Количество свободных

— высокая степень интеграции, при этом большое количество соединений выполняется внутри кристалла, следовательно, меньше наружного монтажа, обеспечивается повышенная надежность;

элемента; nc—количество соединений; Хс—интенсивность отказа соединения; Роп—вероятность отказа. Из приведенной формулы видно, что выполнение сложной электронной аппаратуры на основе дискретных приборов и простых интегральных схем нецелесообразно. Из-за обилия соединений время безотказной работы в этом случае будет недопустимо мало. Таким образом, для разработки современной аппаратуры необходимы комплектующие изделия, отличающиеся при большой сложности высокой надежностью и ограниченным числом внешних выводов. Такими изделиями являются большие интегральные схемы (БИС).

1. Ячеечный (мелкоблочный) принцип. При этом в качестве типового элемента замены используется ячейка. Для таких конструкций характерны простота замены неисправных ячеек, большое количество соединений между узлами. Данный принцип конструирования находит применение для сравнительно простых устройств, содержащих десятки ячеек.

Для приготовления солевых электролитов используют хлористый аммоний, хлористый цинк, хлористый кальций, двухромово-кислый калий и сернокислый хром. Обращается внимание-на то, чтобы все эти вещества содержали минимально возможное количество соединений железа и тяжелых металлов.

В приготовленном растворе аналитически проверяют содержание железа. В случае когда количество соединений железа превышает норму, в раствор добавляют цинковый порошок по 50 г на каждый литр раствора. Цинк восстанавливает соединения железа .до металлического железа, которое выпадает в осадок. Очистку проводят при температуре 70—80° С в течение 2—3 ч. Такая обработка позволяет также очистить электролит от большинства растворимых соединений тяжелых металлов.

Многокристальные микросхемы. Многокристалыные микросхемы получают путем монтажа на изоляционной подложке (ситалл, керамика) отдельных бескорпусных полупроводниковых элементов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов), а также групп элементов, выполненных в одном кристалле (диодные и резистор-ные матрицы), или отдельных простейших монолитных микросхем. Межсоединения осуществляют с помощью проволочных проводников через тонкопленочные проводники и контакты, напыленные на подложку, или непосредственно между кристаллами. Последний способ уменьшает количество соединений. Общий вид многокристальной микросхемы (без герметизации) представлен на 1.48.

ных элементов массового выпуска. Препятствием для серийного и массового выпуска подобных схем является невысокая надежность (большое количество соединений) и высокая трудоемкость монтажных работ. Оба эти показателя могут быть улучшены при использовании элементов с контактными выступами, которые монтируются в перевернутом виде на контактных площадках общей подложки.

Полупроводниковые ИМС имеют наиболее высокую степень интеграции элементов (свыше 10* элементов/см3) и позволяют получить максимальную надежность, так' как количество соединений в них сведено к минимуму.

Многокристальные микросхемы. Многокристалыные микросхемы получают путем монтажа на изоляционной подложке (ситалл, керамика) отдельных бескорпусных полупроводниковых элементов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов), а также групп элементов, выполненных в одном кристалле (диодные и резистор-ные матрицы), или отдельных простейших монолитных микросхем. Межсоединения осуществляют с помощью проволочных проводников через тонкопленочные проводники и контакты, напыленные на подложку, или непосредственно между кристаллами. Последний способ уменьшает количество соединений. Общий вид многокристальной микросхемы (без герметизации) представлен на 1.48.

ных элементов массового выпуска. Препятствием для серийного и массового выпуска подобных схем является невысокая надежность (большое количество соединений) и высокая трудоемкость монтажных работ. Оба эти показателя могут быть улучшены при использовании элементов с контактными выступами, которые монтируются в перевернутом виде на контактных площадках общей подложки.

элемента; пс — количество соединений; А.с — интенсивность отказа соединения; Ротк — вероятность отказа. Из приведенной формулы видно, что выполнение сложной электронной аппаратуры на основе дискретных приборов и простых интегральных схем нецелесообразно. Из-за обилия соединений время безотказной работы в этом случае будет недопустимо мало. Таким образом, для разработки современной аппаратуры необходимы комплектующие изделия, отличающиеся при большой сложности высокой надежностью и ограниченным числом внешних выводов. Такими изделиями являются большие интегральные схемы (БИС).

Электрическое поле в однородном диэлектрике. По сравнению с проводниками количество свободных заряженных частиц в единице объема диэлектрика очень мало. Поэтому при наличии внешнего электрического поля направленным движением свободных заряженных частиц можно пренебречь и считать, что в диэлектрике преобладают явления электростатические.

В результате количество свободных электронов лавинообразно увеличивается (процесс называется ударной ионизацией) и диэлектрик в некоторой области становится электропроводным. Такая примерная схема пробоя характерна для газов.

Электропроводность электронных полупроводников определяется свободными электронами, которые здесь являются основными носителями заряда. Дырок здесь очень мало, они образуются за счет термогенерации подобно собственным носителям в беспримесном .полупроводнике. В результате оказывается, что количество свободных электронов практически равно количеству ионизированных доноров.

Количество свободных электронов и дырок определяется динамическим равенством двух параллельно идущих процессов: генерации новых пар под действием тепловых колебаний решетки и рекомбинации при замещении вакантных уровней электронами.

Количество свободных электронов и дырок в любом полупроводниковом материале определяется динамикой двух параллельно идущих процессов: генерации новых пар электрон—дырка под действием тепловых колебаний решетки и их рекомбинации при замещении вакантных уровней электронами. При легировании полупроводника с увеличением концентрации основных носителей заряда возрастает роль рекомбинаций, вследствие чего дополнительно снижается количество неосновных носителей. Динамическое равновесие вос-

В единичном объеме полупроводника находится определенное для данных полупроводника и температуры количество свободных носителей заряда, оно называется концентрацией.

где п — количество свободных электронов в единице объема; v — средняя скорость направленного движения электронов, м/с.

В единичном объеме полупроводника находится определенное для данных полупроводника и температуры количество свободных носителей заряда, оно называется концентрацией.

Проводниковые материалы имеют в нормальном состоянии или при воздействии очень слабого электрического поля (приложенного напряжения) сравнительно большое количество свободных заряженных частиц — электронов и ионов. Благодаря этому они хорошо проводят электрический ток.

Ионосфера простирается от 70—80 км до нескольких тысяч километров, однако на распространение радиоволн сказывается лишь область, ограниченная 1000—2000 км. В ионосфере значительная часть разреженного газа находится в ионизированном состоянии, образуя плазму. Наибольшую плотность ионизации (наибольшее количество свободных электронов в единице объема) имеет слой F%, располагающийся на высоте 300—500 км. Плотность ионизации слоя F% относительно постоянна и сравнительно мало зависит от времени суток. Слой Flt образующийся на высоте около 200 км, в дневное время (в весенне-летние месяцы) имеет меньшую плотность ионизации. Ниже слоя Ft на высоте 100—130 км располагается слой ?, плотность ионизации которого достаточно велика, и ее значение мало зависит от времени суток.

Наличие в диэлектрике конденсатора различных дефектов и неоднородность его структуры (слоистость, пористость, присутствие примесей, влаги и т. д.) обусловливает в нем определенное количество свободных зарядов, способных перемещаться под действием поля. Часть из них вызывает поляризацию диэлектрика, которая выражается коэффициентом остаточной поляризации: