Количества оборудования

После этого происходит лавинообразное увеличение количества носителей заряда за счет лавинного умножения носителей заряда в p-n-переходе П2 движущимися электронами и дырками. С увеличением количества носителей заряда ток в переходе быстро нарастает, так как электроны из слоя л2 и дырки из слоя pi устремляются в слои р2 и «! и насыщают их неосновными носителями заряда. Напряжение на резисторе -R возрастает, напряжение на тиристоре падает. После пробоя напряжение на тиристоре снижается до значения порядка 0,5—1 В. При дальнейшем увеличении э. д. с. источника Еа и- -^ппА или уменьшения сопротивления резистора R ток в приборе нарастает в соответствии с вертикальным участком вольт-амперной характеристики. Такой пробой не вызывает разрушения перехода Я2. При уменьшении тока восстанавливается высокое сопротивление перехода (нисходящая ветвь на 1.32.) Время восстановления сопротивления этого перехода после снятия питающего напряжения обычно составляет 10—30 мкс.

Левая часть уравнения определяет полное изменение количества носителей заряда, которое зависит от процессов генерации, рекомбинации, диффузии и дрейфа. Полное изменение числа носителей равно алгебраической сумме всех частных изменений:

где Дц Д2 — изменения количества носителей, определяемые соответственно процессами генерации и рекомбинации; Дз—изменение количества носителей, определяемое их диффузией и дрейфом.

3. Изменение количества носителей в объеме Д#, обусловленное процессами диффузии и дрейфа, зависит от количества носителей,

Ток коллектора /к будет почти равен току эмиттера 1Э, так как он в основном определяется количеством носителей, инжектируемых эмиттером (за исключением небольшой части носителей, рекомбинируемых в базе). Поэтому характеристики прямолинейны, почти горизонтальны и расположены на равных расстояниях одна от другой. Характеристики имеют очень слабый наклон, который резко увеличивается лишь в области, близкой к пробою. Это объясняется тем, что с ростом С/Кб будет увеличиваться ширина коллекторного перехода, а следовательно, уменьшаться толщина базы, что приводит к уменьшению количества носителей, успевающих рекомбинировать в области базы, и к росту тока 1К. При большом напряжении ?/Кб может произойти пробой коллекторного перехода.

Электрический пробой вызывается совместным действием двух факторов: ударной ионизацией атомов и туннельным эффектом. Ударная ионизация возникает, когда под действием обратного напряжения электроны проводимости приобретают на расстоянии, равном длине свободного пробега, энергию, достаточную для отрыва других электронов при столкновении с атомами кристалла. При этом происходит лавинообразное увеличение количества носителей заряда и ток возрастает.

Большинство полупроводниковых приборов изготовляют на основе примесных полупроводников, т. е. полупроводников, электрические характеристики которых определяются донорными или акцепторными примесями. Таким образом, в рабочем диапазоне температур полупроводникового прибора поставщиками основного количества носителей заряда в полупроводниковом материале должны быть примеси. Поэтому в практике важное значение имеют такие полупроводниковые материалы, у которых ощутимая собственная концентрация носителей заряда появляется при возможно более высокой температуре, т. е. полупроводники с достаточно большой шириной запрещенной зоны.

где т] — внутренний квантовый выход, т. е. число электронно-дырочных пар, образуемых одним фотоном; ув — коэффициент переноса, учитывающий долю непрорекомбиниро-вавших в базе носителей заряда от общего количества носителей, возникающих под действием излучения.

Транзисторы с управляющим />/г-переходом. Этим транзисторам присущи тепловые шумы сопротивлений проводящих областей транзистора, в частности сопротивления Кк активного канала длиной L, сопротивления примыкающих участков немодулированного канала со стороны стока Кк.с и истока Кк.И, дробовые шумы тока утечки затвора с равномерным спектром в диапазоне рабочих частот, а также низкочастотные 1//-шумы, обусловленные шумами генерации и рекомбинации носителей на одиночных реком-бинационных центрах и поверхностными шумами. Тепловой шум канала проявляется через флуктуации количества носителей в нем, что порождает шум тока стока и шум затвора при наличии емкости затвор — канал.

Световая энергия, поглощаемая полупроводником, вызывает появление в нем избыточного (по сравнению с равновесным при данной температуре) количества носителей зарядов, приводящего к возрастанию электропроводности.

При переходе от проводящего состояния вентиля к запертому или обратно возрастание или снижение количества носителей заряда в слоях кремниевой шайбы, образующих структуру вентиля, происходит не скачкообразно. Поэтому полупроводниковые вентили обладают некоторой инерционностью.

Термомаг-нитная добротность определяется выражением (III. 107). Анализ, проведенный для различных моделей полупроводников и полуметаллов, показывает, что при наличии одного сорта носителей тока термомагнитная добротность невелика и не представляет практического интереса. Она возрастает при участии в проводимости двух или большего количества носителей товд (электронов и дырок). Проведены расчеты термомагнитной добротности для моделей валентной зоны и зоны проводимости различной степени сложности в условиях слабых, промежуточных и сильных магнитных полей, для различных механизмов рассеяния носителей тока с учетом и без учета вырождения [14, 17, 20, 22, 24, 27, 28]. В большинстве случаев получены громоздкие формулы, из которых следует:

Номенклатура оборудования и оснащения определяется маршрутным или операционным ТП. Исходными данными для определения потребного количества оборудования, оснащения, рабочих мест являются: годовая программа запуска, производительность оборудования, годовой фонд работы оборудования (рабочего места). Расчетное количество оборудования (Красч) определяется по формуле

Основными характеристиками системы автоматического контроля правильности функционирования ЭВМ являются: а) отношение количества оборудования, охваченного системой контроля, к общему количеству оборудования ЭВМ; б) вероятность обнаружения системой контроля ошибок в функционировании ЭВМ; в) степень детализации, с которой система контроля указывает место возникновения ошибки '; г) отношение количества оборудования системы контроля к общему количеству оборудования ЭВМ.

В помещениях для обслуживающего персонала, должна быть следующая оперативная документация: а) эксплуатационный (оперативный) журнал для записи в хронологическом порядке времени приема и сдачи смены, выполняемых переключений, распоряжений руководящего технического персонала о допуске и работе, о выдаче ключей от распределительных устройств и т. д.; б) бланки нарядов на ремонтные и наладочные работы в электроустановках; в) бланки переключений; г) журнал дефектов оборудования (при наличии большого количества оборудования); е) ведомости показания контрольно-измерительных приборов и электросчетчиков; ж) журнал проверки знаний, а также список лиц, имеющих право единоличного осмотра в электроустановках, лиц, имеющих право отдавать оперативные распоряжения, ответственных дежурных энергоснабжающей организации.

Технологическая часть: анализ существующего технологического процесса сборки; разработка маршрутной и операционной технологий; нормирование сборочных операций; расчет такта сборки, рабочих мест и количества оборудования, техоснастки, инструмента; разработка приспособления для сборки контактной системы реле.

Трапные воды имеют ту же концентрацию примесей, что и вода АЭС с реактором ВВЭР, но их объемы намного больше из-за необходимости дезактивации большего количества оборудования, поверхностей помещений, а также стоков собственных нужд фильтров блочной конденсатоочистки. Кроме регенерационных стоков при взрыхлении и отмывке загрузочного материала фильтров конденсатоочистки образуются малосолевые воды с большим содержанием грубодисперсных примесей, требующих для их переработки определенных технологических процессов.

Для снижения количества оборудования специального исполнения в таких цехах наибольшее распространение получили радиальные схемы питания, при которых все коммутационные аппараты располагаются в отдельных помещениях, изолированных от агрессивных или взрывоопасных сред. При необходимости в этих помещениях может устраиваться искусственная вентиляция. От шкафов КТП или станций управления электродвигателями кабели или провода в трубах идут непосредственно к электроприемникам, расположенным в неблагоприятной среде. Таким образом, при радиальной схеме цеховой сети все аппараты управления и защиты электроприемников можно вынести за пределы помещений с неблагоприятной средой.

При фронтальном проведении лабораторных занятий все студенты одной учебной подгруппы (10—15 человек) выполняют бригадами работы на одну и ту же тему с однотипными приборами и соответствующим оборудованием. Преимуществом такой организации является возможность выполнения лабораторных работ непосредственно после изложения соответствующей темы на лекциях, что способствует' немедленному закреплению и расширению знаний студентов. Фронтальная постановка лабораторных работ позволяет преподавателю одновременно руководить и следить за действиями студентов, проводить групповой инструктаж с использованием различных технических средств обучения, давать для всей группы указания по ходу выполнения лабораторной работы и раскрывать общие характерные ошибки студентов, выявленные во время проведения учебных занятий. Однако такая система требует значительного количества оборудования для постановки однотипных лабораторных работ или использования универсальных стендов.

При этом методе выполнения умножения регистр множимого и сумматор частичных произведений должны иметь длину, вдвое большую, чем количество разрядов одного сомножителя, Несмотря на увеличение количества оборудования по сравнению с первым методом, этот метод никаких дополнительных преимуществ не дает и потому применение его нецелесообразно.

Необходимость в коррекции ошибок и диагностике неисправностей при современном уровне надежности ЦВМ возникает Достаточно редко. Поэтому целесообразно использовать для выполнения этих функций главным образом программные средства контроля в виде корректирующих и диагностических программ. Однако, для того чтобы эти программы не были чрезмерно сложны, в современных машинах предусматриваются определенные аппаратные средства, которые предоставляют в распоряжение программ необходимую информацию о характере ошибки. Основными характеристиками системы автоматического контроля правильности функционирования ЦВМ являются: а) отношение количества оборудования, охваченного системой контроля к общему количеству оборудования ЦВМ; б) вероятность обнаружения системой контроля ошибок в функционировании ЦВМ; в) степень детализации, с которой систем а контроля указывает место возникновения ошибки *; г) отноше-.

ние количества оборудования системы контроля к общему количеству оборудования ЦВМ*.

При этом методе выполнения умножения регистр множимого н сумматор частичных произведений должны иметь длину, вдвое большую, чем количество разрядов одного сомножителя. -Несмотря на увеличение количества оборудования по сравнению с первым методом, этот метод никаких дополнительных преимуществ не дает и потому применение его нецелесообразно.