Количество технологических

Наименование прибора Тип Количество Технические характеристики

Наименование Тип Количество Технические характеристики

Наименование Тин Количество Технические характеристики

Наименование Тип Количество Технические характеристики

Наименование Тип Количество Технические характеристики

Наименование Тип Количество Технические характеристики

Наименование Тип Количество Технические характеристики

Наименование Тип Количество Технические характеристики

Наименование Тип Количество Технические характеристики-

Наименование Тип Количество Технические характеристики

Наименование Тип Количество Технические характеристики

где п — количество технологических операций, для которых известно Yt; Yc6—выход годных ИМС после сборки.

Физический метод. Данный метод учитывает не только количество компонентов ненадежности, но и качество разработанной топологии, количество технологических операций, режим работы и эксплуатационные воздействия.

Система технологической спецвентиляции служит для вентиляции и удаления радиоактивных технологических сдувок газов. Количество технологических сдувок зависит от типа реактора, установленного на АЭС. Так, на АЭС с реактором РБМК из-за од-ноконтурности и негерметичности по газу выбросы активных газов примерно в 10 раз превышают газовые выбросы на АЭС с реакторами ВВЭР. В зависимости от активности газов установлены жесткие санитарные нормы их выбросов. Наиболее жесткие санитарные нормы установлены по аэрозольной активности.

Недостатки полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах в некоторой степени могут быть компенсированы ИМС на МДП-транзисторах. Интегральные устройства на основе различных МДП-структур находят широкое применение при проектировании ряда функционально законченных устройств, к которым относятся, например, постоянные и оперативные запоминающие устройства, электронные калькуляторы, микропроцессоры, а также микромощные устройства, предназначенные для использования в медицине и космических системах. Для ИМС на МДП-транзисторах характерны высокая надежность, низкое энергопотребление и большая функциональная сложность, что позволяет значительно снизить стоимость аппаратуры на их основе. Уровень, достигнутый в области проектирования ИМС на МДП-структурах, позволяет при равной функциональной сложности получать гораздо меньшие размеры элементов по сравнению с элементами биполярных полупроводниковых ИМС, причем процесс их изготовления включает меньшее количество технологических операций. При проектировании МДП-ИМС необходимо учитывать ряд общих ограничений, свойственных технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также специфические аспекты МДП-технологии, в частности зависимость свойств МДП-приборов от свойств исходного полупроводникового материала и особенно от состояния поверхности полупроводниковой подложки, контактирующей с диэлектриком. Учет этих особенностей в процессе проектирования позволяет получить приборы с параметрами, изменение которых ограничено некоторыми допустимыми пределами, что обеспечивает выполнение заданной схемотехнической функции.

манипуляции электрических потенциалов на металлических электродах МДП-структуры, возбуждения акустической волны в слое пьезоэлектрика, покрывающего полупроводник, и др. Однако наибольшее распространение получили ПЗС на основе МДП-структур. К одному из важнейших типов ПЗС относится так называемый поверхностно-зарядовый транзистор, структура и условное обозначение которого приведены на 3.16, а, б. Как видно из рисунка, структура ПЗС представляет собой кремниевую подложку с электропроводностью /г-типа, на которой создаются области, покрытые слоем SiCb толщиной 0,1—0,2 мкм. Над этими областями располагаются металлические электроды, показанные на 3.16, а. Структура ПЗС очень проста, так как по существу включает в себя только три области и для своего формирования не требует проведения процессов контролируемого введения примесных атомов (диффузии или ионного легирования). Количество технологических операций, необходимых для изготовления ПЗС, втрое меньше, чем для биполярных структур, и вдвое меньше, чем для МДП-структур. Важная особенность ПЗС состоит также в том, что их можно изготовлять не только на основе кремния, но и на основе ряда других полупроводниковых материалов (например, на арсениде галлия), имеющих высокую подвижность носителей заряда или большую ширину запрещенной зоны. Однако следует принимать во внимание, что технология изготовления ПЗС предъявляет гораздо более жесткие требования к совершенству границы раздела между полупроводником и диэлектриком, чем технология изготовления МДП-структур. Например, если для нормальной работы МДП-транзисторов достаточно обеспечить плотность поверхностных состояний 10'°— 10" см~2, то для функционирования ПЗС эта плотность должна быть меньше примерно на два порядка.

Количество технологических

причем процесс их изготовления включает меньшее количество технологических операций. При проектировании МДП-ИМС необходимо учитывать ряд общих ограничений, свойственных технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также специфические аспекты МДП-технологии, в частности зависимость свойств МДП-приборов от свойств исходного полупроводникового материала и особенно от состояния поверхности полупроводниковой подложки, контактирующей с диэлектриком. Учет этих особенностей в процессе ""проектирования позволяет получить приборы с параметрами, изменение которых ограничено некоторыми допустимыми пределами, атв обеспечивает -выполнение заданной схемотехнической функции.

Количество технологических

Количество технологических каналов....... 1693

угольной, химической, нефтегазовой, машиностроительной, имеющих большее количество технологических цехов.

Количество технологических установок, шт. . . . Выход ценных химических продуктов для внешнего потребителя: мелкозернистого коксика, т/ч ....... - - 1 39,7 47 7,9 0,99 435 1442 282,8 65 19,6 49,8 2 169 100 21,93 1,97 1620 2884 277,5 17,1 9,6 65,5