Количество элементов

где с — количество элементарных проводов в эффективном; d' — диаметр элементарного изолированного провода, мм.

этом количество элементарных проводников сЗ=2 и четное. При открытых пазах Лгш=1; 2

Для уменьшения добавочных потерь от вихревых токов, наводимых потоком рассеяния, прямоугольные проводники располагают в пазу статора 'плашмя, т. е. большей стороной по ширине паза. При этом высота эффективного проводника а*Эф ограничена (для низковольтных машин аэф^2,12 мм, для высоковольтных аэф^2,5). Если высота (меньшая сторона эффективного проводника) получается больше указанной, то эффективный проводник по высоте также подразделяют на элементарные. Предварительно количество элементарных проводников определяют делением 5Эф на 5ДОП с округлением до ближайшего большего целого числа с'.

Количество элементарных проводников в одном эффективном по ширине определяют делением полученной ширины эффективного проводника Ь'эф на 6ДОП с округлением до ближайшего большого целого числа сь. Разделив с' на сь, получим предварительно количество элементарных проводников в одном эффективном по высоте паза с'а. Разделив а'Эф на с'а, определяют размер элементарного проводника по высоте паза. Если он превысит 2,12 мм (для низковольтных машин) или 2,5 (для высоковольтных), то количество элементарных проводников по высоте паза следует увеличить. Получают окончательное количество элементарных проводников tio высоте паза са и общее их количество с=сась.

Ширина паза, (мм) Размеры стержня по высоте, мм То же, по ширине (мм) Ближайшие стандартные размеры стержня (мм) и его сечение (мм2) Количество элементарных стержней в одном эффективном

Здесь d' — диаметр изолированного провода; 5П2" — площадь поперечного сечения паза, занимаемая обмоткой [см. (10-50)]. Количество элементарных проводов в одном эффективном с выбирают, исходя из того, чтобы диаметр провода без изоляции d не превышал 1,68 мм; причина этого ограничения заключается в затруднении с всыпанием проводов большего диаметра в пазы и в связи с этим в повышении возможности замыкания проводов в пазах.

Количество проводников, размещаемых в пазу по высоте, NB=2wc2. При дас2 = 1 и частоте перемагничивания f>15 Гц эффективные проводники подразделяют по высоте на два элементарных с целью уменьшения добавочных потерь на вихревые токи в проводах обмотки якоря; для таких обмоток iVB —4, а количество 'элементарных проводов в эффективном с=2.

Для машин с /гг^280 мм количество эффективных проводников дополнительной обмотки в пазу чаще всего принимают NA=2, a для машин с /г = 315^-450 мм — Лгд= 1.11ри определении количества элементарных проводников дополнительной обмотки сд в одном эффективном руководствуются теми же положениями, что и для основной обмотки. Размеры и количество элементарных проводников основной и дополнительной обмоток, укладываемых по ширине Со.ш, Сд.щ и.по высоте паза С0.в, Сд.в, выбирают с учетом рационального заполнения площади паза и рекомендаций гл. 9.

Здесь 5 — площадь поперечного сечения элементарного проводника, мм2; с —количество элементарных проводников в одном эффективном.

Количество элементарных проводников с в одном эффективном выбирают так, чтобы диаметр провода с изоляцией не превышал 1,71 мм при ручной укладке и 1,33 мм при машинной. По приложению 1 находят ближайший стандартизированный диаметр изолированного провода d', соответствующий ему диаметр неизолированного провода d и площадь его поперечного сечения S.

где 5Д — площадь поперечного сечения элементарного проводника дополнительной обмотки, мм2; сд — количество элементарных проводников в одном эффективном.

Матричные БИС, применяемые в настоящее время на ЭВМ, реализуются на БМК различных технологий. Наиболее быстродействующими являются матричные ЭСЛ БИС с элементами, имеющими задержку, измеряемую в долях наносекунд. Количество элементов в БМК может составлять несколько десятков тысяч. Количество выводов МаБИС зависит от типа используемого для БМК корпуса и может составлять сотни выводов. В качестве примера укажем, что МаБИС серии К1520ХМ2 строятся на основе БМК, заключенного в корпусе со 108 выводами, с элементами типа ЭСЛ, имеющими задержку 1 не. Уровень интеграции БМК оценивается в 1100 эквивалентных логических элементов 2И — НЕ (вентилей).

Значительный прогресс в электронике заметен в создании больших интегральных схем (БИС). В этих микросхемах количество элементов достигает нескольких сотен тысяч, а их минимальные размеры составляют 2—3 мкм. Быстродействие БИС измеряется миллиардными долями секунды. Создание БИС привело к появлению микропроцессоров (устройств цифровой обработки информации, осуществляемой по программе) и микро-ЭВМ. В последние годы в нашей стране и за рубежом появились микропроцессоры и микро-ЭВМ, выполненные на одном кристалле. В ближайшие годы ожидается уплотнение компоновки элементов в интегральных микросхемах в 3—5 раз, что приведет к массовому выпуску сверхбольших интегральных схем (СБИС).

С точки зрения интеграции основными параметрами интегральных микросхем являются плотность упаковки и степень интеграции. Плотность упаковки характеризует количество элементов в единице объема интегральной микросхемы, степень интеграции — количество элементов, входящих в состав интегральной микросхемы. По степени интеграции все интегральные микросхемы принято подразделять на ИМС: первой степени интеграции — до 10 элементов, второй степени — от 10 до 100 элементов, третьей степени — от 100 до 1000 элементов и т. д.

В то же время отдельные активные и пассивные элементы микросхем имеют характеристики, не уступающие навесным (обычным) диодам, транзисторам, резисторам и т. д. Однако их объединение в одной микросхеме приводит к новой качественной возможности создания предельно сложных электронных устройств. Применение микросхем существенно повышает надежность электронных устройств, так как надежность микросхем, содержащих большое количество элементов, не уступает надежности отдельных транзисторов, диодов и резисторов.

Количество элементов антенной решетки определяется ее габаритами, быстродействием ЭВМ и их стоимостью. Их число может быть весьма значительным (тысячи, десятки тысяч).

где NK — количество элементов, содержащихся в кадре (1.6); Nc — количество элементов, передаваемых в секунду. Тогда скорость сканирования

зуют тестовую ячейку контактного «креста» ( 2.2), для контроля структурных параметров — тестовые ячейки в виде цепочки тестовых элементов ( 2.3). При этом по цепочкам 2.3, а оценивают уровень дефектности металлизации, по цепочкам 2.3, б —обрывы алюминиевой металлизации на ступеньках оксида, а по цепочкам 2.3, в — обрывы разводки из легированного поликристаллического кремния. Количество элементов в цепочке (контактов, ступенек) составляет 100—1000.

Четвертое поколение аппаратуры электронной техники начало развиваться после создания больших интегральных схем (БИС), содержащих 500 и более элементов. В настоящее время максимально достигнутое количество элементов на кристалл составляет 50 000. Создание таких БИС невозможно без использования ЭВМ как на уровне их проектирования, так и управления технологическим процессом. Согласно имеющимся прогнозам на 1985 г. количество элементов на кристалл может приблизиться к 100000—200000 с дальнейшим ограничением роста числа элементов ввиду принципиальных трудностей.

Количество элементов системы электроснабжения растет «сверху—вниз», т. е. от границы раздела предприятия с энергосистемой до конечных электроприемников в сети напряжением до 1 кВ. Взаимодействие этих элементов подчинено главной цели электроснабжения — ,. обеспечению потребителей электрической энергией.

Научно-технический прогресс открывает новые пути совершенствования технических изделий и их производства. Увеличивается, например, количество элементов в усилителе, но сам усилитель изготавливается уже не из отдельных элементов а в виде небольшой пластинки из полупроводникового материала. Отдельные части этой пластины, оСработанные по так называемой интегральной технологии, выполняют функции и десяти транзисторов, и трех диодов, и одиннадцати резисторов, и соединительных проводников. Такое обновление техники означает и радикальное изменение технических задач, которые приходится решать инженерам-исследователям, конструкторам, технологам и эксплуатационникам

На нижнем рисунке приведена схема современного фильтра без индуктивностей. эквивалентного резонансному контуру. На звуковых частотах такой фильтр работает столь же хорошо, как и на высоких. И хотя количество элементов в этом фильтре резко возросло, его размеры существенно уменьшились по сравнению с резонансным контуром. Он стал лажр миниатюрным, поскольку его 30 транзисторов и 30 резисторов выполнены в внде двух одинаковых BHie-тральных блоков;