Коллектора следовательно

Переход эмиттер—база транзистора V2 смещен в обратном направлении, и в цепи коллектора протекает ток /к g Q, обусловленный неосновными носителями. Поэтому потенциал его коллектора (У

Обратным током эмиттера можно пренебречь ввиду его малости по сравнению с обратным током коллектора. Ток базы имеет обратный знак, а по абсолютному значению равен току /Кбо ( 49, а). Уменьшение базового тока до нуля не обеспечивает полного запирания транзистора, так как при /6 = 0 по цепи коллектора будет протекать ток /к~Р/кб, который может быть значительным (точка А') (см. 48). В цепи коллектора протекает только обратный ток /к = /кбо, и напряжение на коллекторе ?/кэ— — (Ек — 1КбоЯк) « — ЕК, Внутреннее сопротивление транзистора в режиме отсечки велико. На семействе выходных характеристик режим отсечки соответствует нижнему пологому участку, на котором ток коллектора /к = /кбо. Так как токи, протекающие через транзистор, малы, то закрытое состояние транзистора соответствует разомкнутому состоянию ключевого элемента.

На 5.8, б показано токораспределение внутри транзистора. Поскольку толщина базы невелика и значительно меньше пути свободного пробега дырки Lp, то основная часть дырок, инжектируемых эмиттером, пролетает сквозь базу до коллекторного перехода и подхватывается ускоряющим полем Ек. В коллекторной цепи образуется ток, величина которого пропорциональна числу дырок, достигших коллектора. Кроме этого, в цепи коллектора протекает собственный обратный ток коллекторного перехода [KQ, обусловленный экстракцией неосновных носителей из области базы в область коллекторов. Общий ток в коллекторной цепи

При подаче во входную цепь импульсов прямого тока транзистор открывается, рабочая точка перемещается в положение В. В цепи коллектора протекает максимальный ток, определяемый по формуле (5.5), /к=/Г'=/б"Р+(1+Р)/ко.

При закрытом триоде Г2 в цепи его коллектора протекает очень малый ток (поскольку потенциал базы триода Г2 в этом режиме выше потенциала эмиттера, ток проходит по цепи база — коллектор, т. е. это об-

При отсутствии переменного сигнала на входе каскада в цепи коллектора протекает постоянный ток /кп, значение котррого зависит от напряжения источника питания Ек, сопротивления резистора RK и постоянного тока в цепи базы /вп.

По способу подключения питания генераторы часто разделяют на схемы с последовательным питанием, в которых постоянная составляющая тока коллектора протекает через катушку колебательного контура, и схемы с параллельным питанием, в которых осуществлено разделение постоянной и переменной составляющих. В схеме 9.7, а величина коэффициента самоиндукции катушки Др в коллекторной цепи должна быть такой, чтобы ее сопротивление переменному току рабочей частоты было значительно больше сопротивления параллельного контура при резонансе. Для емкости разделительного конденсатора Ср должно выполняться обратное соотношение. Назначение остальных элементов схемы очевидно.

пути свободного пробега дырки Lp, то основная часть дырок, инжектируемых эмиттером, пролетает сквозь базу до коллекторного перехода и подхватывается ускоряющим полем Ек. В коллекторной цепи образуется ток, значение которого пропорционально числу дырок, достигших коллектора. Кроме того, в цепи коллектора протекает собственный обратный ток коллекторного перехода /к0, обусловленный экстракцией неосновных носителей из области базы в область коллекторов. Общий ток в коллекторной цепи

Схема каскада, в котором происходит отделение синхроимпульсов, приведена на 3-52. Этот каскад можно использовать в качестве селектора в любительских телевизорах на транзисторах. При отсутствии сигнала на входе транзистор заперт, так как на его базу напряжение смещения не подается. Во время действия синхроимпульсов отрицательной полярности, содержащихся во входном сигнале, транзистор отпирается, в цепи базы протекает ток, заряжающий конденсатор Ci, и к базе транзистора оказывается приложенным положительное напряжение, до которого заряжается конденсатор. В результате ток в цепи коллектора протекает лишь во время отпирания транзистора вершинами синхроим-

Реле уровня, основанное на измерении проводимости по переменному току ( 8-22). Если уровень жидкости не достигает электродов Эх и Э^, выполняются условия самовозбуждения блокинг-генератора на транзисторе Ti, ток его коллектора протекает по резистору R^ и повышает потенциал базы транзистора Т^. Эмиттер транзистора Г^ имеет в это время более низкий потенциал за счет делителя R^Ri- Поэтому транзистор Т^ оказывается запертым, а реле Р (типа PC-13, /(.раб = 37 мА) обесточенным.

При этом неосновные носители вытягиваются из области базы в эмиттерную и коллекторную области, что изменяет их потенциал по отношению к самой базе. Так как эмиттерный переход смещен в прямом направлении, всякое изменение его потенциала вызывает относительно большие изменения тока коллектора. Следовательно, режим фототранзистора приводится к режиму обычного транзистора и тогда

Начало каждой секции соединено с концом предыдущей секции и с соответствующей пластиной коллектора. Следовательно, при перемещении от одной секции к другой по якорю одновременно делают шаг по коллектору (уь)-

В эквивалентных Т-образных схемах ОЭ и ОК ( 39, б, в) действующее значение зарядной емкости коллектора Ск увеличивается в 1 + /?21 э раз из-за влияния обратной связи коллектор •- эмиттер. Действие емкости Ск можно понять на примере схемы ОЭ, рассматривая транзистор с заданным напряжением UK на коллекторе с током /g в цепи базы, задаваемым генератором G ( 40). Если на коллекторе создать приращение напряжения ДС/К, то заряд на емкости Ск изменится на ДО = СКДС/К, причем "верхняя" его обкладка получит положительный заряд ДО от источника напряжения (UK + ДС/К) , а с "нижней" обкладки заряд ДО стечет в базу транзистора и вызовет перенос заряда /?21ЭДО в цепи коллектора. Следовательно, приращение напряжения Д?/к приводит к переносу заряда (ДО + Л21ЭА(2) = Ск (1 + /?21 э) 'АС'к из внешней цепи питания, а это эквивалентно увеличению действующего

Теперь допустим, что сопротивление гкэ бесконечно, но имеется генератор тока (3/Б. Следовательно, [источник 0& вызывает ток /Б, а источник р/Б будет вызывать ток коллектора 7^ = р/Б.

Будем считать, что гкэ конечно. При уменьшении Гкэ все большая часть тока р /Б будет проходить через это сопротивление, вместо того чтобы идти к коллекторным выводам и создавать ток коллектора. Следовательно, падение на-

Основной особенностью схемы с общим эмиттером является то, что входным током в ней является ток базы, существенно меньший тока эмиттера. Выходным током, как и в схеме с общей базой, является ток коллектора. Следовательно, коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером равен отношению

Для этой схемы входным является ток базы, а выходным — ток коллектора; следовательно,

нулю, то основные носители заряда, накопившиеся в базе, могут исчезнуть только двумя путями: либо уйти в эмиттер, либо рекомбиниро-вать с неосновными носителями, инжектированными эмиттером. Однако транзистор делают так, что вероятность этих событий довольно мала — из эмиттера в базу проходит гораздо больше носителей, чем из базы в эмиттер, и носители, инжектированные в базу, почти не реком-бинируя, доходят до коллектора. Следовательно, каждый основной носитель, оказавшийся в базе в результате ударной ионизации в коллекторном переходе, при отмеченных условиях вызовет инжекцию из эмиттера в базу большого числа неосновных носителей, что и приведет к существенному росту тока коллектора.

Основной особенностью схемы с общим эмиттером является то, что входным током в ней является не ток эмиттера, а малый по величине ток базы. Выходным током в этой схеме, как и в схеме с общей базой, является ток коллектора. Следовательно, коэффициент прямой передачи тоКа для схемы с общим эмиттером

Основной особенностью схемы с общим эмиттером является то, что входным током в ней является ток базы, существенно меньший тока эмиттера. Выходным током, как и в схеме с общей базой, является ток коллектора. Следовательно, коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером равен отношению

Если в обычном транзисторе для получения y~1 необходимо область эмиттера легировать примесью значительно сильнее, чем область базы, то в транзисторе с гетероэмиттером можно получить Y=^l и при обратном соотношении. Поэтому область базы в таком транзисторе может быть легирована значительно сильнее, чем области эмиттера и коллектора. С ростом напряжения на коллекторе область объемного заряда расширяется в слаболегированную область, т. е. в данном случае в область коллектора. Следовательно, ширина базы не изменяется при изменении VK и обратная связь между входом и выходом отсутствует. Если разрыв энергии в зоне проводимости больше ширины запрещенной зоны полупроводника базы, то инжектированные в базу электроны могут отдавать избыточную энергию электронам валентной зоны и переводить их в зону проводимости ( 3.4), т. е. происходит умножение числа инжектированных носителей. В этом случае коэффициент передачи тока й2]б может быть больше единицы, в чем еще одно преимущество транзистора с гетеропереходом в качестве эмиттера,

Процесс перетекания носителей из потенциальной ямы затвора 1 (ячейка /) в потенциальную яму затвора 2 (ячейка 2) аналогичен процессу вытягивания носителей из базы биполярного транзистора коллектором при выключении эмиттера. Начало ячейки 2 выполняет здесь роль обратносмещенного коллектора, следовательно, поле настолько быстро уносит отсюда неравновесные носители, что их концентрация на границе раздела ячеек равна нулю. Если длина затвора Ь^>1 (длина межэлектродного зазора), то краевое электрическое поле сосредоточено в зазоре, преобладает диффузионный перенос информационного заряда и время передачи заряда