током коллектора транзистора VТ1. Этим же током открывается и переходит в режим насыщения транзистора VT2, причем напряжение на его коллекторе уменьшается почти до нуля, что соответствует логическому 0 на выходе схемы.

При освещении фоторезистора его сопротивление падает, что приводит к появлению плюсового потенциала на базе транзистора T-i, и транзистор закрывается, _а потенциал на его коллекторе уменьшается. Это приводит к перераспределению потенциала на базе транзистора Гз и транзистор открывается, открывая выходной транзистор Т^.