Коллектора практически

Возрастание тока коллектора ведет к понижению потенциала коллектора относительно общей точки усилителя и поэтому

Как видим, схема обеспечивает такое же усиление, как и симметричный дифференциальный каскад, но выходной сигнал снимается с коллектора относительно земли (средней точки), т. е. один полюс нагрузки заземлен.

На резисторе RQ создается напряжение 0,5—0,6 В, обеспечивающее фиксацию потенциала коллектора относительно потенциала базы, т. е. напряжение UR будет сохранять потенциал коллектора всегда положительным (0,2 В), что характеризует состояние ТК на границе насыщения. При отпирании транзистора диод будет закрыт до тех пор, пока ?/Вых(7) не станет меньше Uк на 0,3—0,4В (падение напряжения на открытом диоде). Тогда диод открывается и дальнейшее приращение коллекторного тока идет только через диод V, ток базы при этом уменьшается на величину тока диода /д ( 5.6, б).

ками, образуют отдельные коллекторные обмотки. При сдвиге щеток оси обмоток поворачиваются в пространстве на угол сдвига. При сдвиге щеток против вращения потенциальной волны поток раньше набегает на оси обмоток и напряжение t/2 на щетках будет сдвинуто по фазе в сторону опережения на временный угол а, в течение которого поток поворачивается в пространстве на угол сдвига. При сдвиге щеток по вращению волны поток набегает на оси обмоток позже и па-пряжение I/a на щетках отстает по фазе на угол а. Таким образом, при сдвиге щеток изменяется фаза напряжения, т.е. Ua=Uie^'". Вследствие того что напряжение подается на якорь через контактные кольца, поток Ф вращается относительно секций якоря с синхронной скоростью пь не зависящей от вращения самого якоря, поэтому величина э. д. с. якоря и напряжение на щетках коллектора не зависят от вращения якоря. В то же время при вращении якоря скорость «2 потенциальной волны коллектора относительно неподвижных щеток складывается из синхронной скорости nt и скорости вращения якоря п. Если якорь движется в ту же сторону, что и потенциальная волна, то /v=Hrl-«; если встречно, то п^п,.—п. Соот-

Ек — батерея в цепи коллектора, создающая отрицательный потенциал коллектора (относительно базы).

Работает усилитель следующим образом. При подаче входного напряжения на базу, например, отрицательной полярности потенциал эмиттера относительно базы станет более положитель-ттепя 1й ток транзистора увеличится. Вследствие этого увеличивается падение напряжения на RK, a потенциал коллектора относительно земли становится менее отрицательным (т. е. более положительным). Изменение напряжения на коллекторе относительно земли является выходным напряжением схемы ОЭ, и, следовательно, полярность выходного напряжения в схеме ОЭ противоположна входному, т. е? в схеме существует сдвиг по фазе на 180° между

, При подаче на вход напряжения положительной полярности ток в схеме возрастает, увеличивая напряжения на RK, а потенциал коллектора относительно земли станет менее отрицательным, т. е. более положительным. Таким образом, полярность выходного напряжения совпадает с полярностью входного сигнала. Начальный режим схемы (точка покоя) выбирается по семейству входных и выходных характеристик транзистора аналогично тому, как это делается для усилителя с ОЭ.

Усилитель-ограничитель с автотрансформаторным включением цепи нелинейной обратной связи ( 3.26) работает следующим образом. При подаче входного импульса транзистор открывается и потенциал коллектора, а с ним и падение напряжения на диоде Дос в цепи обратной связи повышается. При этом увеличение падения напряжения на диоде в павт раз превышает возрастание потенциала коллектора (где павт =(W{ + W\)/W{—коэффициент автотрансформации). Поэтому диод в цепи обратной связи отпирается до того, как потенциал коллектора относительно базы становится равным нулю, что исключает, как и в предыдущих схемах, насыщение транзистора. В данной схеме, подбирая соответствующим образом отношение числа витков W\IW\, можно фиксировать потенциал коллектора на заданном уровне и путем двустороннего ограничения формировать импульсы стандартной амплитуды требуемой величины.

на 12, г. Эмиттер имеет положительный потенциал относительно базы. Потенциал коллектора относительно базы в этом случае также положителен, поскольку он равен потенциалу эмиттера. Концентрация дырок в базе значительно превышает равновесную. Число рекомбинаций в базе велико, следовательно и ток базы значителен. Понижение напряжения «эб приводит к повышению высоты потенциальных барьеров эмиттерного и коллекторного переходов и уменьшению концентрации дырок в базе. Число рекомбинаций в базе и ток базы уменьшаются.

К механическим причинам искрения относятся нарушения контакта между щетками и коллектором вследствие недостатков конструкции коллектора, щеткодержателей и щеток, плохим изготовлением их или большим износом. Нарушение нормальной работы скользящего контакта может быть вызвано неровностью рабочей поверхности коллектора, выступающими или опущенными коллекторными пластинами, выступающими изоляционными прокладками, эксцентричным положением рабочей поверхности коллектора относительно оси вращения, несоответствием размеров щетки и гнезда щеткодержателя (при малом зазоре затрудняется движение щетки в щеткодержателе, при большом зазоре утрачивается определенность положения рабочей поверхности щетки относительно коллектора), большим расстоянием между щеткодержателем и коллектором, вибрацией машины.

Как следует из 12.5, а, при указанном положении обмотки якоря и коллектора относительно щеток последние делят рбмотку якоря на две параллельные ветви: 1) Щ^—IV—6', 3—III—5', 2—//—Щ^, 2) Щ^—У—5,2'—У1—6,3'—1—Щг.

Усилители мощности класса В ( 10.91) отличаются от усилителей мощности класса А тем, что у них рабочая точка А выбирается так, чтобы переменная составляющая тока коллектора была ограничена половиной периода, как показано на 10.92. В течение второго полупериода тока в цепи коллектора практически нет. Применение трансформатора для подключения приемника, как в усилителе мощности класса А ( 10.88), не дает в данном случае больших преимуществ. Рабочая точка А расположена так, что при обоих способах подключения приемника напряжение источника питания ЕК , а сле-

Работу транзистора в режиме ключа рассмотрим на примере биполярного транзистора с ОЭ ( 10.98, а). Если постоянное напряжение на входе ключа 1/вх < 0, то токи в цепях коллектора и базы практически одинаковые и равны току через обратно включенный р-п переход между базой и коллектором. Этот режим соответствует разомкнутому положению ключа ( 10.98, б, точка М). При постоянном напряжении U > 0 и токе базы больше тока насыщения /Бнае ток коллектора практически равен ЕК/ГК ( 10.98, б, точка N). Этот режим соответствует замкнутому положению ключа.

Усилители мощности класса В ( 10.91) отличаются от усилителей мощности класса А тем, что у них рабочая точка А выбирается так, чтобы переменная составляющая тока коллектора была ограничена половиной периода, как показано на 10.92. В течение второго полупериода тока в цепи коллектора практически нет. Применение трансформатора для подключения приемника, как в усилителе мощности класса А ( 10.88), не дает в данном случае больших преимуществ. Рабочая точка А расположена так, что при обоих способах подключения приемника напряжение источника питания ЕК, а сле-

Работу транзистора в режиме ключа рассмотрим на примере биполярного транзистора с ОЭ ( 10.98, а). Если постоянное напряжение на входе ключа ?/вх < 0, то токи в цепях коллектора и базы практически одинаковые и равны току через обратно включенный р-п переход между базой и коллектором. Этот режим соответствует разомкнутому положению ключа ( 10.98, б, точка М). При постоянном напряжении t/BX > 0 и токе базы больше тока насыщения /Бнас ток коллектора практически равен ЕК/ГК ( 10.98, б, точка N). Этот режим соответствует замкнутому положению ключа.

Усилители мощности класса В ( 10.91) отличаются от усилителей мощности класса А тем, что у них рабочая точка А выбирается так, чтобы переменная составляющая тока коллектора была ограничена половиной периода, как показано на 10.92. В течение второго полупериода тока в цепи коллектора практически нет. Применение трансформатора для подключения приемника, как в усилителе мощности класса А ( 10.88), не дает в данном случае больших преимуществ. Рабочая точка А расположена так, что при обоих способах подключения приемника напряжение источника питания ЕК , а сле-

Работу транзистора в режиме ключа рассмотрим на примере биполярного транзистора с ОЭ ( 10.98, а). Если постоянное напряжение на входе ключа U < 0, то токи в цепях коллектора и базы практически одинаковые и равны току через обратно включенный р-п переход между базой и коллектором. Этот режим соответствует разомкнутому положению ключа ( 10.98, б, точка Л/). При постоянном напряжении ?/вх > 0 и токе базы больше тока насыщения /Биас ток коллектора практически равен ЕК/ГК ( 10.98, б, точка N). Этот режим соответствует замкнутому положению ключа.

нагрузка коллектора практически резистивна и равна R, в то же время модуль сопротивления нагрузки, а значит, и коэффициент передачи усилителя на несущей частоте сон пренебрежимо малы. Таким образом, падение напряжения на резисторе R представляет собой результат детектирования АМ-колебания. Наличие в

скачки напряжения на базах увеличиваются за счет усилительного действия транзисторов. В итоге транзистор Т\ окажется запертым, а потенциал его коллектора практически равным — Ек. Транзистор Ту будет полностью открыт и насыщен, а потенциал на его коллекторе — близким к нулю.

Током коллектора можно управлять. Для этого следует изменить напряжение (7ЭБ источника питания цепи эмиттера. С увеличением иЭБ снижается потенциальный барьер эмиттерного перехода и увеличивается ток эмиттера, а следовательно, и ток коллектора (при прочих равных условиях). Таким образом, ток эмиттера является управляющим, а ток коллектора — управляемым. Поэтому транзистор часто называют прибором, управляемым током. Отметим, что изменение обратного напряжения источника питания цепи коллектора практически не вызывает увеличения тока коллектора, так как поле коллекторного перехода является ускоряющим и не может изменять числа дырок, которые пересекают коллекторный переход.

Семейство выходных статических характеристик представляет собой зависимости /к = /(^кэ) ПРИ /Б = const и показано на 17.8,6. Выходные характеристики не пересекают оси ординат и практически сходятся в начале координат, так как при напряжении на коллекторе, равном нулю, ток коллектора практически равен нулю. В начальной части характеристики имеют большую крутизну. Это объясняется тем, что при напряжениях на коллекторе С/кэ, меньших по абсолютному

В некоторых случаях вместо резистора RM включается диод, как это показано штриховой линией на 3.9, или точно такой же транзистор, только в диодном включении с закороченным коллекторным р-п переходом. При использовании идентичного транзистора в качестве диода его статическая (диодная) ВАХ сдвигается точно так же, как характеристика прямой передачи транзистора (на 2,2 мВ/°С). Стабилизацию тока покоя коллектора в этом случае можно объяснить следующим образом. Пусть через диод протекает постоянный ток, значительно превышающий ток базы транзистора. При этом повышается температура р-п перехода и зависимость 1л=}(ил) сдвигается влево. Напряжение ?/д = ?/БЭ снижается до такого значения, при котором ток покоя коллектора практически не изменяется (см. 3.8). Этот способ стабилизации тока покоя коллектора называется цией. Он находит применение бильнопо тока при обеспечении постоянному току транзисторов