Коллектора зависимость

Если на коллектор подано достаточно большое обратное смещение, т. е. приложен плюс внешнего источника, как показано на 2.8, г, то потенциальный барьер коллектора увеличивается. При выполнении условия

2.17.2. Однотактный каскад класса В приведен на 2.34, а. Нагрузка включается непосредственно в коллекторную цепь транзистора. В режиме покоя, когда usx — Q, смещение на базу транзистора не подается и /к,п=/кэо~0, Рк=0, т. е. нагрева транзистора в режиме покоя практически не происходит. При подаче на базу транзистора положительного входного сигнала ток коллектора увеличивается, появляется падение напряжения на нагрузке

При увеличении тока эмиттера ток коллектора увеличивается при гаданном напряжении на коллекторе. При /, = 0 через коллектор проходит обратный ток коллекторного перехода 1Ко, который практически не зависит от напряжения на коллекторе. При напряжении на коллекторе, равном нулю (1/кБ = 0), /к Ф 0, так как ток эмиттера в этом случае не равен нулю. При прямом напряжении на коллекторном переходе (1/КБ > 0) ток с изменением напряжения резко меняется — транзистор работает в режиме насыщения.

Эффективность коллектора а* учитывает явление, связанное с изменением экстракции неосновных носителей из коллекторной области: при увеличении тока эмиттера и, следовательно, тока коллектора увеличивается падение напряжения на объемном

С ростом тока базы /б ток коллектора увеличивается в соответствии с формулой (4.17). Увеличение тока коллектора при одинаковом увеличении тока базы происходит неравномерно, что свидетельствует об уменьшении коэффициента р с ростом тока /к.

Выражение (2.2) определяет семейство выходных ВАХ транзистора с ОБ. При /э ==0 выходная ВАХ транзистора подобна характеристике изолированного р-п перехода, как показано на 2.3, а. При задании некоторого тока 1Э\ ток коллектора увеличивается на значение ajv/si.

На 91, а показан способ раздельного запуска разнополяр-ными импульсами на базу одного из транзисторов. Входной сигнал положительной полярности запирает транзистор Тг. Потенциал его коллектора увеличивается и через базу транзистора Т2 и резистор RI проходит отпирающий ток. Транзистор Т2 открывается и входит в режим насыщения.

При увеличении тока эмиттера ток коллектора увеличивается при заданном напряжении на коллекторе. При 1Э- 0 через коллектор проходит обратный ток коллекторного перехода IКд который практически не зависит от напряжения на коллекторе. При напряжении на коллекторе, равном нулю, IK ^ 0, так как ток эмиттера в этом случае не равен нулю. При прямом напряжении на коллекторном переходе ток с изменением напряжения резко меняется - транзистор работает в режиме насыщения.

Для увеличения выходного напряжения модулятора можно использовать транзисторный модулятор, схема которого приведена на 24.6 б. В этой схеме эмиттерныи переход биполярного транзистора используется вместо диода, а ток коллектора увеличивается по сравнению с током базы (т. е. эквивалентного диода) в В раз. Таким образом, выходное напряжение модулятора также увеличивается в В раз.

2.17>2, Однотактный каскад класса В приведен на 2.34, с. Нагрузка включается непосредственно в коллекторную цепь транзистора. В режиме покоя, когда иах — 0, смещение на базу транзистора не подается и /к,п=/кэо~О, Рк=0, т. е. нагреза транзистора в режиме покоя практически не происходит. При подаче на базу транзистора положительного входного сигнала ток коллектора увеличивается, появляется падение напряжения на нагрузке

Изменение напряжения включения можно осуществлять также и шунтированием р—/г-переходов р—п—р—я-структуры. Шунтирование коллектора (Яг) аналогично увеличению его обратного тока за счет.роста токов утечки. Следовательно, с уменьшением сопротивления шунта и увеличением тока через него напряжение включения уменьшается. Этот способ управления напряжением включения практически не используется, так как при шунтировании коллектора увеличивается ток через прибор в выключенном состоянии. Другим недостатком является необходимость создания контактов к обеим базам ( 5.28,с).

7.54. Входные шумы для некоторых популярных биполярных транзисторов, а - зависимость входного напряжения шума еш от тока коллектора; б-зависимость входного тока шума /ш от тока коллектора; «-зависимость входного тока шума от частоты.

Зависимость силовой крутизны IGBT от тока коллектора

Зависимость относительного статического коэффициента редачи тока в схеме с общим эмиттером от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.