Количество оборудования

Концентрация носителей заряда в элементарном объеме полупроводника изменяется в результате генерации и рекомбинации носителей, а также из-за различия величин токов, втекающих и вытекающих из данного объема. Как отмечалось в § 1.8, движение носителей заряда обусловлено двумя процессами: диффузией и дрейфом. Следовательно, общее количество носителей в данном объеме полупроводника определяется непрерывными физическими процессами, протекающими в нем: генерацией, рекомбинацией, диффузией и дрейфом носителей.

1. Общее количество носителей, образующихся в объеме полупроводника Дя за время Д/ вследствие генерации, равно Aj= ghxAt, где g — скорость генерации.

Барьерная емкость резко уменьшается с увеличением обратного напряжения ( 4.6). При приложении к р — п-переходу напряжения в проводящем направлении большое количество носителей заряда диффундирует через пониженный потенциальный барьер и не успевает при этом рекомбинировать. В области р — «-перехода происходит накопление инжектированных неравновесных носителей и образуемого ими заряда, причем процесс накопления зависит от приложенного напряжения. В результате появляется емкость, которая называется диффузионной, так как она обусловлена диффузионными процессами в переходе. Эту емкость, CD, можно представить как отношение заряда AQo к вызвавшему его к уменьшению напряжения Д?Л

циально убывает количество носителей заряда, обладающих этой энергией. Эти зависимости показаны на 2.19, е. Таким образом, высота энергетического барьера между р- и га-областями существенно влияет на количество носителей заряда, способных осуществить диффузионный переход в соседнюю область. С повышением высоты барьера это количество экспоненциально уменьшается, со снижением — увеличивается.

ной концентрации носителей заряда, не всегда справедливо. Если распределение концентрации носителей заряда по толщине слоя известно, то полную концентрацию определяют путем интегрирования профиля по всей толщине образца. Вследствие неполной ионизации примесей при их высокой концентрации количество носителей заряда в слое может быть меньше количества внедренных примесей. На 2.11 приведены зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от их концентрации; сплошными линиями представлены зависимости для некомпенсированного однородного материала, пунктиром — для ион-но-легированных слоев.

Решение. Чтобы узнать, какое количество носителей заряда должно быть добавлено путем световой генерации для увеличения вдвое удельной проводимости образца, найдем вначале концентрацию носителей заряда в темноте. Используя выражение для определения удельной проводимости и соотношение n2i=np, можно записать:

Тлеющий разряд характеризуется неодинаковой структурой в разных частях. На положительный столб разряда приходится небольшое падение напряжения. Вследствие диффузии и рекомбинации количество носителей электричества в нем убывает. Однако в установившемся режиме восполнение убыли электронов и ионов происходит путем столкновений наиболее быстрых электронов с нейтральными частицами и ионизации последних. Основное падение напряжения в тлеющем разряде приходится на катодное пространство, поле в котором неравномерно. Как и в положительном столбе, ударная ионизация является здесь основным ионизирующим фактором.

Можно заключить, что при введении примесей в кристалл полупроводника в нем, за счет нарушения структуры, появляется значительное количество носителей зарядов. В зависимости от вида примеси заряды носителей могут быть положительными или отрицательными.

Благодаря рекомбинации количество носителей заряда в полупроводнике не увеличивается и при постоянной температуре неизменно. Концентрации (количество носителей в единице объема, 1/см3) дырок pi и электронов п/ в чистом полупроводнике равны: p,-=n,-. В рабочем диапазоне температур концентрация электронов и дырок в чистом полупроводнике невелика, и по своим электрическим свойствам чистый полупроводник близок к диэлектрикам.

В результате этого возрастает количество носителей, обладающих энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера, и увеличивается диффузионная составляющая /ДИф тока через переход. Дрейфовая составляющая определяется только количеством неосновных носителей, подошедших к запирающему слою в процессе теплового движения, причем неосновные носители по-прежнему втягиваются полем перехода. Поэтому дрейфовый ток неосновных носителей от приложенного напряжения не зависит. Таким образом, суммарный ток через переход /а=/диФ—/др>0. Это прямой ток р-п перехода. Потенциальный барьер
приобретя достаточную энергию, ионизируют молекулы пара, умножая при этом количество носителей в разрядном промежутке. Чем выше плотность пара и обратное напряжение, тем больше число актов ионизации и тем больше число вновь возникающих зарядов в междуэлектродном промежутке.

Номенклатура оборудования и оснащения определяется маршрутным или операционным ТП. Исходными данными для определения потребного количества оборудования, оснащения, рабочих мест являются: годовая программа запуска, производительность оборудования, годовой фонд работы оборудования (рабочего места). Расчетное количество оборудования (Красч) определяется по формуле

Если известна трудоемкость, то количество оборудования необходимо определить исходя из объема станочных работ и фонда работы оборудования:

рованной и плавающей точками, над десятичными числами, обработка алфавитно-цифровых слов переменной длины и др. Характер выполняемой АЛУ операции задается командой программы. В процессоре может быть одно универсальное АЛУ для выполнения всех основных арифметических и логических преобразований или несколько специализированных для отдельных видов операций. В последнем случае увеличивается количество оборудования процессора, но повышается его быстродействие за счет специализации и упрощения схем выполнения отдельных операций.

ми и шинами, поскольку выход из строя одной группы линий и шин не влияет на работу других устройств. При использовании индивидуальных линий и шин упрощаются адресация и идентификация, но увеличивается количество оборудования. Индивидуальные линии и шины используются в основном для связи вычислительной машины с устройствами технологической автоматики.

Чтобы продвинуть очередь на конвейере на один шаг, мы должны очистить все функциональные блоки ступеней, переведя содержащуюся в них промежуточную информацию на фиксаторы. При этом количество оборудования, занятого для выполнения операции, увеличится за счет введения промежуточных фиксаторов и за счет того, что на каждой ступени должны быть функциональные узлы, которые использовались в неконвейеризованной операции два и более раз (например, сумматор порядков использовался при получении разности порядков, при подсчете сдвига мантиссы, перед сложением, при подсчете сдвига мантиссы суммы во время нормализации, при коррекции порядка суммы).

К недостаткам данного привода относятся: сложность изготовления двигателя с фазным ротором; большое количество оборудования;

Атомные электростанции с реактором РБМК выполняют по одноконтурной схеме, т. е. в их состав по сравнению с первым контуром АЭС с реактором ВВЭР входит большее количество оборудования и трубопроводов, заполненных радиоактивным водным теплоносителем. Это определяет большую вероятность появления протечек контура и необходимость их организованного сбора. Протечки паротурбинной части контура (конденсат турбин и питательная вода) относятся к бессолевым и малоактивным (см. табл. 3).

Влияние конструкции на организацию производства. Если какой-либо узел конструкции (например, кристалл БИС микрокалькулятора) изготовляется в едином технологическом цикле, то, естественно, в этом случае имеет место последовательное выполнение операций. При возможности расчленения конструкции на отдельно изготовляемые и проверяемые узлы производственный процесс может иметь смешанный характер: одновременное (параллельное) изготовление всех узлов, определенная последовательность операций в процессе изготовления каждого узла и при сборке аппаратуры из отдельных узлов. Такое построение ТП позволяет уменьшить общую длительность производственного процесса и обеспечить отбраковку неисправных узлов на ранних этапах производства. Однако при этом пропорционально увеличиваются производственный персонал, количество оборудования, оснастки, производственные площади. В единичном производстве при параллельно-последовательной организации производства требуются высококвалифицированные рабочие, универсальное оборудование и оснастка или ГПС. Но конструкция РЭС должна в последнем случае отвечать определенным требованиям и отличаться от конструкции, изготовляемой при неавтоматизированном производстве (см. § 1.4).

5.1.4. Расчет необходимого запаса разрядной сетки процессора. Первоисточником всех инструментальных погрешностей процессора является ограниченность его разрядной сетки. В процессе проектирования процессорного измерительного средства всегда остро встает вопрос рационального выбора достаточной разрядности процессора, используемого для реализации заданного класса измерительных алгоритмов. Вполне понятное желание проектировщика выбрать повышенную разрядность процессора («с запасом») вступает в противоречие с необходимостью выдержать на определенном уровне другие важные характеристики — быстродействие, надежность, массу, габариты и стоимость, так как в конечном итоге с ростом разрядности увеличивается количество оборудования.

Жгутовые ПЗУ за счет использования сердечников из материала с непрямоугольной характеристикой и мног,овитковых обмоток считывания имеют высокое быстродействие (время обращения 300—1 000 нсек), небольшие токи возбуждения (50—150 ма), большое напряжение выходного сигнала (примерно 1 в). Благодаря этому удается выполнить охемы возбуждения и считывания полностью на интегральных компонентах. Недостатком жгутового ПЗУ, ш к всякого запоминающего устройства со структурой 2D, является большое количество оборудования, применяемого для возбуждения.

* Количество оборудования может приблизительно оцениваться количеством используемых корпусов интегральных схем.