Количеством элементов

Величина или сила электрического тока определяется количеством электричества (зарядом), проходящего сквозь поверхность, равную поперечному сечению проводника, в единицу времени.

Ток (А) определяется количеством электричества q, проходящего через поперечное сечение проводника за единицу времени:

Преобразование химической энергии в электрическую используется в аккумуляторах, являющихся основными источниками постоянного тока. Различные аккумуляторы характеризуются максимальным количеством электричества, которое можно получить от них без перезарядки. Эта величина носит название емкости аккумулятора (А • ч) и определяется из соотношения

Мерой электрического тока служит величина тока (или просто ток), измеряемая количеством электричества (зарядом), которое проходит через поперечное сечение проводника в 1 сек. Если величина тока не изменяется с течением времени, то такой ток называется п о с т о я н-н ы м (обозначается прописной буквой /), По определению

Аккумулятор характеризуется наибольшим количеством электричества, которое можно получить, не причиняя ему вреда. Это количество электричества называется емкостью аккумулятора и обычно измеряется в амперчасах (а- ч):

2. Масса выделенного при электролизе вещества од-HEN: и тем же количеством электричества прямо пропорциональна атомной массе вещества А и обратно пропор-циснальна его валентности п:

Опыт показывает, что при электризации трением, если ни одному из соприкасающихся при этом тел не сообщается извне добавочных зарядов, оба тела заряжаются одинаковым количеством электричества разных знаков. При соединении тел их заряды полностью нейтрализуются.

ется количеством электричества q. Соответственно, чтобы получить формулу для g, достаточно заменить в формуле для С диэлектрическую проницаемость е удельной проводимостью у.

Интенсивность электрического тока характеризуют силой электрического тока, хотя часто термин электрический ток или просто ток применяется в качестве синонима термина сила электрического тока. При постоянном, т. е. не изменяющемся с течением времени, токе проводимости сила тока определяется количеством электричества или зарядом, проходящим через поперечное сечение проводника в 1 сек. Сила постоянного тока обозначается прописной буквой /. Обозначив буквой Q заряд, проходящий через поперечное сечение проводника за время t, получим:

Принцип действия кулонометрических преобразователей основан на использовании явления электролиза. В соответствии с законом Фа-радея, связь между количеством электричества и выделившимся веществом определяется уравнением:

/ср через магнитоэлектрический прибор определяется количеством электричества Qs, до которого зарядился конденсатор, т. е. Qa=CU0,

Плотность упаковки гибридных интегральных микросхем несколько меньше — до 150 эл/см3, степень интеграции—-первая и вторая. Гибридные интегральные микросхемы перспективны для устройств с небольшим количеством элементов, в которых может быть обеспечена высокая точность параметров.

3. Как следует записать расчетные формулы для неразветвленной цепи с произвольным количеством элементов (резисторов, индуктивных катушек, конденсаторов) по аналогии с формулами для индуктивной катушки (см. § 4.3)?

полупроводниковой интегральной микросхемы, в которой активные и пассивные элементы и их соединения выполнены в виде сочетания неразъемно связанных р-п-перехо-дов в одном исходном полупроводниковом материале. Это позволило исключить процесс сборки радиоаппарата, повысить плотность упаковки и надежность межэлементных соединений. Таким образом, полупроводниковая электроника вступила в новую фазу своего развития — появилась микроэлектроника. В дальнейшем полупроводниковую интегральную микросхему будем называть интегральной микросхемой (ИМС). Переход к ИМС стал возможен благодаря освоению новой полупроводниковой технологии, характеризующейся созданием групповых методов изготовления пленарных (плоских) р-п-р- или га-р-п-структур. При современном групповом технологическом цикле может быть изготовлено одновременно несколько десятков тысяч ИМС с количеством элементов от 50 до 500 или несколько тысяч ИМС с количеством элементов порядка 5000, т. е. одновременно может быть выполнено несколько миллионов элементов с помощью тех же простейших технологических операций по формированию р-и-переходов, что и при изготовлении одиночного планарного транзистора. Это позволяет обеспечить высокую идентичность параметров ИМС и значительно повысить надежность по сравнению с аналогичными схемами на дискретных элементах. За счет усложнения элементной базы происходит уменьшение сложности конструкции, числа внешних соединений и объема электронной аппаратуры.

Чтобы в процессе выполнения программы можно было многократно использовать значения элементов массивов, они должны храниться в памяти ЭВМ. Для этого необходимо зарезервировать некоторый объем памяти ОЗУ, соответствующий количеству элементов массива - объявить массив. Для объявления массивов применяется оператор DIM. Если в программе объявляется несколько массивов, то они перечисляются через запятую. Так, запись вида DIM X(18), У(18) означает, что объявлено два массива (X и У) с количеством элементов в каждом из них по 19 (отсчет номеров элементов начинается с нуля).

а) количеством элементов, типов элементов и электрических соединений в ИМС;

правило, решение этих программ требует значительных затрат машинного времени. Например, для расчета схемы с количеством элементов не более 15 на ЭВМ с быстродействием ,(3-=-5)-104 операций в секунду затрачивается до 3 ч машинного времени. Поэтому одной из основных проблем при выполнении внутрисхемных соединений является создание высокоэффективных вычислительных средств.

В этом вопросе не имеется вполне определенного критерия, так как приходится сравнивать схемы с разнородными элементами. При этом обычно руководствуются следующими соображениями. Желательны схемы с наименьшим количеством элементов, имеющих практически приемлемые параметры, причем предпочтение следует отдавать схемам, содержащим простейшие элементы — сопротивления и емкости.

В этом вопросе не имеется вполне определенного критерия, так как приходится сравнивать схемы с разнородными элементами. При этом обычно руководствуются следующими соображениями. Желательны схемы с наименьшим количеством элементов, имеющие практически приемлемые па-

характеризуются наибольшим количеством элементов, входящих в структуру системы.

С целью уменьшения габаритов ЛЗ используют катушки индуктивности с цилиндрическими ферритовыми магнитопроводами (стержнями), форма которых хорошо согласуется с трубчатыми керамическими конденсаторами. Располагая катушки и конденсаторы в ряд на базовой детали, удается существенно уменьшить длину соединительных проводников. Структура конструкции ЛЗ -получается такой же, как и у ФПЧ, но с большим количеством элементов (катушек и конденсаторов). Во многих случаях подобная конструкция спрессовывается в пластмассу. Рациональные габариты устройства с такими ЛЗ получаются при времени задержки 0,5ч-Ч-10 икс. Если необходимо получить ступенчатое изменение времени задержки, то в соответствующих местах схемы предусматри- Ч ваются выводы, позволяющие выбирать время задержки через 0,05—1 икс.

количеством элементов. При этом для них сохраняются общие обозначения ( 2.1).